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前置放大器

前置放大器是指置于信源与放大器级之间的电路或电子设备,是专为接受来自信源的微弱电压信号而设计的。
  • 正版免费的pcb软件designspark pcb入门教程T05_ 添加运算放大器

    一款真正免费的pcb设计软件。系统构建于集成设计环境之上,提供从捕获原理图到印刷电路板 (PCB) 的设计和布局所需的全部工具

    标签: designspark pcb 05

    上传时间: 2013-11-17

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  • 磁芯电感器的谐波失真分析

    磁芯电感器的谐波失真分析 摘  要:简述了改进铁氧体软磁材料比损耗系数和磁滞常数ηB,从而降低总谐波失真THD的历史过程,分析了诸多因数对谐波测量的影响,提出了磁心性能的调控方向。 关键词:比损耗系数, 磁滞常数ηB ,直流偏置特性DC-Bias,总谐波失真THD  Analysis on THD of the fer rite co res u se d i n i nductancShi Yan Nanjing Finemag Technology Co. Ltd., Nanjing 210033   Abstract:    Histrory of decreasing THD by improving the ratio loss coefficient and hysteresis constant of soft magnetic ferrite is briefly narrated. The effect of many factors which affect the harmonic wave testing is analysed. The way of improving the performance of ferrite cores is put forward.  Key words: ratio loss coefficient,hysteresis constant,DC-Bias,THD  近年来,变压器生产厂家和软磁铁氧体生产厂家,在电感器和变压器产品的总谐波失真指标控制上,进行了深入的探讨和广泛的合作,逐步弄清了一些似是而非的问题。从工艺技术上采取了不少有效措施,促进了质量问题的迅速解决。本文将就此热门话题作一些粗浅探讨。  一、 历史回顾 总谐波失真(Total harmonic distortion) ,简称THD,并不是什么新的概念,早在几十年前的载波通信技术中就已有严格要求<1>。1978年邮电部公布的标准YD/Z17-78“载波用铁氧体罐形磁心”中,规定了高μQ材料制作的无中心柱配对罐形磁心详细的测试电路和方法。如图一电路所示,利用LC组成的150KHz低通滤波器在高电平输入的情况下测量磁心产生的非线性失真。这种相对比较的实用方法,专用于无中心柱配对罐形磁心的谐波衰耗测试。 这种磁心主要用于载波电报、电话设备的遥测振荡器和线路放大器系统,其非线性失真有很严格的要求。  图中  ZD   —— QF867 型阻容式载频振荡器,输出阻抗 150Ω, Ld47 —— 47KHz 低通滤波器,阻抗 150Ω,阻带衰耗大于61dB,       Lg88 ——并联高低通滤波器,阻抗 150Ω,三次谐波衰耗大于61dB Ld88 ——并联高低通滤波器,阻抗 150Ω,三次谐波衰耗大于61dB FD   —— 30~50KHz 放大器, 阻抗 150Ω, 增益不小于 43 dB,三次谐波衰耗b3(0)≥91 dB, DP  —— Qp373 选频电平表,输入高阻抗, L ——被测无心罐形磁心及线圈, C  ——聚苯乙烯薄膜电容器CMO-100V-707APF±0.5%,二只。 测量时,所配用线圈应用丝包铜电磁线SQJ9×0.12(JB661-75)在直径为16.1mm的线架上绕制 120 匝, (线架为一格) , 其空心电感值为 318μH(误差1%) 被测磁心配对安装好后,先调节振荡器频率为 36.6~40KHz,  使输出电平值为+17.4 dB, 即选频表在 22′端子测得的主波电平 (P2)为+17.4 dB,然后在33′端子处测得输出的三次谐波电平(P3), 则三次谐波衰耗值为:b3(+2)= P2+S+ P3 式中:S 为放大器增益dB 从以往的资料引证, 就可以发现谐波失真的测量是一项很精细的工作,其中测量系统的高、低通滤波器,信号源和放大器本身的三次谐波衰耗控制很严,阻抗必须匹配,薄膜电容器的非线性也有相应要求。滤波器的电感全由不带任何磁介质的大空心线圈绕成,以保证本身的“洁净” ,不至于造成对磁心分选的误判。 为了满足多路通信整机的小型化和稳定性要求, 必须生产低损耗高稳定磁心。上世纪 70 年代初,1409 所和四机部、邮电部各厂,从工艺上改变了推板空气窑烧结,出窑后经真空罐冷却的落后方式,改用真空炉,并控制烧结、冷却气氛。技术上采用共沉淀法攻关试制出了μQ乘积 60 万和 100 万的低损耗高稳定材料,在此基础上,还实现了高μ7000~10000材料的突破,从而大大缩短了与国外企业的技术差异。当时正处于通信技术由FDM(频率划分调制)向PCM(脉冲编码调制) 转换时期, 日本人明石雅夫发表了μQ乘积125 万为 0.8×10 ,100KHz)的超优铁氧体材料<3>,其磁滞系数降为优铁

    标签: 磁芯 电感器 谐波失真

    上传时间: 2014-12-24

    上传用户:7891

  • 高精度数字跟踪式压电陶瓷驱动电源设计

    设计了一种数字跟踪式复合结构的压电陶瓷驱动电源。采用数字式自适应信号源,驱动高精度运放OP07和高压大电流运放PA04组成复合式放大器,通过合理的相位补偿、保护电路设计和散热计算,实现高精度低漂移的压电陶瓷驱动。

    标签: 高精度 数字跟踪 压电陶瓷 驱动

    上传时间: 2013-10-19

    上传用户:aeiouetla

  • 利用高效率SEPIC-Cuk转换器产生双供电轨

    虽然单电源轨到轨运算放大器已得到广泛使用,但常常必须从单一(正)输入供电轨产生两个供电轨,以便为模拟信号链的其他部分供电。这些部分的电流一般较低,正负电源具有相对匹配良好的负载。针对该问题,本文在常见的解决方案之外提出了一种更优的方法,该解决方案使用SEPIC-Cuk转换器,由一个输出不受调节的Cuk转换器连接到一个输出受到调节的SEPIC转换器的开关节点组成。这一组合产生的两个高效电源几乎能在所有条件下都非常好地保持一致。

    标签: SEPIC-Cuk 高效率 转换器 供电

    上传时间: 2013-11-17

    上传用户:liuchee

  • 线性电源用隔离误差放大器ADuM3190、ADuM4190应用原理

    目前开关电源以小型、轻量和高效率的特点被广泛应用于各类电子设备中,但开关电源输出的直流上面会叠加较大的纹波,而虽然线性电源有体积庞大,发热和能效较低等缺点,但是线性电源技术成熟,可以达到很高的稳定度,没有高频波纹等干扰,因此对于电磁干扰和电源纯净性有较高要求的地方选用线性电源更好,比如一些高档音响,高精度测试仪器仪表等,因此广泛应用于一些科研院所、实验室、学校、工矿企业、电解、电镀、充电设备等。

    标签: ADuM 3190 4190 线性电源

    上传时间: 2013-10-21

    上传用户:ZZJ886

  • 在未采用外部电阻器的情况下获取精准增益

     LT®1991提供了很多的功能,因而有可能是您必須保持一定庫存量的最後一款放大器。它不是一款應用受限的單用途差分或儀表放大器。

    标签: 外部电阻 精准增益

    上传时间: 2013-10-26

    上传用户:18752787361

  • 面向小面积和大面积光电二极管的低躁声放大器

    光電二極管可分為兩類:具高電容 (30pF 至 3000pF)的大面積光電二極管和具相對較低電容 (10pF 或更小)的較小面積光電二極管

    标签: 光电二极管 低躁声放大器

    上传时间: 2013-11-21

    上传用户:firstbyte

  • 太阳能LED路灯控制器的设计

    文中首先介绍了太阳能LED路灯系统的组成,及各组成部分的工作原理。然后详细讨论了用STC90C52单片机实现的太阳能LED路灯控制器的设计,包括用并联式三端稳压管TL431芯片实现的蓄电池充电控制电路、用场效应管实现的负载输出控制电路、用光敏电阻实现的光控电路、用运算放大器实现的检测电路的硬件电路设计和系统软件的实现。

    标签: LED 太阳能 路灯控制器

    上传时间: 2013-11-18

    上传用户:windgate

  • 一种高电源抑制比全工艺角低温漂CMOS基准电压源

    基于SMIC0.35 μm的CMOS工艺,设计了一种高电源抑制比,同时可在全工艺角下的得到低温漂的带隙基准电路。首先采用一个具有高电源抑制比的基准电压,通过电压放大器放大得到稳定的电压,以提供给带隙核心电路作为供电电源,从而提高了电源抑制比。另外,将电路中的关键电阻设置为可调电阻,从而可以改变正温度电压的系数,以适应不同工艺下负温度系数的变化,最终得到在全工艺角下低温漂的基准电压。Cadence virtuoso仿真表明:在27 ℃下,10 Hz时电源抑制比(PSRR)-109 dB,10 kHz时(PSRR)达到-64 dB;在4 V电源电压下,在-40~80 ℃范围内的不同工艺角下,温度系数均可达到5.6×10-6 V/℃以下。

    标签: CMOS 高电源抑制 工艺 基准电压源

    上传时间: 2014-12-03

    上传用户:88mao

  • 德州仪器技术专家分享:LDO噪声详解

      随着通信信道的复杂度和可靠性不断增加,人们对于电信系统的要求和期望也不断提高。这些通信系统高度依赖于高性能、高时钟频率和数据转换器器 件,而这些器件的性能又非常依赖于系统电源轨的质量。当使用一个高噪声电源供电时,时钟或者转换器 IC 无法达到最高性能。仅仅只是少量的电源噪声,便会对性能产生极大的负面影响。本文将对一种基本 LDO 拓扑进行仔细研究,找出其主要噪声源,并给出最小化其输出噪声的一些方法。   表明电源品质的一个关键参数是其噪声输出,它常见的参考值为 RMS 噪声测量或者频谱噪声密度。为了获得最低 RMS 噪声或者最佳频谱噪声特性,线性电压稳压器(例如:低压降电压稳压器,LDO),始终比开关式稳压器有优势。这让其成为噪声敏感型应用的选择。   基本 LDO 拓扑   一个简单的线性电压稳压器包含一个基本控制环路,其负反馈与内部参考比较,以提供恒定电压—与输入电压、温度或者负载电流的变化或者扰动无关。    图 1 显示了一个 LDO 稳压器的基本结构图。红色箭头表示负反馈信号通路。输出电压 VOUT 通过反馈电阻 R1 和 R2 分压,以提供反馈电压 VFB。VFB 与误差放大器负输入端的参考电压 VREF 比较,提供栅极驱动电压 VGATE。最后,误差信号驱动输出晶体管 NFET,以对 VOUT 进行调节。    图 1 LDO 负反馈环路    简单噪声分析以图 2 作为开始。蓝色箭头表示由常见放大器差异代表的环路子集(电压跟随器或者功率缓冲器)。这种电压跟随器电路迫使 VOUT 跟随 VREF。VFB 为误差信号,其参考 VREF。在稳定状态下,VOUT 大于 VREF,其如方程式 1 所描述:

    标签: LDO 德州仪器

    上传时间: 2013-11-11

    上传用户:jiwy