华为内部模拟电子电路教程
上传时间： 2013-12-09
上传用户：ly1994
模数转换器ADC0809引脚及内部框图
上传时间： 2013-11-19
上传用户：lingfei
Butterworth函数的高阶低通滤波器的有源设计
标签： Butterworth 函数 低通滤波器 有源
上传时间： 2013-11-20
上传用户：旗鱼旗鱼
针对传统第二代电流传输器（CCII）电压跟随不理想的问题，提出了新型第二代电流传输器（CCCII）并通过采用新型第二代电流传输器（CCCII）构成二阶电流模式带通滤波器，此滤波器只需使用2个电流传输器和2个电容即可完成设计。设计结构简单，其中心频率可由电流传输器的偏置电流控制。利用HSpice软件仿真分析并验证了理论设计的准确性和可行性。
上传时间： 2013-11-15
上传用户：jqy_china
华为内部资料，希望对你们有帮助
标签： 华为
上传时间： 2013-11-05
上传用户：refent
为了解决声表面波滤波器插损太大，造成有用信号衰减严重，弥补插损又会引起底部噪声抬高的问题。该文设计了一种用LC集总元件实现的窄带带通滤波器，其特点是插入损耗小，成本低，带外衰减大，较好解决了因声表面波滤波器插损大而引起的一系列问题，不会引起通道底部噪声的抬高。仿真结果证明了该设计方案的可行性。
上传时间： 2013-11-18
上传用户：13517191407
为了克服传统功率MOS 导通电阻与击穿电压之间的矛盾,提出了一种新的理想器件结构,称为超级结器件或Cool2MOS ,CoolMOS 由一系列的P 型和N 型半导体薄层交替排列组成。在截止态时,由于p 型和n 型层中的耗尽区电场产生相互补偿效应,使p 型和n 型层的掺杂浓度可以做的很高而不会引起器件击穿电压的下降。导通时,这种高浓度的掺杂使器件的导通电阻明显降低。由于CoolMOS 的这种独特器件结构,使它的电性能优于传统功率MOS。本文对CoolMOS 导通电阻与击穿电压关系的理论计算表明,对CoolMOS 横向器件: Ron ·A = C ·V 2B ,对纵向器件: Ron ·A = C ·V B ,与纵向DMOS 导通电阻与击穿电压之间Ron ·A = C ·V 2. 5B 的关系相比,CoolMOS 的导通电阻降低了约两个数量级。
上传时间： 2013-10-21
上传用户：1427796291
低通滤波器设计
上传时间： 2013-11-20
上传用户：lyson
用MATLAB编写低通滤波器
上传时间： 2013-11-24
上传用户：lijinchuan
平行耦合微带线带通滤波器在微波电路系统中广泛应用。为了提高带通滤波器性能，缩短设计周期，采用奇偶模原理分析与ADS（Advanced Design System）仿真相结合的方法，设计出一个中心频率为2.5 GHz，相对带宽为10%的平行耦合微带线带通滤波器。进一步优化参数，得到电路版图。最终结果证明，这种方法具有设计周期短、可靠性高的特点，且各项参数满足设计要求。
上传时间： 2013-10-12
上传用户：jrsoft
