操做系统动态内存分配，适合于操作系统类的课程设计。
上传时间： 2017-02-06
上传用户：xc216
动态内存管理的方法和实践，给出了相关的优化解决方法
上传时间： 2014-01-21
上传用户：四只眼
题目：扩展的动态内存管理机制 目的：在了解实时嵌入式操作系统内存管理机制的特点以及实时处理对内存管理需求的基础上，练习并掌握有效处理内存碎片的内存管理机制，同时理解防止内存泄漏问题的良好设计方法。 环境：VxWorks的VxSim仿真环境或2410BP(ARM920T)
上传时间： 2017-05-11
上传用户：zhichenglu
扩展的动态内存机制 任务综述 本任务扩展了自己私有的内存管理机制。首先使用预先规划的思想，使用预先分配的内存池和内存分区，再通过使用消息队列作为内存池的管理机制处理内存块分配与释放的过程，而消息队列中保存的是每个预先申请内存块的地址。当用户需要分配一个内存块时，使用msgQReceive() 函数从消息队列中获取一个相应大小的内存块地址；当用户需要释放一个内存块时，则使用msgQSend()函数将内存块首地址发送回消息队列中。通过这种方法，减少了内存反复申请与释放产生外部碎片的可能，并能够有效利用预先分配的思想减少内部碎片。同时也通过消息队列的特性实现了方便的内存块申请与释放的管理操作。 同时，本系统作为扩展的动态内存管理机制，引入了定制的内存分配与释放功能，使用了互斥机制保证操作安全性和一系列告警机制。在保证内存分配与释放安全有序的基础上，还增加了管理监视机制。 其系统具体实现参照系统实现部分。
上传时间： 2017-06-11
上传用户：569342831
arm的C语言教程 无操作系统支持的嵌入式系统软件,包括系统引导(BOOT) 、驱动程序、动态内存管理、IPO、通信以及应用软件等方面。 本文详细介绍了嵌入式平台上用C 语言编写系统软件和应用软件的方法。虽然是针对ARM平台介绍的,但基本经验和算法也适 合于其他嵌入式平台的软件设计
上传时间： 2014-10-30
上传用户：小宝爱考拉
c内存资料整理 1.函数间动态内存的传递 2.控制C++的内存分配 3.链表的C语言实现之动态内存分配 4.C++中的内存管理 5.动态内存分配引发问题的解决方案 ...
上传时间： 2017-08-02
上传用户：牛布牛
使用双向循环链表实现的动态内存管理，包括申请和分配内存块的过程
上传时间： 2017-09-08
上传用户：himbly
针对主控制板上存储器(SRAM) 存储的数据量小和最高频率低的情况,提出了基于SDR Sdram(同步动态RAM) 作为主存储器的LED 显示系统的研究。在实验中,使用了现场可编程门阵列( FPGA) 来实现各模块的逻辑功能。最终实现了对L ED 显示屏的控制,并且一块主控制板最大限度的控制了256 ×128 个像素点,基于相同条件,比静态内存控制的面积大了一倍,验证了动态内存核[7 ]的实用性。
上传时间： 2013-08-21
上传用户：sjw920325
第二部分：DRAM 内存模块的设计技术..............................................................143第一章 SDR 和DDR 内存的比较..........................................................................143第二章 内存模块的叠层设计.............................................................................145第三章 内存模块的时序要求.............................................................................1493.1 无缓冲（Unbuffered）内存模块的时序分析.......................................1493.2 带寄存器（Registered）的内存模块时序分析...................................154第四章 内存模块信号设计.................................................................................1594.1 时钟信号的设计.......................................................................................1594.2 CS 及CKE 信号的设计..............................................................................1624.3 地址和控制线的设计...............................................................................1634.4 数据信号线的设计...................................................................................1664.5 电源，参考电压Vref 及去耦电容.........................................................169第五章 内存模块的功耗计算.............................................................................172第六章 实际设计案例分析.................................................................................178 目前比较流行的内存模块主要是这三种：SDR，DDR，RAMBUS。其中，RAMBUS内存采用阻抗受控制的串行连接技术,在这里我们将不做进一步探讨，本文所总结的内存设计技术就是针对SDRAM 而言(包括SDR 和DDR)。现在我们来简单地比较一下SDR 和DDR，它们都被称为同步动态内存，其核心技术是一样的。只是DDR 在某些功能上进行了改进，所以DDR 有时也被称为SDRAM II。DDR 的全称是Double Data Rate，也就是双倍的数据传输率，但是其时钟频率没有增加，只是在时钟的上升和下降沿都可以用来进行数据的读写操作。对于SDR 来说,市面上常见的模块主要有PC100/PC133/PC166,而相应的DDR内存则为DDR200(PC1600)/DDR266(PC2100)/DDR333(PC2700)。
上传时间： 2014-01-13
上传用户：euroford
第二部分：DRAM 内存模块的设计技术..............................................................143第一章 SDR 和DDR 内存的比较..........................................................................143第二章 内存模块的叠层设计.............................................................................145第三章 内存模块的时序要求.............................................................................1493.1 无缓冲（Unbuffered）内存模块的时序分析.......................................1493.2 带寄存器（Registered）的内存模块时序分析...................................154第四章 内存模块信号设计.................................................................................1594.1 时钟信号的设计.......................................................................................1594.2 CS 及CKE 信号的设计..............................................................................1624.3 地址和控制线的设计...............................................................................1634.4 数据信号线的设计...................................................................................1664.5 电源，参考电压Vref 及去耦电容.........................................................169第五章 内存模块的功耗计算.............................................................................172第六章 实际设计案例分析.................................................................................178 目前比较流行的内存模块主要是这三种：SDR，DDR，RAMBUS。其中，RAMBUS内存采用阻抗受控制的串行连接技术,在这里我们将不做进一步探讨，本文所总结的内存设计技术就是针对SDRAM 而言(包括SDR 和DDR)。现在我们来简单地比较一下SDR 和DDR，它们都被称为同步动态内存，其核心技术是一样的。只是DDR 在某些功能上进行了改进，所以DDR 有时也被称为SDRAM II。DDR 的全称是Double Data Rate，也就是双倍的数据传输率，但是其时钟频率没有增加，只是在时钟的上升和下降沿都可以用来进行数据的读写操作。对于SDR 来说,市面上常见的模块主要有PC100/PC133/PC166,而相应的DDR内存则为DDR200(PC1600)/DDR266(PC2100)/DDR333(PC2700)。
上传时间： 2013-10-18
上传用户：宋桃子
