mos管STP75NF75 H桥驱动仿真电路(Multisim10格式)
标签： mos管 stp75nf75 multisim
上传时间： 2022-07-11
上传用户：zhaiyawei
14级电磁炮电路图计算公式 一节mos管放电即可，主是距离和光电开关之间距离的参数
标签： 电磁炮 电路图 mos管
上传时间： 2022-07-17
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文件是基于Multisim的mos管H桥驱动仿真，电路原理图由LM317恒流源电路、两个IR2011PBF半桥驱动电路、mos管组成的全桥电路，可用于设计恒流电路和H桥驱动电路。
标签： multisim H桥 mos管
上传时间： 2022-07-19
上传用户：1208020161
ST mos管选型表内含产品型号规格目录、PN构成表、封装清单和ST公司联系购买二维码
标签： mosfet
上传时间： 2022-07-28
mos管的资料
标签： MOS 场效应管 参数 型号
上传时间： 2013-11-19
上传用户：xieguodong1234
MOS关模型 Cgs：由源极和沟道区域重叠的电极形成的，其电容值是由实际区域的大小和在不同工作条件下保持恒定。Cgd：是两个不同作用的结果。第一JFET区域和门电极的重叠，第二是耗尽区电容（非线性）。等效的Cgd电容是一个Vds电压的函数。Cds：也是非线性的电容，它是体二极管的结电容，也是和电压相关的。这些电容都是由Spec上面的Crss，Ciss和Coss决定的。由于Cgd同时在输入和输出，因此等效值由于Vds电压要比原来大很多，这个称为米勒效应。由于SPEC上面的值按照特定的条件下测试得到的，我们在实际应用的时候需要修改Cgd的值。
标签： MOS 驱动 功耗计算
上传时间： 2013-12-09
上传用户：qlpqlq
高端悬浮自举电源设计，耐压可达100V内建死区控制电路自带闭锁功能，彻底杜绝上、下管输出同时导通采用半桥达林顿管输出结构具有1A 大电流栅极驱动能力 专用于无刷电机N 沟道MOS 管、IGBT 管栅极驱动HIN 输入通道高电平有效，控制高端HO 输出LIN 输入通道低电平有效，控制低端LO 输出外围器件少静态电流小：4.5mA 封装形式：SOP-8
标签： mos
上传时间： 2022-01-02
以IRS2902S作D类功放驱动，以场效应管做功率放大，那么，栅极所串的二极管有什么作用？如果是为场效应管的栅极放电，但二极管D3，D4的正向电阻远远大于它们所并联的4.7R电阻,有大侠解惑。
标签： irs2902 驱动 mos管
上传时间： 2022-02-19
文档包含了解功率mos规格参数及特性介绍，有助于提升对mos的参数和特性的认知。
标签： mos管
上传时间： 2022-03-17
上传用户：20125101110
很不错的MOS选型注意事项，选型相关参数介绍，自己有标注亮点和重点，对于初级工程师来说有可以对mos管选型有更深入的理解，希望大家多多支持，还会继续更新中。
标签： 硬件 模电 元器件
上传时间： 2022-04-01
上传用户：xsr1983
