Abstract: Alexander Graham Bell patented twisted pair wires in 1881. We still use them today because they work so well. In addition we have the advantage ofincredible computer power within our world. Circuit simulators and filter design programs are available for little or no cost. We combine the twisted pair and lowpassfilters to produce spectacular rejection of radio frequency interference (RFI) and electromagnetic interference (EMI). We also illustrate use of a precision resistorarray to produce a customizable differential amplifier. The precision resistors set the gain and common mode rejection ratios, while we choose the frequencyresponse.
上传时间： 2014-11-26
上传用户：Vici
本应用笔记介绍如何运用本文所述电路来避免添加额外的求和放大器，以及IOUT架构如何支持交流和直流两种输入，从而使该电路非常适合数据采集和仪器仪表应用。
上传时间： 2013-11-21
上传用户：czl10052678
Recently a new technology for high voltage Power MOSFETshas been introduced – the CoolMOS™ . Based on thenew device concept of charge compensation the RDS(on) areaproduct for e.g. 600V transistors has been reduced by afactor of 5. The devices show no bipolar current contributionlike the well known tail current observed during the turn-offphase of IGBTs. CoolMOS™ virtually combines the lowswitching losses of a MOSFET with the on-state losses of anIGBT.
标签： COOLMOS
上传时间： 2013-11-14
上传用户：zhyiroy
A MEMS microphone IC is unique among Analog Devices, Inc., products in that its input is an acoustic pressure wave. For this reason, some specifications included in the data sheets for these parts may not be familiar, or familiar specifications may be applied in unfamiliar ways. This application note explains the specifica-tions and terms found in MEMS microphone data sheets so that the microphone can be appropriately designed into a system.
上传时间： 2013-10-31
上传用户：masochism
对于常规VDMOS器件结构， Rdson与BV存在矛盾关系，要想提高BV，都是从减小EPI参杂浓度着手，但是外延层又是正向电流流通的通道，EPI参杂浓度减小了，电阻必然变大，Rdson增大。所以对于普通VDMOS，两者矛盾不可调和。 但是对于COOLMOS，这个矛盾就不那么明显了。通过设置一个深入EPI的的P区，大大提高了BV，同时对Rdson上不产生影响。为什么有了这个深入衬底的P区，就能大大提高耐压呢？ 对于常规VDMOS，反向耐压，主要靠的是N型EPI与body区界面的PN结，对于一个PN结，耐压时主要靠的是耗尽区承受，耗尽区内的电场大小、耗尽区扩展的宽度的面积，也就是下图中的浅绿色部分，就是承受电压的大小。常规VDMOS，P body浓度要大于N EPI， PN结耗尽区主要向低参杂一侧扩散，所以此结构下，P body区域一侧，耗尽区扩展很小，基本对承压没有多大贡献，承压主要是P body－－N EPI在N型的一侧区域，这个区域的电场强度是逐渐变化的，越是靠近PN结面（a图的A结），电场强度E越大。所以形成的浅绿色面积有呈现梯形。
上传时间： 2013-11-11
上传用户：小眼睛LSL
本书内容包括三大部分：第1 部分从运算放大器的基本概念和理论出发，重点介绍了运算放大器的原理与设计，以及在各种电子系统中的应用，包括视频应用、RF/IF 子系统(乘法器、调制器和混频器)等;第2 部分主要介绍了高速采样和高速ADC 及其应用、高速DAC 及其应用、以及DDS 系统与接收机子系统等;第3 部分介绍了有关高速硬件设计技术，如仿真、建模、原型、布局、去藕与接地，以及EMI 与RFI设计考虑等。 书中内容既有完整的理论分析，又有具体的实际应用电路，还包括许多应用技巧。特别适合电子电路与系统设计工程师、高等院校相关专业师生阅读。
上传时间： 2013-11-16
上传用户：qitiand
锁相环是一种反馈系统，其中电压控制振荡器(VCO)和相位比较器相互连接，使得振荡器可以相对于参考信号维持恒定的相位角度。锁相环可用来从固定的低频信号生成稳定的输出高频信号等。
上传时间： 2013-11-22
上传用户：waixingren
数字电位计是机械电位计的最佳替代产品，因其具有小尺寸封装、更高可靠性、高精度和更小电压毛刺等优势。数字电位计可采用各种数字和手动接口。手动或按钮接口直接通过两个按钮开关进行控制， 例如AD5116或AD5228。按向上按钮可提高电阻，按向下按钮可降低电阻，如图1所示。
上传时间： 2013-10-11
上传用户：wyiman
工业电机驱动中使用的电子控制必须能在恶劣的电气环境中提供较高的系统性能。电源电路会在电机绕组上导致电压沿激增现象，而这些电压沿则可以电容耦合进低电压电路之中。电源电路中，电源开关和寄生元件的非理想行为也会产生感性耦合噪声。控制电路与电机和传感器之间的长电缆形成多种路径，可将噪声耦合到控制反馈信号中。高性能驱动器需要必须与高噪声电源电路隔离开的高保真反馈控制和信号。在典型的驱动系统中，包括隔离栅极驱动信号，以便将逆变器、电流和位置反馈信号驱动到电机控制器，以及隔离各子系统之间的通信信号。实现信号隔离时，不得牺牲信号路径的带宽，也不得显著增加系统成本。光耦合器是跨越隔离栅实现安全隔离的传统方法。尽管光耦合器已使用数十年，其不足也会影响系统级性能。
上传时间： 2013-11-03
上传用户：jhs541019
本应用笔记描述如何利用AD7142和电容传感器环，实现类似于传统35 mm单反(SLR)相机的单一位置数码相机快门按钮。除了更容易控制快门按钮的启动之外，其它优势包括：预对焦速度更快、快门按钮更便宜。
上传时间： 2013-10-26
上传用户：13925096126
