AT89C51是一种带4K字节闪烁可编程可擦除只读存储器（FPEROM—Falsh Programmable and Erasable Read Only Memory）的低电压，高性能CMOS8位微处理器，俗称单片机。该器件采用ATMEL高密度非易失存储器制造技术制造，与工业标准的MCS-51指令集和输出管脚相兼容。由于将多功能8位CPU和闪烁存储器组合在单个芯片中，ATMEL的AT89C51是一种高效微控制器，为很多嵌入式控制系统提供了一种灵活性高且价廉的方案。
标签： Programmable Erasable FPEROM Memory
上传时间： 2015-09-05
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AT89C51是一种带4K字节闪烁可编程可擦除只读存储器（FPEROM—Falsh Programmable and Erasable Read Only Memory）的低电压，高性能CMOS8位微处理器，俗称单片机。
标签： Programmable Erasable FPEROM Memory
上传时间： 2013-12-02
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用嵌入式阵列（EAB）单元设计一个8×8的只读存储器（ROM），用来实现两个四位二进制数的相乘功能
上传时间： 2015-10-24
上传用户：asdkin
AT89C51是带4K字节闪烁可编程可擦除只读存储器（EPEROM）的低电压、高性能CMOS 8位微处理器（俗称单片机）。以下为管脚说明。
上传时间： 2016-10-20
上传用户：清风冷雨
电可擦除可编程只读存储器EEPROM可分为并行和串行两大类。并行EEPROM在读写数据是通过8位数据总线传输，而串行EEPROM的数据是一位一位的传输。虽然与并行EEPROM相比，串行传输数据较慢，但它体积小、专用I/O口少、低廉、电路简单等优点，因此广泛用于智能仪器、仪表设备中。
上传时间： 2013-12-25
上传用户：Zxcvbnm
闪存芯片编程,应用于从只读存储器引导系统
上传时间： 2014-06-21
上传用户：daguda
自己编写的只读存储器ROM16*8的试试很好用的
上传时间： 2013-12-20
上传用户：xc216
AT24C256是ATMEL公司256kbit串行电可擦的可编程只读存储器，8引脚双排直插式封装，具有结构紧凑、存储容量大等特点，可以在2线总线上并接4片该IC，特别适用于具有高容量数据储存要求的数据采集系统。本文将介绍该IC的工作原理和与单片机的软硬件接口。
上传时间： 2017-07-05
上传用户：小眼睛LSL
只读存储器VHDL代码，可运行实现，已用quartusII6.0验证
上传时间： 2013-12-29
上传用户：plsee
存储器技术.doc 计算机的主存储器（Main Memory），又称为内部存储器，简称为内存。内存实质上是一组或多组具备数据输入输出和数据存储功能的集成电路。内存的主要作用是用来存放计算机系统执行时所需要的数据，存放各种输入、输出数据和中间计算结果，以及与外部存储器交换信息时作为缓冲用。由于CPU只能直接处理内存中的数据 ，所以内存是计算机系统中不可缺少的部件。内存的品质直接关系到计算机系统的速度、稳定性和兼容性。 4.1 存储器类型计算机内部存储器有两种类型，一种称为只读存储器ROM（Read Only Memiry），另一种称为随机存储器RAM（Random Access Memiry）。 4.1.1 只读存储器只读存储器ROM主要用于存放计算机固化的控制程序，如主板的BIOS程序、显卡BIOS控制程序、硬盘控制程序等。ROM的典型特点是：一旦将数据写入ROM中后，即使在断电的情况下也能够永久的保存数据。从使用上讲，一般用户能从ROM中读取数据，而不能改写其中的数据。但现在为了做一日和尚撞一天钟于软件或硬件程序升级，普通用户使用所谓的闪存（Flash Memiry）也可以有条件地改变ROM中的数据。有关只读存储器ROM的内容将在第11章中介绍，本章主要介绍随机存储器。4.1.2 随机存取存储器随机存取存储器RAM的最大特点是计算机可以随时改变RAM中的数据，并且一旦断电，TAM中数据就会立即丢失，也就是说，RAM中的数据在断电后是不能保留的。从用于制造随机存取存储器的材料上看，RAM又可分为静态随机存储器SRAM（Static RAM）和动态随机存储器DRAM（Dymamic RAM）两种。1. 动态随机存储器在DRAM中数据是以电荷的形式存储在电容上的，充电后电容上的电压被认为是逻辑上的“1”，而放电后的电容上的电压被认为是逻辑上的“0”认。为了减少存储器的引脚数，就反存储器芯片的每个基本单元按行、列矩阵形式连接起来，使每个存储单元位于行、列的交叉点。这样每个存储单元的地址做一日和尚撞一天钟可以用位数较少的行地址和列地址两个部分表示，在对每个单元进行读写操作时，就可以采用分行、列寻址方式写入或读出相应的数据，如图4－1所示。 由于电容充电后，电容会缓慢放电，电容 上的电荷会逐渐
标签： 存储器
上传时间： 2014-01-10
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