磁芯电感器的谐波失真分析 摘 要：简述了改进铁氧体软磁材料比损耗系数和磁滞常数ηB，从而降低总谐波失真THD的历史过程，分析了诸多因数对谐波测量的影响，提出了磁心性能的调控方向。 关键词：比损耗系数， 磁滞常数ηB ，直流偏置特性DC-Bias，总谐波失真THD Analysis on THD of the fer rite co res u se d i n i nductancShi Yan Nanjing Finemag Technology Co. Ltd., Nanjing 210033 Abstract: Histrory of decreasing THD by improving the ratio loss coefficient and hysteresis constant of soft magnetic ferrite is briefly narrated. The effect of many factors which affect the harmonic wave testing is analysed. The way of improving the performance of ferrite cores is put forward. Key words: ratio loss coefficient，hysteresis constant，DC-Bias，THD 近年来，变压器生产厂家和软磁铁氧体生产厂家，在电感器和变压器产品的总谐波失真指标控制上，进行了深入的探讨和广泛的合作，逐步弄清了一些似是而非的问题。从工艺技术上采取了不少有效措施，促进了质量问题的迅速解决。本文将就此热门话题作一些粗浅探讨。 一、 历史回顾 总谐波失真（Total harmonic distortion） ，简称THD，并不是什么新的概念，早在几十年前的载波通信技术中就已有严格要求<1>。1978年邮电部公布的标准YD/Z17－78“载波用铁氧体罐形磁心”中，规定了高μQ材料制作的无中心柱配对罐形磁心详细的测试电路和方法。如图一电路所示，利用LC组成的150KHz低通滤波器在高电平输入的情况下测量磁心产生的非线性失真。这种相对比较的实用方法，专用于无中心柱配对罐形磁心的谐波衰耗测试。 这种磁心主要用于载波电报、电话设备的遥测振荡器和线路放大器系统，其非线性失真有很严格的要求。 图中 ZD —— QF867 型阻容式载频振荡器，输出阻抗 150Ω， Ld47 —— 47KHz 低通滤波器，阻抗 150Ω，阻带衰耗大于61dB， Lg88 ——并联高低通滤波器，阻抗 150Ω，三次谐波衰耗大于61dB Ld88 ——并联高低通滤波器，阻抗 150Ω，三次谐波衰耗大于61dB FD —— 30～50KHz 放大器， 阻抗 150Ω， 增益不小于 43 dB，三次谐波衰耗b3(0)≥91 dB, DP —— Qp373 选频电平表，输入高阻抗， L ——被测无心罐形磁心及线圈， C ——聚苯乙烯薄膜电容器CMO-100V-707APF±0.5%,二只。 测量时，所配用线圈应用丝包铜电磁线SQJ9×0.12(JB661-75)在直径为16.1mm的线架上绕制 120 匝， （线架为一格） ， 其空心电感值为 318μH（误差1％） 被测磁心配对安装好后，先调节振荡器频率为 36.6～40KHz， 使输出电平值为+17.4 dB， 即选频表在 22′端子测得的主波电平 （P2）为+17.4 dB，然后在33′端子处测得输出的三次谐波电平（P3）， 则三次谐波衰耗值为：b3(+2)= P2+S+ P3 式中：S 为放大器增益dB 从以往的资料引证， 就可以发现谐波失真的测量是一项很精细的工作，其中测量系统的高、低通滤波器，信号源和放大器本身的三次谐波衰耗控制很严，阻抗必须匹配，薄膜电容器的非线性也有相应要求。滤波器的电感全由不带任何磁介质的大空心线圈绕成，以保证本身的“洁净” ，不至于造成对磁心分选的误判。 为了满足多路通信整机的小型化和稳定性要求， 必须生产低损耗高稳定磁心。上世纪 70 年代初，1409 所和四机部、邮电部各厂，从工艺上改变了推板空气窑烧结，出窑后经真空罐冷却的落后方式，改用真空炉，并控制烧结、冷却气氛。技术上采用共沉淀法攻关试制出了μQ乘积 60 万和 100 万的低损耗高稳定材料，在此基础上，还实现了高μ7000～10000材料的突破，从而大大缩短了与国外企业的技术差异。当时正处于通信技术由FDM（频率划分调制）向PCM（脉冲编码调制） 转换时期， 日本人明石雅夫发表了μQ乘积125 万为 0.8×10 ，100KHz）的超优铁氧体材料<3>，其磁滞系数降为优铁
上传时间： 2013-12-15
上传用户：天空说我在
主要是汽车方面用的低压直流电机方面的资料，希望对大家有用
上传时间： 2013-10-12
上传用户：nem567397
好
上传时间： 2013-11-02
上传用户：redherr
学工控的看看吧
上传时间： 2013-11-10
上传用户：qq521
当前晶闸管投切电容器组（TSC）无功补偿装置在实际工程应用中，采用外三角形连接方式进行频繁投切时，由于关断引起的电容残压，会导致三相晶闸管不同步导通的问题[1]，严重影响了该无功装置的补偿效果，并造成电网系统三相不平衡，给其他设备的正常工作带来了潜在威胁。针对此种情况，本文进行了原理性推导，并提出一种基于空间矢量的新型晶闸管投切控制策略，选择性控制三相晶闸管的开通和关断顺序，来达到三相同步导通的目的。最后通过实验验证该控制策略是有效可行的。
上传时间： 2013-12-13
上传用户：long14578
书主要内容包括常用低压电器、电气控制的基本环节、常用机电设备的控制、设备运行与维护、可编程控制器(PLC)概述、FX ... 本书整体构架为继电器控制、PLC控制和设备运行与维护三大模块,具有重点突出,实用性、应用性强的特点。对工厂电气控制设备的工作原理
上传时间： 2013-11-05
上传用户：waitingfy
西门子建筑电器-电气安装技术部发行的各类产品样本：小型断路器、剩余电流保护断路器和模数化产品(中/ 英文)Miniature Circuit-Breakers, Residual Current Operated Circuit-Breakers and Modular Devices (Chinese/English)低压熔断器系统(中/ 英文)Fuse System (Chinese/English)雷击，过电压－不再是问题(中文)Thunderstorms - no problem (Chinese)西门子建筑电器目录(中文)Electrical Installation Technology Catalog (Chinese)终端配电保护产品(中文)5 IN 1 (Chinese)SIKUS 和 STAB UNIVERSAL 目录(中文)SIKUS and STAB UNIVERSAL Catalogue (Chinese)SIKUS HC 目录(中文)SIKUS HC Catalogue (Chinese)SentronTM 母线槽 (中文)SentronTM Busway System (Chinese)SentronTM 母线槽系统快速选型 (准备中) (中文)SentronTM Busway System quick selection (in preparing) (Chinese)建筑低压配电一体化解决方案－住宅小区应用(中文)Building LV PD Solution (Chinese)西门子 DELTA vista“远景”系列开关和插座价目表(中文)Delta vista Switch and Socket Pricelist (Chinese)instabus EIB 面向未来的楼宇智能控制系统(中文)instabus EIB (Chinese)instabus EIB 面向未来的楼宇智能控制系统技术手册 (准备中) (中文)instabus EIB technical handbook (in preparing) (Chinese)西门子电气安装技术业绩卓越(中/ 英文)ET Reference Manual (Chinese/English)
上传时间： 2013-11-23
上传用户：瓦力瓦力hong
无论是高压系统还是低压系统，电力系统中性点采用电阻接地的方式越来越普遍。奥兰电气中性点电阻可以限制接地过电压和过电流限制在安全范围内、提高继电保护灵敏度，同时自身造价相对较低，运行持久安全，安装灵活方便。中性点接地电阻柜可将零散的单相变压器、电阻器、隔离开关、电流互感器、温控器、计数器、接地监控（记录）装置、接地故障查找装置.接地保护输出端子等电器设备整体组合在一个封闭金属柜内成套供货；配备电流互感器和动作记录仪，正常时可监视中性点不平衡电流，出现单相接地故障时，可记录动作次数，且可为保护和监控系统提供模拟量输出；装设单相隔离开关，以便在进行检修或实验时隔离电源。接地故障查找装置可以迅速查找到接地故障点以便人工排除接地故障。如果系统变压器采用三角形接线，本产品则加三相接地变压器与之配合使用，对抑制系统过电压、防止各种冲击有很好的作用
上传时间： 2013-11-05
上传用户：ainimao
电容器及介质种类： ※高频类： 此类介质材料的电容器为Ⅰ类电容器，包括通用型高频COG、COH电容器和温度补偿型高频HG、LG、PH、RH、SH、TH、UJ、SL电容器。其中COG、COH电容器电性能最稳定，几乎不随温度、电压和时间的变化而变化，适用于低损耗，稳定性要求高的高频电路，HG、LG、PH、RH、SH、TH、UJ、SL电容器容量随温度变化而相应变化，适用于低损耗、温度补偿型电路中。 ※ X7R、X5R：此类介质材料的电容器为Ⅱ类电容器，具有较高的介电常数，容量比Ⅰ类电容器高，具有较稳定的温度特性，适用于容量范围广，稳定性要求不高的电路中，如隔直、耦合、旁路、鉴频等电路中。 ※Y5V：此类介质材料的电容器为Ⅱ类电容器，是所有电容器中介电常数最大的电容器，但其容量稳定性较差，对温度、电压等条件较敏感，适用于要求大容量，温度变化不大的电路中。 ※Z5U：此类介质材料的电容器为Ⅱ类电容器，其温度特性介于X7R和Y5V之间，容量稳定性较差，对温度、电压等条件较敏感，适用于要求大容量，使用温度范围接近于室温的旁路，耦合等，低直流偏压的电路中。
上传时间： 2013-11-05
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电容分类
上传时间： 2014-01-21
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