美光Sensor MT9V112详细资料介绍（英文）
上传时间： 2016-01-01
上传用户：haoxiyizhong
美光CMOS摄像头驱动，MTK手机平台上用的。
上传时间： 2017-01-28
上传用户：VRMMO
美光的摄像头sensor MT9D131的原理图
上传时间： 2014-01-06
上传用户：Divine
MTK MT6225平台用的美光摄像头MT9V112驱动
上传时间： 2013-12-22
上传用户：chenjjer
美光CMOS芯片资料分享。自己研发的电路，根据自己的爱好研发出来的。
上传时间： 2013-04-24
上传用户：zhengxueliang
128Mb以上的串行闪存被认为是电子产品满足市场需求、增加更多功能的一个主要障碍，针对需要128Mb以上串行闪存的应用要求，美光科技 (Micron Technology)推出一个简单的独一无二的扩容解决方案。这个解决方案可以把存储容量轻松地扩大到4G或更大，完全兼容现有的串行外设接口(SPI)协议，无需重新设计主芯片的硬件。该解决方案优于市场上现有的要求创建一个新的32位寻址模式的解决方案，因为创建新的寻址模式可能强迫设计人员修改软硬件。
上传时间： 2013-12-20
上传用户：569342831
一． eMMC的概述eMMC (Embedded MultiMedia Card) 为MMC协会所订立的内嵌式存储器标准规格，主要是针对手机产品为主。eMMC的一个明显优势是在封装中集成了一个控制器， 它提供标准接口并管理闪存， 使得手机厂商就能专注于产品开发的其它部分，并缩短向市场推出产品的时间。这些特点对于希望通过缩小光刻尺寸和降低成本的NAND供应商来说，具有同样的重要性。二． eMMC的优点eMMC目前是最当红的移动设备本地存储解决方案，目的在于简化手机存储器的设计，由于NAND Flash 芯片的不同厂牌包括三星、KingMax、东芝(Toshiba) 或海力士(Hynix) 、美光(Micron) 等，入时，都需要根据每家公司的产品和技术特性来重新设计，过去并没有哪个技术能够通用所有厂牌的NAND Flash 芯片。而每次NAND Flash 制程技术改朝换代，包括70 纳米演进至50 纳米，再演进至40 纳米或30 纳米制程技术，手机客户也都要重新设计， 但半导体产品每1 年制程技术都会推陈出新， 存储器问题也拖累手机新机种推出的速度，因此像eMMC这种把所有存储器和管理NAND Flash 的控制芯片都包在1 颗MCP上的概念，逐渐风行起来。eMMC的设计概念，就是为了简化手机内存储器的使用，将NAND Flash 芯片和控制芯片设计成1 颗MCP芯片，手机客户只需要采购eMMC芯片，放进新手机中，不需处理其它繁复的NAND Flash 兼容性和管理问题，最大优点是缩短新产品的上市周期和研发成本，加速产品的推陈出新速度。闪存Flash 的制程和技术变化很快，特别是TLC 技术和制程下降到20nm阶段后，对Flash 的管理是个巨大挑战，使用eMMC产品，主芯片厂商和客户就无需关注Flash 内部的制成和产品变化，只要通过eMMC的标准接口来管理闪存就可以了。这样可以大大的降低产品开发的难度和加快产品上市时间。eMMC可以很好的解决对MLC 和TLC 的管理， ECC 除错机制(Error Correcting Code) 、区块管理(BlockManagement)、平均抹写储存区块技术 (Wear Leveling) 、区块管理（ Command Managemen）t，低功耗管理等。eMMC核心优点在于生产厂商可节省许多管理NAND Flash 芯片的时间，不必关心NAND Flash 芯片的制程技术演变和产品更新换代，也不必考虑到底是采用哪家的NAND Flash 闪存芯片，如此， eMMC可以加速产品上市的时间，保证产品的稳定性和一致性。
标签： emmc
上传时间： 2022-06-20
上传用户：jiabin
Atmel芯片的LINUX菜鸟调试之路目标很明确：1.先直接下载官方的.Bin文件运行，看运行效果2.自己编译官方源码，得到.bin文件运行，看运行效果是否和官方的.bin文件一致。3.可以自行修改官方源码，得到自己设计板子的.bin文件并运行成功。其中bootstrap对于VXworks同样适用如果是自己做的板子，那么就直接从本文档的第二个阶段开始看即可。首先拥有一块Atmel的开发板，开发板一般可以向厂家申请（没有开发板也行，只要你有Atmel的任意一款，自己设计的也可以，可以运行操作系统的板子，例如9260，9200，9625，9G45，9X25等等都行，方法都一样），此处使用的是AT91SAM9X5-EK，开发板的主CPU是AT91SAM9X25。板子是Atmel官方提供的。要调试板子需要一些对应的软件环境。1CPU核心板可以贴SAM9G15，SAM9G25，SAM9G35，SAM9×25，SAM9X35等几个PlIN-TO-PIN的片子，他们的管脚PCB封装兼容2频率CPU为400MHZ，总线133MHZ3晶振时钟晶振12MHZ，32.768KHZ4RAM用的是1Gbit=1204/8=128MB的（DDR2）（miro 美光1.8V的MT47H64M16HR，16位的64M*16bit/8=128MB）5NAND用的是2Gbit=2048/8=256MB的FLASH（miro美光3.3V的MT29F2G08AAD，8位的）6Dataflash SPl的Dataflash是32Mbits=32/8=4MB的7EEPROM EEPROM是512Kbits是512/8=64KB的
上传时间： 2022-07-24
上传用户：ddk
Machine Vision (美)Wesley E.Snyder著 光盘中的windows应用的视觉分析工具,和使用方法
标签： Machine windows Vision Snyder
上传时间： 2016-03-24
上传用户：FreeSky
AR0231AT7C00XUEA0-DRBR（RGB滤光）安森美半导体推出采用突破性减少LED闪烁 (LFM)技术的新的230万像素CMOS图像传感器样品AR0231AT，为汽车先进驾驶辅助系统(ADAS)应用确立了一个新基准。新器件能捕获1080p高动态范围(HDR)视频，还具备支持汽车安全完整性等级B(ASIL B)的特性。LFM技术(专利申请中)消除交通信号灯和汽车LED照明的高频LED闪烁，令交通信号阅读算法能于所有光照条件下工作。AR0231AT具有1/2.7英寸(6.82 mm)光学格式和1928(水平) x 1208(垂直)有源像素阵列。它采用最新的3.0微米背照式(BSI)像素及安森美半导体的DR-Pix™技术，提供双转换增益以在所有光照条件下提升性能。它以线性、HDR或LFM模式捕获图像，并提供模式间的帧到帧情境切换。 AR0231AT提供达4重曝光的HDR，以出色的噪声性能捕获超过120dB的动态范围。AR0231AT能同步支持多个摄相机，以易于在汽车应用中实现多个传感器节点，和通过一个简单的双线串行接口实现用户可编程性。它还有多个数据接口，包括MIPI(移动产业处理器接口)、并行和HiSPi(高速串行像素接口)。其它关键特性还包括可选自动化或用户控制的黑电平控制，支持扩频时钟输入和提供多色滤波阵列选择。封装和现状：AR0231AT采用11 mm x 10 mm iBGA-121封装，现提供工程样品。工作温度范围为-40℃至105℃(环境温度)，将完全通过AEC-Q100认证。
标签： 图像传感器
上传时间： 2022-06-26
上传用户：XuVshu
