保定奥兰电气生产的AL系列三相组合式过电压保护器是一种高性能过电压吸收装置，适用于35KV及以下电力系统中，是限制雷电过电压和操作过电压的一种先进的保护电器。主要用于保护发电机、变压器、开关、母线、电动机、并联补偿电容器组等电气设备的绝缘免受过电压的损害。对于相间和相地过电压都能起到有效的保护作用。
上传时间： 2014-01-13
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AL-XHBZ系列智能型消弧接地补偿装置 保定市奥兰电气设备有限公司针对电力系统中性点经消弧线圈接地方式，开发出AL- XHBZ智能型消弧限压接地补偿装置，主要用于６kＶ、１０kＶ、３５kＶ电网中，中性点经消弧线圈接地方式；自动跟踪补偿电网电容电流，使之保持于设定参数范围内，消除电网系统内部过电压及谐振过电压，电网发生接地故障时自动报警，具有远动输出口，以便与上位机通讯。本装置的特点是响应速度快、精度高、解决死机等优点，是广大中压配电网络优选的接地电器设备。 三、装置特点 1、多路径实时采样输入信号 2、实时测量的高度准确性 3、实时跟踪的高可靠性。 4、实时补偿的宽范围、高精度。 5、实时跟踪的高速度 6、抗干扰能力强 7、装置功能齐全，运行方式灵活。 8、阻尼电阻。 9、装置实验检测手段完备。 10、整套装置中使用的主要设备均为本公司生产。 11、微机控制器的特点
上传时间： 2013-11-05
上传用户：黄蛋的蛋黄
AL-DR系列低压电阻成套装置 奥兰电气专注于电力中性点保护装置、过电压保护装置及继电保护装置的研发，于90年代引进、消化国外先进技术，采用进口特种不锈钢合金电阻，研发生产了系列中性点接地电阻成套装置，是国内首批研发、生产电力系统中性点电阻装置的厂家。装置在热力和电气性能上，完全能满足电力中性点对设备的要求，具有耐受温度高、电阻率高、电阻温度系数小，同时又具有抗拉强度高。韧性好等优良的机械性能。AL-DR低压接地电阻柜主要用于低压柴油发电机组0.22KV、火力发电厂0.38KV、煤炭生产企业0.66KV、启动及制动和功率等电阻设备。 1、产品采用优质不锈钢镍铬合金（Cr20Ni80）电阻，导电率高，温度系数α为8.5×10 -5 ℃(20-1100℃)，温度系数最小。电阻可耐1500℃防燃防爆，可靠性高，耐腐蚀，阻值稳定； 2、本产品也可以使用于各种低压配电系统中，在低压线路中，如无中性点加接地变压器可与之配合使用；对抑止系统过电压、防止各种冲击有很好的作用； 3、电阻柜阻值可从1欧姆到2000欧姆，电流从0.5安培到1000安培设计； 4、电阻柜用于户内或户外，柜体采用不锈钢板或冷轧钢板喷塑制成； 5、产品可以加装接地记录及温湿度控制装置，记录设备运行的状态。 6、根据用户要求加装测控保护装置，
上传时间： 2013-11-16
上传用户：xc216
AL-TBP系列组合式过电压保护器 随着真空开关的广泛使用，开断能力引发的各类操作过电压，对电力设备的保护提出了新的课题．由于中压电网（3～66kV）的一些特殊性,常规避雷器对各类操作过电压不敏感,起不到保护作用.组合式过电压保护器是解决这一难题而研制的新产品。该类产品采用四星型接法,设置公共中性点,不但可以大大降低相间过电压,而且相对地保护水平也有质的提高,起到了对真空开关操作过电压的有效限制。本公司产品为复合绝缘式,结构小巧紧凑、整体全封闭成型；选用优质金属氧化物阀片，工作特性高、安全方便；特别适合与KYN、XGN、GBC、JYN、GZS等不同型号的中压成套开关柜配合使用，或直接安装在小型箱式变电站内。 本产品使用于交流中压3～66kV电力系统，用于防止主要由真空开关产生的操作过电压对电力设备的损害，同时兼有防雷功能。 我公司产品技术标准，主要参考GB11032-2000《交流无间隙金属氧化物避雷器》、JB/T9672-2005《有串联间隙金属氧化物避雷器》、DL/T620-1997《交流电气装置的过电压保护和绝缘配置》、JB/T10496-2005《三相组合式无间隙金属氧化物避雷器》等上述标准生产过电压保护器产品，并在西安国家检测中心已通过了全部实验。
上传时间： 2013-11-19
上传用户：88mao
AL-XHZ系列消弧消谐及过电压保护装置 我公司研制出了XHZ消弧线圈及过电压保护装置，能将中性点非有效接地系统的相间、相地过电压限制在电网安全范围内，彻底解决了各种过电压对电网的威胁，提高了电网安全供电的可靠性。 1、装置动作速度快，能快速消除间歇性弧光及稳定性弧光接地故障，抑制孤光接地过电压，防止事故进一步扩大，降低线路的事故跳闸率。 2、能将系统的大气过电压和操作过电压限制到较低的电压水平，保证了电网及设备的绝缘安全。 3、能够快速、有效地消除系统的谐振过电压，防止长时间谐振过电压对系统绝缘破坏，防止谐振过电压对电网中装设的避雷器及小感性负载的损伤。 4、装置动作后，允许200A的电容电流连续通过至少2小时以上，用户可以完成转移负荷的倒闸操作之后再处理故障线路。 5、能够准确查找单相接地故障线路，对防止事故的进一步扩大，减轻运行和维护人员的工作量有重要的意义。 6、由于其限制过电压的机理与电网电流的大小无关，因而其保护性能不受电网运行方式的改变和电网扩大的影响。 7、本装置中的电压互感器可以向计量仪表和继电保护装置提供系统的电压信号，能够替代常规的PT柜。 8、能够测量系统的单相接地电容电流。 9、结构简单，体积小，安装、调试方便，适用范围广。 10、性价比，相对于消弧线圈系统而言，性价比较高。 11、选线功能，无论系统发生的是何种类型的接地故障，均能够对接地线路进行准确地选择。
上传时间： 2013-11-22
上传用户：cazjing
采用射频等离子体增强化学气相沉积(RF2PECVD)技术制备非晶硅(a2Si)NIP 太阳能电池,其中电池的窗口层采用P 型晶化硅薄膜,电池结构为Al/ glass/ SnO2 / N(a2Si :H) / I(a2Si :H) / P(cryst2Si : H) / ITO/ Al。为了使P 型晶化硅薄膜能够在a2Si 表面成功生长,电池制备过程中采用了H 等离子体处理a2Si 表面的方法。通过调节电池P 层和N 层厚度和H 等离子体处理a2Si 表面的时间,优化了太阳能电池的制备工艺。结果表明,使用H 等离子体处理a2Si 表面5 min ,可以在a2Si 表面获得高电导率的P 型晶化硅薄膜,并且这种结构可以应用到电池上;当P 型晶化硅层沉积时间12. 5 min ,N 层沉积12 min ,此种结构电池特性最好,效率达6. 40 %。通过调整P 型晶化硅薄膜的结构特征,将能进一步改善电池的性能。
上传时间： 2013-11-21
上传用户：wanqunsheng
当今电子系统如高端处理器及记忆体，对电源的需求是趋向更低电压、更高电流的应用。同时、对负载的反应速度也要提高。因此功率系统工程师要面对的挑战，是要设计出符合系统要求的细小、价廉但高效率的电源系统。而这些要求都不是传统功率架构能够完全满足的。Vicor提出的分比功率架构(Factorized Power Architecture FPA)以及一系列的整合功率元件，可提供革命性的功率转换方案，应付以上提及的各项挑战。这些功率元件称为V•I晶片。
上传时间： 2013-11-15
上传用户：yan2267246
自己在学校的时候做的一些单片机仿真实例和一些资料，希望对大家有些帮助
上传时间： 2013-11-08
上传用户：oojj
TLC2543是TI公司的12位串行模数转换器，使用开关电容逐次逼近技术完成A/D转换过程。由于是串行输入结构，能够节省51系列单片机I/O资源；且价格适中，分辨率较高，因此在仪器仪表中有较为广泛的应用。 TLC2543的特点 （1）12位分辩率A/D转换器； （2）在工作温度范围内10μs转换时间； （3）11个模拟输入通道； （4）3路内置自测试方式； （5）采样率为66kbps； （6）线性误差±1LSBmax； （7）有转换结束输出EOC； （8）具有单、双极性输出； （9）可编程的MSB或LSB前导； （10）可编程输出数据长度。 TLC2543的引脚排列及说明 TLC2543有两种封装形式：DB、DW或N封装以及FN封装，这两种封装的引脚排列如图1，引脚说明见表1 TLC2543电路图和程序欣赏 #include<reg52.h> #include<intrins.h> #define uchar unsigned char #define uint unsigned int sbit clock=P1^0; sbit d_in=P1^1; sbit d_out=P1^2; sbit _cs=P1^3; uchar a1,b1,c1,d1; float sum,sum1; double sum_final1; double sum_final; uchar duan[]={0x3f,0x06,0x5b,0x4f,0x66,0x6d,0x7d,0x07,0x7f,0x6f}; uchar wei[]={0xf7,0xfb,0xfd,0xfe}; void delay(unsigned char b) //50us { unsigned char a; for(;b>0;b--) for(a=22;a>0;a--); } void display(uchar a,uchar b,uchar c,uchar d) { P0=duan[a]|0x80; P2=wei[0]; delay(5); P2=0xff; P0=duan[b]; P2=wei[1]; delay(5); P2=0xff; P0=duan[c]; P2=wei[2]; delay(5); P2=0xff; P0=duan[d]; P2=wei[3]; delay(5); P2=0xff; } uint read(uchar port) { uchar i,al=0,ah=0; unsigned long ad; clock=0; _cs=0; port<<=4; for(i=0;i<4;i++) { d_in=port&0x80; clock=1; clock=0; port<<=1; } d_in=0; for(i=0;i<8;i++) { clock=1; clock=0; } _cs=1; delay(5); _cs=0; for(i=0;i<4;i++) { clock=1; ah<<=1; if(d_out)ah|=0x01; clock=0; } for(i=0;i<8;i++) { clock=1; al<<=1; if(d_out) al|=0x01; clock=0; } _cs=1; ad=(uint)ah; ad<<=8; ad|=al; return(ad); } void main() { uchar j; sum=0;sum1=0; sum_final=0; sum_final1=0; while(1) { for(j=0;j<128;j++) { sum1+=read(1); display(a1,b1,c1,d1); } sum=sum1/128; sum1=0; sum_final1=(sum/4095)*5; sum_final=sum_final1*1000; a1=(int)sum_final/1000; b1=(int)sum_final%1000/100; c1=(int)sum_final%1000%100/10; d1=(int)sum_final%10; display(a1,b1,c1,d1); } }
上传时间： 2013-11-19
上传用户：shen1230
常用主板I/O芯片简介
上传时间： 2013-11-10
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