电容降压式简易电源的基本电路如图1，C1为降压电容器，D2为半波整流二极管，D1在市电的负半周时给C1提供放电回路，D3是稳压二极管，R1为关断电源后C1的电荷泄放电阻。在实际应用时常常采用的是图2的所示的电路。当需要向负载提供较大的电流时，可采用图3所示的桥式整流电路。 整流后未经稳压的直流电压一般会高于30伏，并且会随负载电流的变化发生很大的波动，这是因为此类电源内阻很大的缘故所致，故不适合大电流供电的应用场合。
上传时间： 2013-10-23
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单相桥式逆变电路为例：S1～S4是桥式电路的4个臂，由电力电子器件及辅助电路组成。S1、S4闭合，S2、S3断开时，负载电压uo为正S1；S1、S4断开，S2、S3闭合时，uo为负，把直流电变成了交流电。改变两组开关切换频率，可改变输出交流电频率。图5-1 逆变电路及其波形举例电阻负载时，负载电流io和uo的波形相同，相位也相同。阻感负载时，io滞后于uo，波形也不同（图5-1b）。t1前：S1、S4通，uo和io均为正。t1时刻断开S1、S4，合上S2、S3，uo变负，但io不能立刻反向。io从电源负极流出，经S2、负载和S3流回正极，负载电感能量向电源反馈，io逐渐减小，t2时刻降为零，之后io才反向并增大 （2）换流方式分类换流——电流从一个支路向另一个支路转移的过程，也称换相。开通：适当的门极驱动信号就可使其开通。关断：全控型器件可通过门极关断。半控型器件晶闸管，必须利用外部条件才能关断，一般在晶闸管电流过零后施加一定时间反压，才能关断。研究换流方式主要是研究如何使器件关断。本章换流及换流方式问题最为全面集中，因此在本章讲述1、器件换流利用全控型器件的自关断能力进行换流（Device Commutation）。2、电网换流由电网提供换流电压称为电网换流（Line Commutation）。可控整流电路、交流调压电路和采用相控方式的交交变频电路，不需器件具有门极可关断能力，也不需要为换流附加元件。3、负载换流由负载提供换流电压称为负载换流（Load Commutation）。负载电流相位超前于负载电压的场合，都可实现负载换流。负载为电容性负载时，负载为同步电动机时，可实现负载换流。
上传时间： 2013-10-15
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38V/100A可直接并联大功率AC/DC变换器 随着电力电子技术的发展，电源技术被广泛应用于计算机、工业仪器仪表、军事、航天等领域，涉及到国民经济各行各业。特别是近年来，随着IGBT的广泛应用，开关电源向更大功率方向发展。研制各种各样的大功率，高性能的开关电源成为趋势。某电源系统要求输入电压为AC220V，输出电压为DC38V，输出电流为100A，输出电压低纹波，功率因数>0.9，必要时多台电源可以直接并联使用，并联时的负载不均衡度<5％。 设计采用了AC/DC/AC/DC变换方案。一次整流后的直流电压，经过有源功率因数校正环节以提高系统的功率因数，再经半桥变换电路逆变后，由高频变压器隔离降压，最后整流输出直流电压。系统的主要环节有DC/DC电路、功率因数校正电路、PWM控制电路、均流电路和保护电路等。 1 有源功率因数校正环节 由于系统的功率因数要求0.9以上，采用二极管整流是不能满足要求的，所以，加入了有源功率因数校正环节。采用UC3854A/B控制芯片来组成功率因数电路。UC3854A/B是Unitrode公司一种新的高功率因数校正器集成控制电路芯片，是在UC3854基础上的改进。其特点是：采用平均电流控制，功率因数接近1，高带宽，限制电网电流失真≤3％[1]。图1是由UC3854A/B控制的有源功率因数校正电路。 该电路由两部分组成。UC3854A/B及外围元器件构成控制部分，实现对网侧输入电流和输出电压的控制。功率部分由L2，C5，V等元器件构成Boost升压电路。开关管V选择西门康公司的SKM75GB123D模块，其工作频率选在35kHz。升压电感L2为2mH/20A。C5采用四个450V/470μF的电解电容并联。因为，设计的PFC电路主要是用在大功率DC/DC电路中，所以，在负载轻的时候不进行功率因数校正，当负载较大时功率因数校正电路自动投入使用。此部分控制由图1中的比较器部分来实现。R10及R11是负载检测电阻。当负载较轻时，R10及R11上检测的信号输入给比较器，使其输出端为低电平，D2导通，给ENA(使能端)低电平使UC3854A/B封锁。在负载较大时ENA为高电平才让UC3854A/B工作。D3接到SS（软启动端），在负载轻时D3导通，使SS为低电平；当负载增大要求UC3854A/B工作时，SS端电位从零缓慢升高，控制输出脉冲占空比慢慢增大实现软启动。 2 DC/DC主电路及控制部分分析 2.1 DC/DC主电路拓扑 在大功率高频开关电源中，常用的主变换电路有推挽电路、半桥电路、全桥电路等[2]。其中推挽电路的开关器件少，输出功率大，但开关管承受电压高（为电源电压的2倍），且变压器有六个抽头，结构复杂；全桥电路开关管承受的电压不高，输出功率大，但是需要的开关器件多（4个），驱动电路复杂。半桥电路开关管承受的电压低，开关器件少，驱动简单。根据对各种拓扑方案的工程化实现难度，电气性能以及成本等指标的综合比较，本电源选用半桥式DC/DC变换器作为主电路。图2为大功率开关电源的主电路拓扑图。
上传时间： 2013-11-13
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关于参数的选择各种意见： 这是CMG大师的论述: R6的取值,R6的值不是任意取的,要考虑两个因素:1)431参考输入端的电流,一般此电流为2uA左右,为了避免此端电流影响分压比和避免噪音的影响,一般取流过电阻R6的电流为参考段电流的100倍以上,所以此电阻要小于2.5V/200uA=12.5K. 2)待机功耗的要求,如有此要求,在满足《12.5K的情况下尽量取大值.
上传时间： 2013-10-26
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LY6206系列是一款高精度,低功耗,3引脚LDO高电压调整器芯片,并采用CMOS工艺和激光微调技术. 在输出电流较大的情况下,输入输出压差也能很小。 LY6206系列芯片内部包括一个电流限制电路,一个驱动三极管,一个高精度参考电压源和一个误差校正电路,可使用低ESR陶瓷电容.电流限制器的foldback电路可为电流限制器和输出引脚提供短路保护。通过激光微调技术,可设定芯片的输出电压,其范围是1.2V至5.0V,间隔100mV,输出电压1.2V-3.6V封装SOT23-3/SOT23-5/SOT89-3
上传时间： 2013-11-15
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msp430launch pad数控稳压源方案，
上传时间： 2014-11-26
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摘要: 用磷酸氧钛钾(KTP)作为倍频晶体,对Nd∶YAG声光调Q激光的环形腔外腔倍频技术进行了实验和理论的研究,利用最大平均功率50W、声光调Q、输出频率1005Hz、灯抽运Nd∶YAG激光器做为基频光光源,在基频输入功率35W时,获得了大约为31.4%的光光转换效率的绿光输出。从实验结果分析了环形腔倍频的特性,指出了该方法的优缺点。从光束质量和聚焦光斑直径方面,对基频光和二次谐波进行了比较,提供了利用CCD测得光斑的部分图片,分析了环形腔倍频的工作原理,解决了困扰倍频技术的转换效率问题和光束质量问题。关键词: 激光技术;倍频;环形腔;转换效率;光束质量
上传时间： 2013-11-19
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基于Picmicro单片机的汽车胎压监视系统TPMS
上传时间： 2014-01-15
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PHILIPS半导体针对Atmel、Microchip、NS、ST系列单片机及时推出了51LPC系列OTP单片机。P87LPC762/764是一种80C51改进型MCU，增加了用户想要的WDT看门狗，I2C总线，二个模拟量比较器可组成8位A/D及D/A转换器，上电复位检测，欠压复位检测，保证I/O口驱动电流达到20mA，运行速度为标准80C51的二倍，而且温度范围达到了工业级标准（-40~+85）,单片机本身的可靠性即电磁兼容特性极好,同时MCS-51系列已有的特点P87LPC76x也都具备，而且，它还继承了PHILIPS半导体的低功耗特性及彻底的不可破译性，更详细的性能请用户静下心来阅读这本使用指南。
上传时间： 2013-11-13
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PHILIPS半导体针对Atmel、Microchip、NSST系列单片机及时推出了51LPC系列OTP单片机。P87LPC762/764一种80C51改进型MCU。增加了用户想要的WDT看门狗，I2C总线，二个模拟量比较器可组成8位A/D及D/A转换器，上电复位检测，欠压复位检测，保证I/O口驱动电流达到20mA，运行速度为标准80C51的二倍，而且温度范围达到了工业级标准（-40+85）,单片机本身的可靠性即电磁兼容特性极好,同时MCS-51系列已有的特点P87LPC76x也都具备，而且，它还继承了PHILIPS半导体的低功耗特性及彻底的不可破译性。更详细的性能请用户静下心来阅读这本使用指南。
上传时间： 2013-10-10
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