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单向导电性

  • PN结单向导电性的测试

    PN结单向导电性的测试

    标签: PN结 单向导电性 测试

    上传时间: 2014-12-05

    上传用户:超凡大师

  • 半导体基础知识的flash动画

    PN结 单向导电性 本征激发 JFET的外部特性 三极管特性曲线等

    标签: flash 半导体 动画 基础知识

    上传时间: 2013-07-30

    上传用户:liber

  • 嵌入式应用如图1所示

    嵌入式应用如图1所示,当P1.0端口输出高电平,即P1.0=1时,根据发光二极管的单向导电性可知,这时发光二极管L1熄灭;当P1.0端口输出低电平,即P1.0=0时,发光二极管L1亮;我们可以使用SETB P1.0指令使P1.0端口输出高电平,使用CLR P1.0指令使P1.0端口输出低电平。 作为单片机的指令的执行的时间是很短,数量大微秒级,因此,我们要求的闪烁时间间隔为0.2秒,相对于微秒来说,相差太大,所以我们在执行某一指令时,插入延时程序,来达到我们的要求,但这样的延时程序是如何设计呢?下面具体介绍其原理:

    标签: 嵌入式应用

    上传时间: 2016-03-21

    上传用户:jjj0202

  • 是一个汇编延时程序

    是一个汇编延时程序,适合初学者使用,当P1.0端口输出高电平,即P1.0=1时,根据发光二极管的单向导电性可知,这时发光二极管L1熄灭;当P1.0端口输出低电平,即P1.0=0时,发光二极管L1亮;我们可以使用SETB P1.0指令使P1.0端口输出高电平,使用CLR P1.0指令使P1.0端口输出低电平。

    标签: 汇编 延时程序

    上传时间: 2013-12-01

    上传用户:qw12

  • stm32光敏二极管测光照度

    光敏二极管(光敏电阻),作为光敏传感器,它对光的变化非常敏感。 光敏二极管也叫光电二极管。光敏二极管与半导体二极管在结构上是类似的,其管芯是一个具有光敏特征的 PN 结,具有单向导电性,因此工作时需加上反向电压。无光照时,有很小的饱和反向漏电流,即暗电流,此时光敏二极管截止。当受到光照时,饱和反向漏电流大大增加,形成光电流,它随入射光强度的变化而变化。

    标签: stm 32 光敏二极管 测光 照度

    上传时间: 2018-11-01

    上传用户:1432013

  • 基于Multisim的整流滤波电路仿真分析

    通常的整流滤波电路实验是通过示波器观察实验电路板上器件产生的波形来了解电路的性质。实验电路传统的设计方法是首先通过设计人员的经验根据现有通用元器件搭建出电路,再进行反复调试达到规定的指标。如果改变电路板上的器件参数,则必须重新制作电路板。这种方法效率低,费用高,周期长。随着计算机技术的发展,计算机辅助设计在电子电路领域的应用越来越广泛。Multisim10是美国NI公司推出的一款电子线路仿真软件1-2,利用Multisiml0系统工具的模拟功能对所搭建的电路环境和电路过程进行仿真,可以实现设计与实验同步进行,使整流滤波电路实验所需器件的种类和数量不受限制,无需反复制作电路板,降低了实验成本,提高了做实验的速度和效。并且通过仿真结果能够直观的观察到电路原理图、实验数据、测试参数和仿真曲线。为电子电路的学习者和设计者熟悉线路的特性和性能提供了良好的平台[5]1整流电路的仿真分析整流电路是利用二极管的单向导电性来实现的,将大小和方向都随时间变化的工频交流转换成单方向的脉动直流。

    标签: multisim 整流 滤波电路

    上传时间: 2022-06-22

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  • 整流二极管和稳压二极管的参数及选择原则

    整流二极管和稳压二极管的参数及选择原则电子爱好者经常要用二极管。二极管具有单向导电性, 主要用于整流、稳压和混频等电路中。本文介绍整流二极管和稳压二极管的参数及选择原则。(一)整流二极管的主要参数1.IF— 最大平均整流电流。指二极管长期工作时允许通过的最大正向平均电流。该电流由PN 结的结面积和散热条件决定。使用时应注意通过二极管的平均电流不能大于此值, 并要满足散热条件。例如1N4000 系列二极管的IF 为1A。2.VR — 最大反向工作电压。指二极管两端允许施加的最大反向电压。若大于此值, 则反向电流(IR)剧增,二极管的单向导电性被破坏, 从而引起反向击穿。通常取反向击穿电压(VB) 的一半作为(VR)。例如1N4001 的VR 为50V,1N4007 的VR 为1OOOV.3.IR— 反向电流。指二极管未击穿时反向电流值。温度对IR 的影响很大。例如1N4000 系列二极管在100°C 条件IR 应小于500uA; 在25°C 时IR 应小于5uA 。4.VR — 击穿电压。指二极管反向伏安特性曲线急剧弯曲点的电压值。反向为软特性时, 则指给定反向漏电流条件下的电压值。

    标签: 整流二极管 稳压二极管

    上传时间: 2022-06-26

    上传用户:xsr1983

  • 微软亚洲研究院论文:ROHC-TCP:单向操作的优化

    微软亚洲研究院论文:ROHC-TCP:单向操作的优化

    标签: ROHC-TCP 微软 论文 操作

    上传时间: 2013-12-20

    上传用户:zhyiroy

  • 这是用java实现单向加密和非对称加密DSA数字签名的源程序

    这是用java实现单向加密和非对称加密DSA数字签名的源程序

    标签: java DSA 加密 非对称

    上传时间: 2014-01-22

    上传用户:xiaodu1124

  • 实时声音单向传输实验文档

    实时声音单向传输实验文档,是SendVoice和ReceiveVoice的文档

    标签: 传输实验 文档

    上传时间: 2013-12-10

    上传用户:zhengjian