虫虫首页| 资源下载| 资源专辑| 精品软件
登录| 注册

您现在的位置是:虫虫下载站 > 资源下载 > 模拟电子 > 一种适用于射频集成电路的抗击穿LDMOS设计

一种适用于射频集成电路的抗击穿LDMOS设计

  • 资源大小:960 K
  • 上传时间: 2013-10-18
  • 上传用户:dragn
  • 资源积分:2 下载积分
  • 标      签: LDMOS 射频集成电路 击穿

资 源 简 介

提出了一种具有深阱结构的RF LDMOS,该结构改善了表面电场分布,从而提高了器件的击穿电压。通过silvaco器件模拟软件对该结构进行验证,并对器件的掺杂浓度、阱宽、阱深、栅长进行优化,结果表明,在保证LDMOS器件参数不变的条件下,采用深阱工艺可使其击穿电压提升50%以上。

相 关 资 源

您 可 能 感 兴 趣 的