jfet

TL062/TL064 MOTOROLA开发的low power jfet input operational amplifiers

TL062/TL064 MOTOROLA开发的low power jfet input operational amplifiers

标签： operational amplifiers MOTOROLA input

上传时间： 2016-10-24

上传用户：hwl453472107
半导体基础知识的flash动画

PN结单向导电性本征激发 jfet的外部特性三极管特性曲线等

标签： flash 半导体动画基础知识

上传时间： 2013-07-30

上传用户：liber
使用LTC运算放大器宏模型

This application note is an overview discussion of theLinear Technology SPICE macromodel library. It assumeslittle if any prior knowledge of this software library or itshistory. However, it does assume familiarity with both theanalog simulation program SPICE (or one of its manyderivatives), and modern day op amps, including bipolar,jfet, and MOSFET amplifier technologies

标签： LTC 运算放大器模型

上传时间： 2013-11-14

上传用户：zhanditian
MOS管驱动基础和时间功耗计算

MOS关模型 Cgs：由源极和沟道区域重叠的电极形成的，其电容值是由实际区域的大小和在不同工作条件下保持恒定。Cgd：是两个不同作用的结果。第一jfet区域和门电极的重叠，第二是耗尽区电容（非线性）。等效的Cgd电容是一个Vds电压的函数。Cds：也是非线性的电容，它是体二极管的结电容，也是和电压相关的。这些电容都是由Spec上面的Crss，Ciss和Coss决定的。由于Cgd同时在输入和输出，因此等效值由于Vds电压要比原来大很多，这个称为米勒效应。由于SPEC上面的值按照特定的条件下测试得到的，我们在实际应用的时候需要修改Cgd的值。

标签： MOS 驱动功耗计算

上传时间： 2013-12-09

上传用户：qlpqlq
碳化硅电源

功率密度很高的，50KW--5000v-700v碳化硅jfet开关电源

标签： 碳化硅电源

上传时间： 2015-03-11

上传用户：shaobinw