STM32F103ZET6 LQFP144 最小系统核心板ad硬件原理图+PCB文件+封装,ad 设计的工程文件，包括原理图及PCB印制板图，可以用Altium Designer(AD)软件打开或修改，可作为你产品设计的参考。
上传时间： 2022-05-12
上传用户：qingfengchizhu
无线充方案：P6808 国内首款SOC无线充方案IP6808 正式进入无线充电行业。近日我们获悉，这款芯片通过了Qi v1.2.4认证，WPC无线充电联盟官网注册时间为7月10日，登记ID为3691。它支持10W快充，是一颗兼容WPC v1.2协议的7.5W/10W无线充电发射控制器。特点 兼容WPC v1.2.4 标准 支持5~10W 多种应用 单独5W 应用 快充充电器输入5~10W 应用 5V 充电器输入5~10W 升压应用 9V~15V 充电器输入5~10W 降压应用 输入耐压高达25V 集成NMOS 全桥驱动 集成内部电压/电流解调 支持 FOD 异物检测功能 高灵敏静态异物检测 支持动态FOD 检测 FOD 参数可调 低静态功耗和高效率 静态电流4mA 实测系统充电效率高达79% 兼容NPO 电容和CBB 电容 支持成品固件在线升级 针对供电能力不足的USB 电源有动态功率调整功能（DPM） 支持低至5V 500mA 的充电器 输入过压，过流保护功能 支持PD3.0 输入请求 支持NTC 用于系统各状态指示的2 路 LED 封装 5 mm × 5 mm 0.5pitch QFN32应用产品背夹、无线充电底座 车载无线充电设备
上传时间： 2022-06-15
上传用户：bluedrops
超声波电机利用压电陶瓷的逆压电效应，将电能转变为机械振动，再通过摩擦作用将机械振动转变为电机的旋转（直线）运动，进而驱动负载。压电陶瓷作为超声波电机的振动发生器件，其性能的优劣直接影响到电机的输出性能。本文采用传统的固相反应法制备P-41和PMnS-PZN-PZT压电陶瓷，研究压电阿瓷在行被型超声波电机中的应用及压电性能对电机性能的影响.研究了P41和PMns-PZN-PZT压电陶瓷材料的结构、性能、频率温度稳定性及极化方式对压电陶瓷性能的影响。结果表明，这两种材料都具有较好的介电温度稳定性，P41具有明显的铁电体相变特点，PMns-PZN-PZT具有她豫-铁电体相变特点。采用同时同向一次极化工艺改善了二次极化工艺所遗留的各极化区域ds不均匀、分区界面应力的存在导致的性能不稳定性，同时缩短了极化时间，提高了超声波电机的输出性能.P-41陶的极化采件为3kV/mm，120 ℃极化15 min，PMnS-PZN-PZT陶瓷的极化条件为3.5 kV/mm.140℃极化15 min.研究了P-41和PMnS-PZN-PZT压电陶瓷的性能与超声波电机性能的相关性，探讨了电机的导纳、负载、启动与关断和温度特性。结果表明，电机具有较好的瞬态特性，启动时间ams，关断时间<l ms.采用P-41压电陶瓷电机的启动与关断速度比PMnS-PZIN-PZT压电陶登电机的快，与P41压电陶瓷具有非弛豫相变特点有关，说明P41压电陶瓷比较适用于需要反复开关的超声电机.同时，P41电机的Qm较小而Aar比较大（TRUM-60 1型电机），具有较好的负载驱动能力。电机的表面温度随运转时间的延长迅速升高，最终在某一温度下稳定运转，采用PMnS-PZN-PZT压电陶瓷电机的表面温度明显低于采用P41压电陶瓷的电机（TRLIM6011电机），与PMnS-PZN-PZT压电陶瓷具有非常低的介电损耗有关，因此这种材料比较适用于需要长时间运转的超声波电机。预压力对电机的性能影响很大，不同尺寸电机具有不同的驱动性能.
上传时间： 2022-06-18
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DescriptionThe IMX385LQR-C is a diagonal 8.35 mm (Type 1/2) CMOS active pixel type solid-state image sensor with a squarepixel array and 2.13 M effective pixels. This chip operates with analog 3.3 V, digital 1.2 V, and interface 1.8 V triplepower supply, and has low power consumption. High sensitivity, low dark current and no smear are achieved throughthe adoption of R, G and B primary color mosaic filters. This chip features an electronic shutter with variablecharge-integration time.(Applications: Surveillance cameras)
标签： CMOS传感器 IMX385LQR-C
上传时间： 2022-06-18
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sony CMOS传感器datasheet，IMX178LQJ-C_Data_SheetDescriptionThe IMX178LQJ-C is a diagonal 8.92 mm (Type 1/1.8) CMOS active pixel type image sensor with a square pixelarray and 6.44 M effective pixels. This chip operates with analog 2.9 V, digital 1.2 V and interface 1.8 V triple powersupply, and has low power consumption.High sensitivity, low dark current and no smear are achieved through the adoption of R, G and B primary colormosaic filters.This chip features an electronic shutter with variable charge-integration time.(Applications: Surveillance cameras, FA cameras, Industrial cameras)
标签： CMOS传感器 IMX178LQJ-C
上传时间： 2022-06-18
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1引言由于环境温度、湿度、油污等外界条件对诸如预付费水表、预付费燃气表、预付费热量表等接触式卡表的影响明显，卡座磨损、腐蚀，以及潮气、灰尘等大大缩短了对卡表的使用寿命，因此非接触卡表已成为当前发展趋势。这里给出了一种基于射频器件MFRCS22"的智能仪表设计，提高了智能仪表的使命寿命。2 MFRC522简介2.1 MFRC522的特点MFRC522采用串行通信方式与主机通信，可根据用户需求，选用SPIPC或串行UART工作模式，有利于减少连线，缩小PCB板面积，降低成本。MFRC522主要特点如下：高度集成的调制解调电路，采用少量外部器件，即可将输出驱动级接至天线；支持ISO/EC 14443 TypeA接口和MIFARE通信协议；支持多种主机接口：10 Mbitls的SPI接口；PC接口，快速模式的速率为400 Kbit/s，高速模式的速率为3400 Kbitls；串行UART，传输速率可以高达1 228.8 kbits，取 RS232 口；特有的发送器掉电机制可关团内部天线驱动器，即关闭RF场，达到低功耗；内置温度传感器，在过热时自动停止RF发射；独立的多组电源供电，避免相互干扰，优化EMC特性和信号退构性能；25 V-3.6 V的低压、低功耗，采用5 mmx5mmx0.85 mm的超小型HVQFN32封装。
上传时间： 2022-06-20
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摘要：为提高CCD摄像机的成像质量，同时使镜头结构紧凑、小型化，在大视场光学镜头的设计中，引入标准二次曲面和偶次非球面。根据初级像差理论，分析了非球面的位置、初始结构参数的求解规律。通过理论计算和ZEMAX光学设计软件的优化，给出工作波长为Q~Q7m、全视场角为80，相对孔径为1：15的镜头设计实例。该镜头由7块镜片组成，包括一个标准二次曲面和两个8次方非球面；在40p/mm空间频率处的MTF值超过Q85，全视场畸变小于3%，像质优良。关键词：CCD摄像机；大视场；光学镜头；非球面引言CCD摄像设备在图像传感领域的迅速发展，成为现代光电子学和测试技术中最为引人关注的研究热点之一。在科研领域，由于CCD具有灵敏度高、噪声低、成本低、小而轻等优点，已成为研究宏观（如天体）和微观（如生物细胞）现象不可缺少的工具。在国防军事领域，CCD成像技术在微光、夜视及遥感应用中发挥着巨大的作用。总之，在各类光电成像领域中，它已逐步取代了真空摄像管的成像系统。
上传时间： 2022-06-23
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AR0231AT7C00XUEA0-DRBR（RGB滤光）安森美半导体推出采用突破性减少LED闪烁 (LFM)技术的新的230万像素CMOS图像传感器样品AR0231AT，为汽车先进驾驶辅助系统(ADAS)应用确立了一个新基准。新器件能捕获1080p高动态范围(HDR)视频，还具备支持汽车安全完整性等级B(ASIL B)的特性。LFM技术(专利申请中)消除交通信号灯和汽车LED照明的高频LED闪烁，令交通信号阅读算法能于所有光照条件下工作。AR0231AT具有1/2.7英寸(6.82 mm)光学格式和1928(水平) x 1208(垂直)有源像素阵列。它采用最新的3.0微米背照式(BSI)像素及安森美半导体的DR-Pix™技术，提供双转换增益以在所有光照条件下提升性能。它以线性、HDR或LFM模式捕获图像，并提供模式间的帧到帧情境切换。 AR0231AT提供达4重曝光的HDR，以出色的噪声性能捕获超过120dB的动态范围。AR0231AT能同步支持多个摄相机，以易于在汽车应用中实现多个传感器节点，和通过一个简单的双线串行接口实现用户可编程性。它还有多个数据接口，包括MIPI(移动产业处理器接口)、并行和HiSPi(高速串行像素接口)。其它关键特性还包括可选自动化或用户控制的黑电平控制，支持扩频时钟输入和提供多色滤波阵列选择。封装和现状：AR0231AT采用11 mm x 10 mm iBGA-121封装，现提供工程样品。工作温度范围为-40℃至105℃(环境温度)，将完全通过AEC-Q100认证。
标签： 图像传感器
上传时间： 2022-06-27
上传用户：XuVshu
本书是一部介绍半导体集成电路和器件技术的专业书籍。其英文版在半导体领域享有很高的声誉．被列为业界最畅销的书籍之一，第五版的出版就是最好的证明。 本书的范围包括半导体工艺的每个阶段．从原材料制备到封装、测试以及传统和现代工艺。每章包含有习题和复习总结，并辅以丰富的术语表。本书主要特点是简洁明了，避开了复杂的数学理论．非常便于读者理解。本书与时俱进地加入了半导体业界的最新成果．可使读者了解工艺技术发展的最新趋势。本书可作为离等院校电子科学与技术专业和职业技术培训的教材，也可作为半导体专业人员的参考书。本版新增内容• 纳米技术• "绿色”工艺和器件• 300 mm 昆图 工艺• 新的制造技术提升• 下一代光刻技术
上传时间： 2022-07-16
上传用户：fliang
最新华为pcb技术规范行温度 110°C130°C150℃MOT（最大运行温度）到UL 746130°C150°C180°C 热阻要求定义：温度： 时间： 气候： 抗热震性 -40°C至+ 85°C老化循环： 100 200 500 1000 -40°C至+ 110°C老化循环： 100 200 500 1000 -40°C至+ 125°C老化循环： 100 200 500 1000老化循环： 特别： 低/高温时间：2小时/ 2小热稳定性， 即焊料电阻（即无铅焊料）波峰焊接<250°C<260°C<270°C<280°C 回流焊接周期：2<250°C<260°C<270°C<280°C 气相焊接<250°C<260°C<270°C最大<280°C 产品应用中的温度温度： 时间： 气候： 机械要求■机械稳定性达到：+ 85°C+ 110°C+ 130°C+ 150°C ■扭曲 <0.5％<0,75％<1,0％■x/y轴的CTE单位[ppm / K] <18 <14 <10 ■z轴的CTE（低于Tg）单位[ppm / K]<70 <50 <30 ■z轴的CTE（高于Tg）单位[ppm / K]<300 <260 <230 ■铜附着力单位[N /mm²]<0,80,8到1,6> 1,6 ■重量单位[kg /dm²]：nd
标签： pcb规范
上传时间： 2022-07-22
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