IP6505 是一款集成同步开关的降压转换器、支持11种输出快充协议，为车载充电器、快充适配器、智能排插提供完整的解决方案。 IP6505 内置功率MOS，输入电压范围是4.5V到32V，输出电压范围是3V 到12V，最大能提供 24W 的输出功率，能够根据识别到的快充协议自动 调整输出电压和电流，典型输出电压和电流有： 4V@ 3.6A，5V@3.4A，7V@3A，9V@2.5A， 12V@2A。IP6505 的降压转换效率高至 97%。 联系人：唐云先生（销售工程） 手机：13530452646(微信同号) 座机：0755-33653783 （直线） Q Q: 2944353362
标签： IP6505 DCDC集成快充芯片
上传时间： 2019-03-18
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8310是一款内部集成了上、下MOS管的同步整流降压型高效率开关变换器，上、下管的规格分别为36V 耐压/360 mΩ内阻，36V耐压/170mΩ内阻。该变换器可以在4.5V~36V的宽输入电压范围内输出1.5A连续电流。内部采用了逐周期的峰值电流控制模式，使得芯片能够实现快速动态响应的要求。同时8310集成了线补，内部补偿电路，可设置的输出电流限流电路。CC/CV控制电路，保证了输出在恒压和恒流控制之间进行平滑的切换。外置可编程软起动时间电路可以很好的限制芯片启动时的输入启动冲击电流。 联系人：唐云先生（销售工程） 手机：13530452646(微信同号) 座机：0755-33653783 （直线） Q Q: 2944353362
上传时间： 2019-03-18
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SP1596是一款ESOP8封装DC-DC升压控制器，内建10A低内阻MOSFET，保证了转换器的高效率。 联系人：唐云先生（销售工程） 手机：13530452646(微信同号) 座机：0755-33653783 （直线） Q Q: 2944353362
标签： SP1223F 5V3.4A降压芯片
上传时间： 2019-03-25
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AEC-Q100 qualified • 12 V and 24 V battery systems compliance • 3.3 V and 5 V logic compatible I/O • 8-channel configurable MOSFET pre-driver – High-side (N-channel and P-channel MOS) – Low-side (N-channel MOS) – H-bridge (up to 2 H-bridge) – Peak & Hold (2 loads) • Operating battery supply voltage 3.8 V to 36 V • Operating VDD supply voltage 4.5 V to 5.5 V • All device pins, except the ground pins, withstand at least 40 V • Programmable gate charge/discharge currents for improving EMI behavior
标签： configurable Automotive pre-driver suitable channel systems MOSFET fully High side
上传时间： 2019-03-27
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SVPWM 宽度调制是一种模拟控制方式，其根据相应载荷的变化来调制晶体管基极或MOS管栅极的偏置，来实现晶体管或MOS管导通时间的改变，从而实现开关稳压电源输出的改变
标签： svpwm
上传时间： 2019-07-09
上传用户：sjjy0220
该参考设计使用隔离的IGBT栅极驱动器和隔离的电流/电压传感器实现了增强的隔离式三相逆变器子系统。所使用的UCC23513栅极驱动器具有6引脚宽体封装，带有光学LED模拟输入，因此可以用作现有光电隔离栅极驱动器的引脚到引脚替换。该设计表明，可以使用用于驱动光隔离栅极驱动器的所有现有配置来驱动UCC23513输入级。使用AMC1300B隔离放大器和直流母线电压进行基于同相分流电阻器的电机电流检测，使用AMC1311隔离放大器进行IGBT模块温度检测。该设计使用C2000™LaunchPad™进行逆变器控制。 特征 三相逆变器功率级，适用于200-480 VAC供电的驱动器，额定输出电流高达14 Arms 具有光电模拟输入和6引脚宽体封装的增强型隔离式栅极驱动器，可用作光电隔离式栅极驱动器的引脚到引脚替换 栅极驱动器具有高达125°C的宽工作环境温度，低参数变化，高CMTI和1500 Vdc的额定工作隔离电压，从而提高了系统的鲁棒性 基于增强的隔离式同相分流电阻器的所有三相电流检测高达25 Apk，过流保护响应<5μs 使用集成放大器的IGBT模块内部集成的NTC，增强型隔离式DC链路电压感应高达800 V，温度感应高达120°C 使用C2000 LaunchPad进行逆变器控制
上传时间： 2020-09-15
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本书介绍了功率半导体器件的原理、 结构、 特性和可靠性技术， 器件部分涵盖了当前电力电子技术中使用的各种类型功率半导体器件， 包括二极管、 晶闸管、 MOSFET、 IGBT和功率集成器件等。 此外， 还包含了制造工艺、 测试技术和损坏机理分析。 就其内容的全面性和结构的完整性来说， 在同类专业书籍中是不多见的。本书内容新颖， 紧跟时代发展， 除了介绍经典的功率二极管、 晶闸管外， 还重点介绍了MOSFET、 IGBT 等现代功率器件， 颇为难得的是收入了近年来有关功率半导体器件的最新的成果。 本书是一本精心编著， 并根据作者多年教学经验和工程实践不断补充更新的好书， 相信它的翻译出版， 必将有助于我国电力电子事业的发展。本书的读者对象包括在校学生、 功率器件设计制造和电力电子应用领域的工程技术人员及其他相关专业人员。 本书适合高等院校有关专业用作教材或专业参考书， 亦可被电力电子学界和广大的功率器件和装置生产企业的工程技术人员作为参考书之用。
标签： 功率半导体器件
上传时间： 2021-11-07
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ROHM最近推出了SiCMOSFET的新系列产品“SCT3xxxxR系列”。SCT3xxxxR系列采用最新的沟槽栅极结构，进一步降低了导通电阻；同时通过采用单独设置栅极驱动器用源极引脚的4引脚封装，改善了开关特性，使开关损耗可以降低35%左右。此次，针对SiCMOSFET采用4引脚封装的原因及其效果等议题，我们采访了ROHM株式会社的应用工程师。关于SiCMOSFET的SCT3xxxxR系列，除了导通电阻很低，还通过采用4引脚封装使开关损耗降低了35%，对此我们非常感兴趣。此次，想请您以4引脚封装为重点介绍一下该产品。首先，请您大致讲一下4引脚封装具体是怎样的封装，采用这种封装的背景和目的是什么。首先，采用4引脚封装是为了改善SiCMOSFET的开关损耗。包括SiCMOSFET在内的电源开关用MOSFET和IGBT，被作为开关元件广泛应用于各种电源应用和电源线路中。必须尽可能地降低这种开关元件产生的开关损耗和传导损耗，但不同的应用，其降低损耗的方法也不尽相同。作为其中的一种手法，近年来发布了一种4引脚的新型封装，即在MOSFET的源极、漏极、栅极三个引脚之外，另外设置了驱动器源极引脚。此次的SCT3xxxxR系列，旨在通过采用最新的沟槽栅极结构，实现更低的导通电阻和传导损耗；通过采用4引脚封装，进一步发挥出SiC本身具有的高速开关性能，并降低开关损耗。那么，我想详细了解一下刚刚您的概述中出现的几个要点。首先，什么是“驱动器源极引脚”？驱动器源极引脚是应用了开尔文连接原理的源极引脚。开尔文连接是通过电阻测量中的4个引脚或四线检测方式，在电流路径基础上加上两条测量电压的线路，以极力消除微小电阻测量或大电流条件下测量时不可忽略的线缆电阻和接触电阻的影响的方法，是一种广为人知的方法。这种4引脚封装仅限源极，通过使连接栅极驱动电路返回线的源极电压引脚与流过大电流的电源源极引脚独立，来消除ID对栅极驱动电路的影响。
上传时间： 2021-11-07
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74HC595 A4950 MAX3232 ULN2003AD STM32F207VCT6 AD集成封装库，原理图库器件型号列表：Library Component Count : 53Name Description----------------------------------------------------------------------------------------------------1N4148 High Conductance Fast Diode1N4448 High Conductance Fast Diode1N914 High Conductance Fast Diode1N914A High Conductance Fast Diode1N914B High Conductance Fast Diode1N916 High Conductance Fast Diode1N916A High Conductance Fast Diode1N916B High Conductance Fast Diode2N3904 NPN General Purpose Amplifier74ALS86 74HC595 8M贴片晶振 A4950 直流电机驱动AO4805CAP CapacitorCAP SMD CapacitorCON2 ConnectorCON2*10 ConnectorCON2*12P ConnectorCON2*7 ConnectorCON2*9 ConnectorCON3 ConnectorCON4 ConnectorCON5 ConnectorCON7 ConnectorCap Pol 极性电解电容DIODE DiodeFUSE1 FuseFUSE2 FuseINDUCTOR2 IRF7351PbF N-MOSJS1-12V-FLED MAX487 MAX809RD R0.125 Less than 1/4 Watt Power Resistor.RES2 RGRPI*4 Res1 ResistorSGM8955XN5G/TR 测量放大器SM712 SN74LV4052AD SP3232ESST25VF016B-50-4I-S2AFI2C Real-Time Clock.STM32F107VTC6 STM32F107VTC6SW DIP-4 编码开关SW-PB SwitchTPS54302 45UA静态电流 3ATVS SMBJ30CAULN2003 XC6214XTAL Crystal OscillatorPCB封装库列表：Component Count : 40Component Name-----------------------------------------------4G模块-外置7D181K0603-LED0603C0603R0805C12061210181232255569-2*1P直针5569-2*2P直针AT-26CAP-D8DO-214AANHSOP-8J-SPDT-5JTAGL
上传时间： 2021-11-15
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，从耐压、电流能力看，可控硅目前仍然是最高的，在某些特定场合，仍然要使用大电流、高耐压的可控硅。但一般的工业自动化场合，功率电子器件已越来越多地使用MOSFET和IGBT，特别是IGBT获得了更多的使用，开始全面取代可控硅来做为新型的功率控制器件
标签： 开关电源
上传时间： 2021-11-24
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