电子元器件抗ESD技术讲义:引 言 4 第1 章 电子元器件抗ESD损伤的基础知识 5 1.1 静电和静电放电的定义和特点 5 1.2 对静电认识的发展历史 6 1.3 静电的产生 6 1.3.1 摩擦产生静电 7 1.3.2 感应产生静电 8 1.3.3 静电荷 8 1.3.4 静电势 8 1.3.5 影响静电产生和大小的因素 9 1.4 静电的来源 10 1.4.1 人体静电 10 1.4.2 仪器和设备的静电 11 1.4.3 器件本身的静电 11 1.4.4 其它静电来源 12 1.5 静电放电的三种模式 12 1.5.1 带电人体的放电模式(HBM) 12 1.5.2 带电机器的放电模式（mm） 13 1.5.3 充电器件的放电模型 13 1.6 静电放电失效 15 1.6.1 失效模式 15 1.6.2 失效机理 15 第2章 制造过程的防静电损伤技术 2.1 静电防护的作用和意义 2.1.1 多数电子元器件是静电敏感器件 2.1.2 静电对电子行业造成的损失很大 2.1.3 国内外企业的状况 2.2 静电对电子产品的损害 2.2.1 静电损害的形式 2.2.2 静电损害的特点 2.2.3 可能产生静电损害的制造过程 2.3 静电防护的目的和总的原则 2.3.1 目的和原则 2.3.2 基本思路和技术途径 2.4 静电防护材料 2.4.1 与静电防护材料有关的基本概念 2.4.2 静电防护材料的主要参数 2.5 静电防护器材 2.5.1 防静电材料的制品 2.5.2 静电消除器（消电器、电中和器或离子平衡器） 2.6 静电防护的具体措施 2.6.1 建立静电安全工作区 2.6.2 包装、运送和存储工程的防静电措施 2.6.3 静电检测 2.6.4 静电防护的管理工作 第3章 抗静电检测及分析技术 3.1 抗静电检测的作用和意义 3.2 静电放电的标准波形 3.3 抗ESD检测标准 3.3.1 电子元器件静电放电灵敏度（ESDS）检测及分类的常用标准 3.3.2 标准试验方法的主要内容（以MIL-STD-883E 方法3015.7为例） 3.4 实际ESD检测的结果统计及分析 3.4.1 试验条件 3.4.2 ESD评价试验结果分析 3.5 关于ESD检测中经常遇到的一些问题 3.6 ESD损伤的失效定位分析技术 3.6.1 端口I－V特性检测 3.6.2 光学显微观察 3.6.3 扫描电镜分析 3.6.4 液晶分析 3.6.5 光辐射显微分析技术 3.6.6 分层剥离技术 3.6.7 小结 3.7 ESD和EOS的判别方法讨论 3.7.1 概念 3.7.2 ESD和EOS对器件损伤的分析判别方法 第4 章 电子元器件抗ESD设计技术 4.1 元器件抗ESD设计基础 4.1.1抗ESD过电流热失效设计基础 4.1.2抗场感应ESD失效设计基础 4.2元器件基本抗ESD保护电路 4.2.1基本抗静电保护电路 4.2.2对抗静电保护电路的基本要求 4.2.3 混合电路抗静电保护电路的考虑 4.2.4防静电保护元器件 4.3 CMOS电路ESD失效模式和机理 4.4 CMOS电路ESD可靠性设计策略 4.4.1 设计保护电路转移ESD大电流。 4.4.2 使输入/输出晶体管自身的ESD阈值达到最大。 4.5 CMOS电路基本ESD保护电路的设计 4.5.1 基本ESD保护电路单元 4.5.2 CMOS电路基本ESD保护电路 4.5.3 ESD设计的辅助工具－TLP测试 4.5.4 CMOS电路ESD保护设计方法 4.5.5 CMOS电路ESD保护电路示例 4.6 工艺控制和管理
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PCB板的线宽、覆铜厚度与通过的电流对应的关系 宽度（mm） 电流（A） 宽度（mm） 电流（A） 宽度（mm） 电流（A）0.15 0.2 0.15 0.5 0.15
上传时间： 2013-06-28
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·详细说明：H264完整的C语言代码和DCT的代码以及一个可修改的Test框架 文件列表: mm ..\dct ..\...\dct-old.i ..\...\dct1c.i ..\...\dct1c.sim ..\...\dct2d-old.i ..\...\dct8c.i .
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在画PCB板时通常以mil为单位，而实际的硬件测量中通常以毫秒为单位，二者的尺寸需要单位换算。
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CAM350软件的学习笔记目录1. CAM3501. 一. Gerber知识2. 二.CAM3503. 三.CAM350操作4. 附录Gerber知识l Gerber 文件的格式包括：¡ RS-274-X （常用）¡ RS-274-D （常用）¡ RS-274¡ Fire 9000¡ Mda 9000¡ Barco DPFl 标准的gerber file 格式可分为RS-274 与RS-274X 两种，其不同在于：¡ RS-274 格式的gerber file 与aperture 是分开的不同文件。¡ RS-274X 格式的aperture 是整合在gerber file 中的，因此不需要aperture文件(即，内含D 码)。PCB生成Gerber最好就是选用RS-274x格式，既标准，又兼容性高。l 数据格式：整数位+小数位 。常用：¡ 3：3（公制，整数3 位，小数3 位）¡ 2：4（英制，整数2 位，小数4 位）¡ 2：3（英制，整数2 位，小数3 位）¡ 3：3（英制，整数3 位，小数3 位）l 前导零、后导零和不导零：¡ 例：025690 前导零后变为：25690 (Leading)¡ 025690 后导零后变为：02569 (Trailing)¡ 025690 不导零后变为：025690 (None)l 单位：¡ METRIC（mm）¡ ENGLISH（inch or mil）l 单位换算：¡ 1 inch ＝ 1000 mil ＝ 2.54 cm ＝ 25.4 mm¡ 1 mm ＝ 0.03937 inch ＝ 39.37 mill GERBER 格式的数据特点：
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ADIS16334是一款薄型、完全校准的MEMS惯性测量单元(IMU)。图1为该封装的顶视图，其中包括四个安装孔，配备嵌入式安装架，有助于控制附加硬件的整体高度。安装孔为M2 × 0.4 mm或2至56个机械螺丝提供了足够的间隙。
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本应用笔记描述如何利用AD7142和电容传感器环，实现类似于传统35 mm单反(SLR)相机的单一位置数码相机快门按钮。除了更容易控制快门按钮的启动之外，其它优势包括：预对焦速度更快、快门按钮更便宜。
上传时间： 2013-10-26
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为了提高数字集成电路芯片的驱动能力，采用优化比例因子的等比缓冲器链方法，通过Hspice软件仿真和版图设计测试，提出了一种基于CSMC 2P2M 0.6 μm CMOS工艺的输出缓冲电路设计方案。本文完成了系统的电原理图设计和版图设计，整体电路采用Hspice和CSMC 2P2M 的0.6 μm CMOS工艺的工艺库（06mixddct02v24）仿真，基于CSMC 2P2M 0.6 μm CMOS工艺完成版图设计，并在一款多功能数字芯片上使用，版图面积为1 mm×1 mm，并参与MPW（多项目晶圆）计划流片，流片测试结果表明，在输出负载很大时，本设计能提供足够的驱动电流，同时延迟时间短、并占用版图面积小。
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文中介绍了一款超高频窄带低噪声放大器电路，该电路结构小巧（20 mm ×13 mm ，厚度为0.6 mm），功能可靠、稳定。放大器芯片采用3SK318YB，该芯片具有高增益、低噪声等特点。电路主要用于超高频段微波通信，电路拓扑结构采用反馈型、稳定衰减器法和低端增益衰减法进行设计。生产成品并经测试，该产品性价比高，完全达到了设计要求
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PCB拼板规范及标准的主要内容有： 1、PCB拼板宽度≤260mm（SIEMENS线）或≤300mm（FUJI线）；如果需要自动点胶，PCB拼板宽度×长度≤125 mm×180 mm
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