The PW2309 uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON), low gate chargeand operation with gate voltages as low as 4.5V. This device is suitable for use as a Battery protectionor in other Switching application
标签： pw2309
上传时间： 2022-02-11
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The PW2308 uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON), low gate chargeand operation with gate voltages as low as 4.5V. This device is suitable for use as a Battery protectionor in other Switching application
标签： pw2308
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The PW2307 uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON), low gate charge andoperation with gate voltages as low as 4.5V. This device is suitable for use as a Battery protection orin other Switching application
标签： pw2307
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The PW2305 uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON), low gate charge and operation with gate voltages as low as 4.5V. This device is suitable for use as a Battery protection or in other Switching application
标签： pw2305
上传时间： 2022-02-11
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The PW2302A uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON), low gate charge andoperation with gate voltages as low as 2.5V. This device is suitable for use as a Battery protection orin other Switching application
标签： pw2302a
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The PW2300S3 uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON), low gate charge andoperation with gate voltages as low as 2.5V. This device is suitable for use as a Battery protection orin other Switching application
标签： pw2300s3
上传时间： 2022-02-11
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The PW2202 is silicon N-channel Enhanced VDMOSFETs, is obtained by the self-aligned planarTechnology which reduce the conduction loss, improve switching performance and enhance theavalanche energy. The transistor can be used in various power switching circuit for system
标签： pw2202
上传时间： 2022-02-11
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The PW8205A6S uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON), low gate chargeand operation with gate voltages as low as 2.5V. This device is suitable for use as a Battery protectionor in other Switching application.
标签： 8205a6
上传时间： 2022-02-14
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LT3095MPUDD双通道低噪声偏置发生器的典型应用电路凌力尔特公司 (Linear Technology Corporation) 推出双通道 IC LT3095，该器件从单一输入提供两路非常低噪声、低纹波的偏置电源。每个通道都纳入了单片升压型 DC/DC 转换器，一个集成的超低噪声和高 PSRR (电源抑制比) 线性稳压器对该转换器进行了后置稳压。LT3095 在输出电压高达 20V 时提供高达 50mA 的连续输出电流，总纹波和噪声 <100µVP-P。该器件在 3V 至 20V 输入电压范围内工作，从而可与多种电源兼容。 LT3095 的固定频率、峰值电流模式升压型 DC/DC 转换器包括一个集成的 950mA 电源开关、肖特基二极管和内部频率补偿。开关频率在 450kHz 至 2MHz 内可通过单个电阻器编程，或可同步至一个外部时钟，因此允许使用纤巧的外部组件。结合紧凑的 3mm x 5mm QFN 封装，LT3095 可提供简单、占板面积紧凑、高效率的解决方案，适用于仪表放大器、RF 和数据转换系统、以及其他低噪声偏置应用。 LT3095 的线性稳压器运用凌力尔特专有的电流源基准架构，从而提供了很多优势，例如能够用单个电阻器设定输出电压，带宽、噪声、PSRR 和负载调节性能基本上不受输出电压影响。集成输出噪声 (在 10Hz 至 100kHz 带宽) 仅为 4µVRMS，而且在整个开关频率范围内 PSRR 超过70dB，从而使总的噪声和纹波 <100µVP-P。线性稳压器调节升压型转换器的输出电压，使其比线性稳压器输出电压高 2V，从而优化了功耗、瞬态响应和 PSRR 性能。为了提高系统可靠性，LT3095 提供短路和热保护，还为每个通道提供独立和精确的使能 / UVLO 门限。微功率工作时，两个 EN 引脚均被拉低。
标签： 噪声偏置发生器
上传时间： 2022-02-15
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基于LabVIEW2012FPGA模式的数据采集和存储系统摘 要：为了提高数据采集系统精度，减少开发成本，提高开发效率，基于LabVIEW虚拟仪器开发工具研究并设计了一 种数据采集系统。该系统采用FPGA编程模式和网络流技术实现大批量数据实时传输，并对数据进行分析处理和存储。系 统硬件采用美国NI实时控制器CRIO⁃9025，实现16路数据可靠采集与存储。实验仿真及实际运行结果表明该数据采集系 统能够精确地对数据进行实时采集以及分析处理，达到了项目要求。 关键词：FPGA；FIFO；网络流；数据采集系统；SQL数据库 中图分类号：TN98⁃34 文献标识码：A 文章编号：1004⁃373X（2014）14⁃0142⁃04 Data acquisition and storage system based on LabVIEW 2012FPGA pattern WANG Shu⁃dong1,2 ，WEI Kong⁃zhen1 ，LI Xiao⁃pei1 （1. College of Electrical and Information Engineering，Lanzhou University of Technology，Lanzhou 730050，China； 2. Gansu Key Laboratory for Advanced Industrial Process Control，Lanzhou 730050，China）
上传时间： 2022-02-18
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