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igbt驱动电路

IGBT(InsulatedGateBipolarTransistor),绝缘栅双极型晶体管,是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件,兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。
  • 三相IGBT全桥隔离驱动电源设计

    三相IGBT全桥隔离驱动电源设计                

    标签: igbt 隔离 电源

    上传时间: 2022-04-04

    上传用户:bluedrops

  • IGBT单相电压型全桥无源逆变电路设计

    IGBT单相电压型全桥无源逆变电路设计                   

    标签: igbt

    上传时间: 2022-04-04

    上传用户:1208020161

  • 电源供电以及电机驱动原理与电路分析

    电源供电以及电机驱动原理与电路分析

    标签: 电源 电机驱动

    上传时间: 2022-04-15

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  • 单相全控桥式整流电路的设计

    1.1 什么是整流电路整流电路(rectifying circuit)把交流电能转换为直流电能的电路。大多数整流电路由变压器、整流主电路和滤波器等组成。它在直流电动机的调速、发电机的励磁调节、电解、电镀等领域得到广泛应用。整流电路通常由主电路、滤波器和变压器组成,20世纪70年代以后,主电路多用硅整流二极管和晶闸管组成。滤波器接在主电路与负载之间,用于滤除脉动直流电压中的交流成分。变压器设置与否视具体情况而定。变压器的作用是实现交流输入电压与直流输出电压间的匹配以及交流电网与整流电路之间的电隔离。可以从各种角度对整流电路进行分类,主要的分类方法有:按组成的期间可分为不可控,半控,全控三种;按电路的结构可分为桥式电路和零式电路:按交流输入相数分为单相电路和多相电路;按变压器二次侧电流的方向是单向还是双向,又可分为单拍电路和双拍电路1.2整流电路的发展与应用电力电子器件的发展对电力电子的发展起着决定性的作用,因此不管是整流器还是电力电子技术的发展都是以电力电子器件的发展为纲的,1947年美国贝尔实验室发明了晶体管,引发了电子技术的一次革命:1957年美国通用公司研制了第一个品闸管,标志着电力电子技术的诞生:70年代后期,以门极可关断晶闸管(GTO)、电力双极型晶体管(BJT)和电力场效应晶体管(power-MOSFET)为代表的全控型器件迅速发展,把电力电子技术推上一个全新的阶段:80年代后期,以绝缘极双极型品体管(IGBT)为代表的复合型器件异军突起,成为了现代电力电子技术的主导器件。另外,采用全控型器件的电路的主要控制方式为PWM脉宽调制式,后来,又把驱动,控制,保护电路和功率器件集成在一起,构成功率集成电路(PIC),随着全控型电力电子器件的发展,电力电电路的工作频率也不断提高。同时。电力电子器件的开关损耗也随之增大,为了减小开关损耗,软开关技术便应运而生,零电压开关(ZVS)和零电流开关(ZCS)把电力电子技术和整流电路的发展推向了新的高潮。

    标签: 整流电路

    上传时间: 2022-06-18

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  • 基于IGBT的750kVA三相二极管箝位型三电平通用变流模块设计

    IGBT关断电压尖峰是其中的主要问题,解决它的最有效方法是采用叠层母线连接器件。针对二极管籍位型三电平拓扑两个基本强追换流回路,本文用ANSOFT Q3D软件比较研究了三类适用于多层母线排的叠层方案,并提出了一种新颖的叠层母线分组连接结构,结合特殊设计的吸收电容布局,减小了各IGBT模块的关断过冲,省去阻容吸收电路,并优化了高频电流在不同电容间的分布,抑制电解电容发热。通过理论计算与仿真两种方式计算该设计方案的杂散电感,并用实验加以证实。本文还设计了大面积一体化水冷散热器,表面可以贴装15个功率器件和若干传感器和平衡电阻,采用水冷方式以迅速带走满载运行时开关器件的损耗发热,并能达到结构紧凑和防爆的效果。在散热器内部设计了细槽水道结构以避开100多个定位螺孔,同时可以获得更大的热交换面积。本文分析了SCALE驱动芯片的两类器件级短路保护原理,并设计了针对两类保护动作的阈值测试实验,以确保每个器件在安全范围内工作;设计了系统控制和三类系统级保护电路:驱动板和控制板的布局布线经过合理安排能在较强的电磁干扰下正常工作。论文最后,在电抗器、电阻器、异步感应电机等不同类型、各功率等级负载下,对变流模块进行了测试,并解决了直流中点电压平衡问题。各实验证实了设计理论并体现了良好的应用效果。

    标签: igbt 二极管

    上传时间: 2022-06-22

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  • IGBT在不间断电源(UPS)中的应用

    在UPS中使用的功率器件有双极型功率品体管、功率 MOSFET、可控硅和IGBT IGBT既有功率MOSFET 易于驱动,控制简单、开关频率高的优点,又有功率品体管的导通电压低,通态电流大的优点、使用 IGBT成为UPS功率设计的首选,只有对 IGBT的特性充分了解和对电路进行可靠性设计,才能发挥 IGBT的优点。本文介绍UPS中的IGBT的应用情况和使用中的注意事项。2.IGBT在UPS中的应用情况绝缘栅双极型晶体管(IGBT)是一种MOSFET 与双极晶体管复合的器件。据东芝公司资料,1200V/100A 的IGBT的导通电阻是同一耐压规格的功率 MOSFET 的1/10,而开关时间是同规格 GTR的1/10。由于这些优点,IGBT广泛应用于不间断电源系统(UPS)的设计中。这种使用 IGBT的在线式UPS具有效率高,抗冲击能力强、可靠性高的显著优点。UPS主要有后备式、在线互动式和在线式三种结构。在线式 UPS以其可靠性高,输出电压稳定,无中断时间等显著优点,广泛用于通信系统、税务、金融、证券、电力、铁路、民航、政府机关的机房中。本文以在线式为介绍对象,UPS中的1GBT的应用。

    标签: igbt 不间断电源 ups

    上传时间: 2022-06-22

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  • 电磁炉IGBT管击穿原因

    电磁炉烧坏IGBT 功率管的八种因素在电磁炉维修中,功率管的损坏占有相当大的比例,若在没有查明故障原因的情况下贸然更换功率管会引起再次烧毁。一:谐振电容和滤波电容损坏0.3uF/1200V 谐振电容、5uF/400V 滤波电容损坏或容量不足若0.3uF/1200V 谐振电容、5uF/400V 滤波电容容量变小、失效或特性不良,将导致电磁炉LC 振荡电路频率偏高,从而引起功率管IGBT管损坏,经查其他电路无异常时,我们必须将0.3uF 和5uF 电容一起更换。二:IGBT 管激励电路异常振荡电路输出的脉冲信号不能直接控制IGBT 管饱和、导通与截至,必须通过激励电路将脉冲信号放大来完成。如果激励电路出现故障,高电压就会加到IGBT 管的G 极,导致IGBT 管瞬间击穿损坏。常见为驱动管S8050、S8550损坏。三:同步电路异常同步电路在电磁炉中的主要是保证加到IGBT G 极上的开关脉冲前沿与IGBT 管上VCE 脉冲后沿同步。当同步电路工作异常时, 导致IGBT管瞬间击穿损坏。

    标签: 电磁炉 igbt

    上传时间: 2022-06-22

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  • 0.96寸OLED驱动资料包:使用手册、电路连接说明和注意事项、代码

    该资料中包含了0.96寸OLED使用手册和电路连接说明和注意事项,以及基于51单片机,stm32f103系列驱动OLED的代码。

    标签: oled

    上传时间: 2022-06-29

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  • L298N电机驱动模块电路原理图

    L298N电机驱动模块电路原理图

    标签: l298n 电机驱动

    上传时间: 2022-07-04

    上传用户:zhaiyawei

  • Protues-中AT89C51驱动6个数码管电路

    文档为Protues-中AT89C51驱动6个数码管电路讲解文档,是一份不错的参考资料,感兴趣的可以下载看看,,,,,,,,,,,,,,

    标签: protues

    上传时间: 2022-07-04

    上传用户:aben