高性能 CPU ——CIP51♦ 高速流水线结构 CPU (25−100 MIPS)♦ 完全兼容 8051 源码和机器码级♦ 大多数指令执行时间为 1−2 时钟周期 (标准8051为12−24)♦ 可在系统编程FLASH (2 KB —128 KB)♦ 指令高速缓存 (对于50−100 MIPS 产品)♦ 大容量内部SRAM 256B —8KB+256B♦ 扩展中断系统(最多可达22个中断源, 可软件模拟中断)♦ 多复位源 双向复位♦ 多时钟 内部时钟频率可编程 多种外部时钟方式♦ JTAG接口 在系统仿真 边界扫描 在系统编程
上传时间： 2013-11-14
上传用户：langliuer
dsPIC30F产品手册 High Performance Digital Signal Controllers This section of the manual contains the following topics:1.1 Introduction 1.2 Manual Objective 1.3 Device Structure1.4 Development Support 1.5 Style and Symbol Conventions 1.6 Related Documents 1.7 Revision History
上传时间： 2013-12-26
上传用户：xzt
嵌入式CAN转UART模块 CSM100系列产品手册 CSM100系列UART转CAN 模块是集成微处理器、CAN-bus控制器、CAN-bus收发器、DC-DC转换、高速光电隔离于一体的嵌入式CAN转UART模块。
上传时间： 2014-01-03
上传用户：caixiaoxu26
TMS570LS系列产品简介 TMS570LS系列是业界首款基于ARM® Cortex-R4F处理器的浮点、锁步双内核车载微处理器。该款微处理器基于两个Cortex-R4F处理器，专门针对要求满足国际电工委员会(IEC) 61508 SIL3或ISO26262ASIL D安全标准的应用而精心设计，使车载系统设计人员可根据性能要求实现单双高精度浮点数学算法、加速的乘法、除法以及平方根功能。
上传时间： 2013-11-09
上传用户：金宜
80C51系列开发平台产品选型指南 DP-51PRO单片机综合仿真实验仪是一款功能强大的综合性单片机实际学习、调试、开发工具，为广大初学者和工程师学习和提高技术水平提供了一条捷径。
上传时间： 2013-10-20
上传用户：JasonC
NEC 32位MCU V850系列产品介绍 32位MCU 的特点32位MCU 的分类32位MCU 内核介绍32位MCU 外设简介32位MCU 低功耗的设计32位MCU Website
上传时间： 2013-11-01
上传用户：小鹏
NEC 32位MCU V850系列产品简介及应用 最高可达到：200Mhz工作频率432MIPS与8/16位MCU相比,NEC 32位MCU在相同频率下,可以提供至少快10 倍的指令执行速度 对于完成相同的应用,使用32位MCU可以比8/16位MCU的速度慢2/3或1/2,降低系统功耗 V850,V850ES,V850E1,V850E2 CPU的目标代码向前兼容
上传时间： 2013-11-19
上传用户：gxm2052
电子产品开发的过程正发生着根本性的变化。此变化极有可能与二十多年前低成本微处理器出现后所带来的变化同样显著。既可以将整个系统 — 硬件和软件嵌入到低成本、高容量的可编程器件（FPGA）,这就带来了一种对设计过程非常不同的看法。把握这个变化创造的机遇，解决变化带来的问题是我们必须面对的挑战。
标签： 电子产品
上传时间： 2014-01-26
上传用户：icarus
新版交通灯模组范例代码、电路原理图、PCB图、使用说明书和产品说明书（快速上手）。
上传时间： 2013-10-20
上传用户：edward_0608
80C51单片机由于功能全面、开发工具较为完善、衍生产品丰富、大量的设计资源可以继承和共享，得到广泛的应用。我们设计的一款手持线PDA产品，也选择80C51单片机作为主、辅CPU，还具备点阵液晶显示屏、导电橡胶键盘、双IC卡接口、EEPROM存储器、实时时钟和串行通信口。由于使用80C51单片机开发，高级语言编程，大大降低了设计的技术风险，产品在较短的时间内就推向了市场。但是，同一些低速的微控制器（如4位单片机）和高速的RISC处理器相比，80C51单片机在功耗上没有优势。为了在PDA类产品中发挥80C51单片机的上述特长，我们通过采取软、硬件配合的一系列措施，加强低电压、低功耗设计，取得了良好的效果。该机使用一颗3V钮扣式锂电池，开机时工作电池小于4mA，瞬间最大工作电流小于20mA,瞬间最大工作电流小于20mA，关机电流小于2μA。一颗电池可以使用较长的时间，达到满意的设计指标。一、低电压低功耗设计理论在一个器件中，功耗通常用电流消耗来表示。下式表明消耗的电池与器件特性之间的关系：Icc = C ∫ Vda ≈ ΔV · C · f （1）式中：Icc是器件消耗的电流；Δ是电压变化的幅值；C是器件电容和输出容性负载的大小；f是器件运行频率。从公式（1）可以得到降低系统功耗的理论依据。将器件供电电压从5V降低3V，可以至少降低40%的功耗。降低器件的工作频率，也能成比例地降低功耗。
上传时间： 2013-10-13
上传用户：shaojie2080
