双极型三极管的高频小信号模型
上传时间： 2013-10-20
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太阳能光伏电池阵列仿真模型的研究
上传时间： 2013-11-21
上传用户：zhangfx728
对不稳定风和阵风进行风速预测，以平稳风为例，根据实际风电功率和对应时序风速的关系建模，得到了风电功率随风速变化的各类模型下的拟合参数。为了提高风电功率的预测精度，通过从分段函数和整体建模两个角度比较各种模型的准确程度，得到了适宜于作为风电功率特性曲线的函数模型。
上传时间： 2013-10-08
上传用户：星仔
在高性能交-直-交变频调速传动系统中，PWM 逆变器作为四象限变流器（4QC）的典型负载，其直流侧的静、动态行为对于4QC 的建模、控制方法及静动态性能研究和系统设计都具有重要作用。通过研究逆变器与4QC 拓扑结构的统一性，将4QC 的状态空间平均（SSA）模型经过移植得到逆变器的SSA 模型，进而提出四象限变流器的负载等效模型和近似简化等效模型；通过理论分析和仿真研究揭示四象限变流器的负载等效模型与逆变器及交流侧电路参数之间的定量关系，并给出等效模型的参数设计公式。仿真与实验研究结果证明了所建模型及理论分析的有效性。
上传时间： 2013-11-07
上传用户：大融融rr
从超级电容器储能系统的运行机理出发，设计了含双向DC-AC-DC 变换器的超级电容器储能系统主电路结构，并建立了其统一模型。仿真结果证明了所建统一模型的正确性和有效性, 并表明超级电容器储能系统提高了分布式发电系统的运行稳定性。
上传时间： 2013-12-23
上传用户：lllliii
提出一种虚拟阻抗模型的电流互感器饱和判别方法, 它可以有效地识别区内外故障因电流互感器( TA) 饱和对差动保护的影响。在电力系统的线路、母线、主设备等一些差动保护中, 区外故障时, 在大的短路电流作用下TA 饱和容易造成保护误动。基于RL 模型的短数据窗算法可以测得保护安装点的二次等效系统阻抗, 它可以等效到在系统故障增量模型中虚拟一条阻抗支路。区内外故障TA 饱和时, 该支路虚拟阻抗会发生明显的变化。分析该阻抗在TA 饱和与否情况下的变化规律, 利用这种变化规律可以可靠、灵敏地判别出区内外故障TA 饱和, 是否闭锁差动保护, 提高差动保护的可靠性。
上传时间： 2013-12-11
上传用户：杜莹12345
写XS128的D-Flash的三个程序案例
上传时间： 2013-10-16
上传用户：13925096126
在深入了解Flash存储器的基础上，采用单片机自动检测存储器无效块。主要通过读取每一块的第1、第2页内容，判断该块的好坏，并给出具体的实现过程，以及部分关键的电路原理图和C语言程序代码。该设计最终实现单片机自动检测Flash坏块的功能，并通过读取ID号检测Flash的性能，同时该设计能够存储和读取1GB数据。 Abstract: On the basis of in-depth understanding the Flash chips，this paper designs a new program which using the SCM to detect the invalid block.Mainly through reading the data of the first and second page to detect the invalid block.Specific implementation procedure was given,and the key circuit schematic diagram and C language program code was introduced.This design achieved the function of using the MCU checks the invalid block finally，and increased the function by reading the ID number of Flash to get the performance of the memory.And the design also can write and read1GB data
上传时间： 2013-10-25
上传用户：taozhihua1314
描述 P89C660/662/664/668单片机内带6KB/32KB/64KB/64KBFlash存储器,该存储器既可并行编程也可以串行在系统编程(ISP).在实际的成型产品中,可通过ISP升级用户程序在BootROM程序. 在Boot ROM程序中,可通过一个默认的串行下载器(UART)对Flash存储器作ISP编程,而在Flash代码区中并不需要有调用下载器的代码,用户程序可通过调用在Boot ROM中的标准子程对Flash存储器擦写和再编程(即IAP).
上传时间： 2013-10-18
上传用户：ouyang426
描述P89C660/662/664/668单片机内带6KB/32KB/64KB/64KB Flash存储器,该存储器既可并行编程也可以串行在系统编程(ISP).在实际的成型产品中,可通过ISP升级用户程序. 在Boot ROM程序中可通过一个默认的串行下载器(UART)对Flash存储器作ISP编程,而在Flash代码区中并不需要有调用下载器的代码,用户程序可通过调用在Boot ROM中的标准子程对Flash存储器擦写和再编程(即IAP). 该器件在6个时钟周期内执行一条指令,是传统的80C51的两倍.一个OTP结构位让用户选择传统的12个时钟周期. 该器件用advanced CMOS工艺制造,是80C51单片机家族的衍生品.其指令集和80C51相同. 该器件有四个8位I/O口,三个16位定时器/事件计数器,多中断源,四个优选级,可嵌套中断结构,一个增强型UART和片内振荡器以及时序电路. P89C660/662/664/668新增特性使其成为一个功能强大的单片机,为某些应用提供PWM,高速的I/O和加/减计数,如汽车控制.
上传时间： 2013-10-10
上传用户：FreeSky
