在理论模型的基础上探讨了电子势垒的形状以及势垒形状随外加电压的变化, 并进行定量计算, 得出隧穿电压随杂质掺杂浓度的变化规律。所得结论与硅、锗p-n 结实验数据相吻合, 证明了所建立的理论模型在定量 研究p-n 结的隧道击穿中的合理性与实用性。该理论模型对研究一般材料或器件的隧道击穿具有重要的借鉴意义。
标签： p-n 隧道 击穿 模型研究
上传时间： 2013-10-31
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半导体激光器和异质结发光二极管
标签： 半导体激光器 发光二极管
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硅稳压管
标签： 硅 稳压管
上传时间： 2013-08-02
硅微机械传感器
标签： 硅微机械 传感器
台湾六相公司 导热绝缘硅胶片 pdf
标签： 六相 导热 绝缘
上传时间： 2013-06-05
专辑类----元器件样本专辑 硅稳压管-92页-1.4M.rar
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专辑类-实用电子技术专辑-385册-3.609G 台湾六相公司-导热绝缘硅胶片-pdf.zip
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专辑类-传感器专辑-87册-901M 硅微机械传感器-316页-8.4M.pdf
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