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scr-MOS-GTR-IGBT

  • 基于N沟道MOS管H桥驱动电路设计与制作

    基于N沟道MOS管H桥驱动电路设计与制作

    标签: MOS N沟道 H桥驱动 电路设计

    上传时间: 2014-08-01

    上传用户:1109003457

  • MOS管驱动电路总结

    下面是我对MOSFET及MOSFET驱动电路基础的一点总结,其中参考了一些资料,非全部原创。包括MOS管的介绍,特性,驱动以及应用电路。

    标签: MOS 驱动电路

    上传时间: 2013-11-18

    上传用户:文993

  • IGBT保护电路

    IGBT保护电路

    标签: IGBT 保护电路

    上传时间: 2014-12-23

    上传用户:lhw888

  • MOS管驱动基础和时间功耗计算

    MOS关模型 Cgs:由源极和沟道区域重叠的电极形成的,其电容值是由实际区域的大小和在不同工作条件下保持恒定。Cgd:是两个不同作用的结果。第一JFET区域和门电极的重叠,第二是耗尽区电容(非线性)。等效的Cgd电容是一个Vds电压的函数。Cds:也是非线性的电容,它是体二极管的结电容,也是和电压相关的。这些电容都是由Spec上面的Crss,Ciss和Coss决定的。由于Cgd同时在输入和输出,因此等效值由于Vds电压要比原来大很多,这个称为米勒效应。由于SPEC上面的值按照特定的条件下测试得到的,我们在实际应用的时候需要修改Cgd的值。

    标签: MOS 驱动 功耗计算

    上传时间: 2013-12-09

    上传用户:qlpqlq

  • IGBT模块的研制

    IGBT模块的研制 (从芯片解剖到参数测试)

    标签: IGBT 模块

    上传时间: 2013-10-20

    上传用户:edward_0608

  • N沟道MOS管和P沟道MOS管

    通俗易懂的介绍MOS管和使用方法

    标签: MOS N沟道

    上传时间: 2014-08-23

    上传用户:woshinimiaoye

  • 开关电源,电机驱动用MOS管:2SK2843

    开关电源,电机驱动用MOS管:2SK2843

    标签: 2843 MOS 2SK SK

    上传时间: 2013-10-27

    上传用户:wsf950131

  • IGBT模块驱动及保护技术

    IGBT模块驱动及保护技术

    标签: IGBT 模块 保护技术 驱动

    上传时间: 2013-10-19

    上传用户:forzalife

  • IGBT的特性及注意事项

    IGBT的作用

    标签: IGBT 注意事项

    上传时间: 2014-12-24

    上传用户:peterli123456

  • N+缓冲层对PT-IGBT通态压降影响的研究

     N+缓冲层设计对PT-IGBT器件特性的影响至关重要。文中利用Silvaco软件对PT-IGBT的I-V特性进行仿真。提取相同电流密度下,不同N+缓冲层掺杂浓度PT-IGBT的通态压降,得到了通态压降随N+缓冲层掺杂浓度变化的曲线,该仿真结果与理论分析一致。对于PT-IGBT结构,N+缓冲层浓度及厚度存在最优值,只要合理的选取可以有效地降低通态压降。

    标签: PT-IGBT 缓冲层

    上传时间: 2013-11-12

    上传用户:thesk123