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  • 基于LMS算法与RLS算法的自适应滤波

    自适应信号处理的理论和技术已经成为人们常用滤波和去噪技术。文中讲述了自适应滤波的原理以及LMS算法和RLS算法两种基本自适应算法的原理及步骤。并用MATLAB分别对两种算法进行了自适应滤波仿真和实现。

    标签: LMS RLS 算法 自适应滤波

    上传时间: 2013-11-26

    上传用户:1051290259

  • HHT方法在探地雷达回波信号特征提取上的应用

    探地雷达回波信号是一种非平稳非线性信号,其中不仅包含地下埋藏物的目标信号,还包含有可能掩藏目标信号的直达波信号,给目标的识别带来困难。文中采用HHT方法对探地雷达回波信号进行特征分析,提取回波信号的IMF分量的瞬时频率作为特征向量。实验结果表明,用HHT方法提取特征可较好的避免直达波影响,该方法是可行而有效的,为进一步鉴别地下埋藏物提供了新的思想和方法。

    标签: HHT 探地雷达 回波信号 特征提取

    上传时间: 2013-10-22

    上传用户:hjkhjk

  • FPU加法器的设计与实现

    浮点运算器的核心运算部件是浮点加法器,它是实现浮点指令各种运算的基础,其设计优化对于提高浮点运算的速度和精度相当关键。文章从浮点加法器算法和电路实现的角度给出设计方法,通过VHDL语言在QuartusII中进行设计和验证,此加法器通过状态机控制运算,有效地降低了功耗,提高了速度,改善了性能。

    标签: FPU 加法器

    上传时间: 2014-01-19

    上传用户:xauthu

  • 电磁导波激励脉冲群最佳重复频率确定

    电磁导波检测技术因其非接触耦合的特性已被广泛应用于各种金属管道无损检测领域中,但导波的激励脉冲群重复频率的确定长久以来却没有一个有效的解决方法。为此,本文提出了以有、无缺陷的重复脉冲群检测信号的相关性作为判别标准,选取电磁导波激励脉冲群最佳重复频率,并从检测信号特征提取和识别的角度验证了本文选取的激励脉冲群最佳重复频率可有效提高导波检测信号之间的区分度,减小检测信号间的干扰,提高缺陷识别的准确性。

    标签: 电磁导波 激励 脉冲群 重复

    上传时间: 2013-11-04

    上传用户:ywcftc277

  • 为什么我的CMOS逻辑电路烧起来了

    Abstract: What can be simpler than designing with CMOS and BiCMOS? These technologies are very easy to use butthey still require careful design. This tutorial discusses the odd case of circuits that seem to work but exhibit somepeculiar behaviors—including burning the designer's fingers!

    标签: CMOS 逻辑电路

    上传时间: 2013-11-03

    上传用户:dick_sh

  • 什么时候校准是重要的

    Abstract: Perfection is relative and application specific. The perfect race car is not the car we use to commute to work. We need products for everyday use that are high quality, affordable, and solidly reliable. There will be times when we must use components that are not perfect, and this is when calibration becomes important. Calibration techniques reduce tolerances in imperfect manufacturing equipment while maintaining affordability.

    标签: 校准

    上传时间: 2013-10-09

    上传用户:哈哈hah

  • MAX17600数据资料

     The MAX17600–MAX17605 devices are high-speedMOSFET drivers capable of sinking /sourcing 4A peakcurrents. The devices have various inverting and noninvertingpart options that provide greater flexibility incontrolling the MOSFET. The devices have internal logiccircuitry that prevents shoot-through during output-statchanges. The logic inputs are protected against voltagespikes up to +14V, regardless of VDD voltage. Propagationdelay time is minimized and matched between the dualchannels. The devices have very fast switching time,combined with short propagation delays (12ns typ),making them ideal for high-frequency circuits. Thedevices operate from a +4V to +14V single powersupply and typically consume 1mA of supply current.The MAX17600/MAX17601 have standard TTLinput logic levels, while the MAX17603 /MAX17604/MAX17605 have CMOS-like high-noise margin (HNM)input logic levels. The MAX17600/MAX17603 are dualinverting input drivers, the MAX17601/MAX17604 aredual noninverting input drivers, and the MAX17602 /MAX17605 devices have one noninverting and oneinverting input. These devices are provided with enablepins (ENA, ENB) for better control of driver operation.

    标签: 17600 MAX 数据资料

    上传时间: 2013-12-20

    上传用户:zhangxin

  • MAX4968,MAX4968A数据手册

    The MAX4968/MAX4968A are 16-channel, high-linearity,high-voltage, bidirectional SPST analog switches with18I (typ) on-resistance. The devices are ideal for use inapplications requiring high-voltage switching controlledby a low-voltage control signal, such as ultrasound imagingand printers. The MAX4968A provides integrated40kI (typ) bleed resistors on each switch terminal todischarge capacitive loads. Using HVCMOS technology,these switches combine high-voltage bilateral MOSswitches and low-power CMOS logic to provide efficientcontrol of high-voltage analog signals.

    标签: 4968 MAX 数据手册

    上传时间: 2013-10-09

    上传用户:yepeng139

  • 一种X波段频率合成器的设计方案

      在非相参雷达测试系统中,频率合成技术是其中的关键技术.针对雷达测试系统的要求,介绍了一种用DDS激励PLL的X波段频率合成器的设计方案。文中给出了主要的硬件选择及具体电路设计,通过对该频率合成器的相位噪声和捕获时间的分析,及对样机性能的测试,结果表明该X波段频率合成器带宽为800 MHz、输出相位噪声优于-80 dBc/Hz@10 kHz、频率分辨率达0.1 MHz, 可满足雷达测试系统系统的要求。测试表明,该频率合成器能产生低相噪、高分辨率、高稳定度的X波段信号,具有较好的工程应用价值。

    标签: X波段 频率合成器 设计方案

    上传时间: 2013-10-21

    上传用户:pkkkkp

  • CoolMOS导通电阻分析及与VDMOS的比较

    为了克服传统功率MOS 导通电阻与击穿电压之间的矛盾,提出了一种新的理想器件结构,称为超级结器件或Cool2MOS ,CoolMOS 由一系列的P 型和N 型半导体薄层交替排列组成。在截止态时,由于p 型和n 型层中的耗尽区电场产生相互补偿效应,使p 型和n 型层的掺杂浓度可以做的很高而不会引起器件击穿电压的下降。导通时,这种高浓度的掺杂使器件的导通电阻明显降低。由于CoolMOS 的这种独特器件结构,使它的电性能优于传统功率MOS。本文对CoolMOS 导通电阻与击穿电压关系的理论计算表明,对CoolMOS 横向器件: Ron ·A = C ·V 2B ,对纵向器件: Ron ·A = C ·V B ,与纵向DMOS 导通电阻与击穿电压之间Ron ·A = C ·V 2. 5B 的关系相比,CoolMOS 的导通电阻降低了约两个数量级。

    标签: CoolMOS VDMOS 导通电阻

    上传时间: 2013-10-21

    上传用户:1427796291