使用Nios II紧耦合存储器教程 Chapter 1. Using Tightly Coupled Memory with the Nios II Processor Reasons for Using Tightly Coupled Memory . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1–1 Tradeoffs . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1–1 Guidelines for Using Tightly Coupled Memory . . . .. . . . . . . . 1–2 Hardware Guidelines . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1–2 Software Guidelines . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .. . . . . . . . 1–3 Locating Functions in Tightly Coupled Memory . . . . . . . . . . . . . 1–3 Tightly Coupled Memory Interface . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1–4 Restrictions . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1–4 Dual Port Memories . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .. . . . . . . 1–5 Building a Nios II System with Tightly Coupled Memory . . . . . . . . . . . 1–5
上传时间： 2013-10-13
上传用户：黄婷婷思密达
Nios II 软件开发人员手册中的缓存和紧耦合存储器部分 Nios® II embedded processor cores can contain instruction and data caches. This chapter discusses cache-related issues that you need to consider to guarantee that your program executes correctly on the Nios II processor. Fortunately, most software based on the Nios II hardware abstraction layer (HAL) works correctly without any special accommodations for caches. However, some software must manage the cache directly. For code that needs direct control over the cache, the Nios II architecture provides facilities to perform the following actions:
上传时间： 2013-10-25
上传用户：虫虫虫虫虫虫
本文基于探索正弦交流电路中电感L、电容C元件特性的目的，运用Multisim10软件对L、C元件的特性进行了仿真实验分析，给出了Multisim仿真实验方案，仿真了电感、电容元件的交流电压和电流的相位关系，正弦电压、正弦电流有效值和电抗的数值关系，虚拟仿真实验结果与理论分析计算结果相一致，结论是仿真实验可直观形象地描述元件的工作特性。将电路的硬件实验方式向多元化方式转移，利于培养知识综合、知识应用、知识迁移的能力。
上传时间： 2013-10-15
上传用户：yimoney
关于交流变频器的使用
上传时间： 2013-11-07
上传用户：1421706030
三相交流电表
上传时间： 2013-10-10
上传用户：Maple
交流电机SPWM和SVPWM实验
上传时间： 2013-12-07
上传用户：Yukiseop
微电脑型单相交流集合式电表（单相二线系统） 特点： 精确度0.25%满刻度±1位数 可同时量测与显示交流电压,電流,頻率,瓦特,(功率因數/視在功率) 交流電壓,電流,瓦特皆為真正有效值(TRMS) 交流電流,瓦特之小數點可任意設定 瓦特單位W或KW可任意設定 CT比可任意設定(1至999) 輸入與輸出絕緣耐压 2仟伏特/1分鐘( 突波測試強度4仟伏特(1.2x50us) 數位RS-485界面 (Optional) 主要规格： 精确度: 0.1% F.S.±1 digit (Frequency) 0.25% F.S.±1 digit(ACA,ACV,Watt,VA) 0.25% F.S. ±0.25o(Power Factor) (-.300~+.300) 输入负载: <0.2VA (Voltage) <0.2VA (Current) 最大过载能力: Current related input: 3 x rated continuous 10 x rated 30 sec. 25 x rated 3sec. 50 x rated 1sec. Voltage related input: maximum 2 x rated continuous 过载显示: "doFL" 显示值范围: 0~600.0V(Voltage) 0~999.9Hz(Frequency)(<20% for voltage input) 0~19999 digit adjustable(Current,Watt,VA) 取样时间: 2 cycles/sec. RS-485通讯位址: "01"-"FF" RS-485传输速度: 19200/9600/4800/2400 selective RS-485通信协议: Modbus RTU mode 温度系数: 100ppm/℃ (0-50℃) 显示幕: Red high efficiency LEDs high 10.16 mm(0.4") 参数设定方式: Touch switches 记忆型式: Non-volatile E²PROM memory 绝缘抗阻: >100Mohm with 500V DC 绝缘耐压能力: 2KVac/1 min. (input/output/power) 1600 Vdc (input/output) 突波测试: ANSI c37.90a/1974,DIN-IEC 255-4 impulse voltage 4KV(1.2x50us) 使用环境条件: 0-50℃(20 to 90% RH non-condensed) 存放环境条件: 0-70℃(20 to 90% RH non-condensed) CE认证: EN 55022:1998/A1:2000 Class A EN 61000-3-2:2000 EN 61000-3-3:1995/A1:2001 EN 55024:1998/A1:2001
上传时间： 2015-01-03
上传用户：几何公差
特点： 精确度0.25%满刻度±1位數 可量测交流瓦特/乏爾/功率因數/相角 显示范围0- ±19999可任意规划 输入与输出绝缘耐压2仟伏特/1分钟(input/output/power)) 突波测试强度4仟伏特(1.2x50us) 2组警报功能 (Optional) 15BIT类比输出功能 (Optional) 数位RS-485界面 (Optional)
上传时间： 2013-11-08
上传用户：330402686
特点： 精确度0.15%满刻度 可同时测量与显示三相交流相电压，线电压，电流 CT比与PT比可任意設定(1至9999) 手动与自动显示模式可任意规划 突波测试强度4仟伏特(1.2x50us) 3组警报控制功能 (optional) 数位RS-485界面 (Optional)
上传时间： 2013-11-12
上传用户：R50974
小封装四通道交流光耦电路应用及功能介绍
上传时间： 2015-01-03
上传用户：talenthn
