EMC设计认证高级班培训教材
上传时间： 2013-11-05
上传用户：dljwq
开关电源的安全及EMC设计
上传时间： 2013-10-08
上传用户：nshark
照明规范,_接地结构和EMC解决方案
上传时间： 2013-11-13
上传用户：asdstation
接地结构和EMC解决方案
上传时间： 2013-11-03
上传用户：mickey008
EMI-EMC设计积验总结
标签： EMI-EMC
上传时间： 2013-11-22
上传用户：banlangen
nandflash在嵌入式设备中广泛的应用，学些nandflash的重要性不言而喻，这里分析一段实例代码，不管是编码规范还是程序的结构都是很有价值的。下边是K9F1208U0M的实例代码
上传时间： 2013-10-09
上传用户：253189838
因为工作的缘故，必须学习EMC单片机了。我会把我的学习历程写下来，算是对坛子的一点贡献，也算是自己的一个总结吧。因为以前学过51的和PIC、HOLTEK的单片机，并且也大致了解过EMC的指令集，所以学起来并不是太难。为了学习，而又没有仿真器，于是去emc的网站下载了一个simulator来软件仿真。第一感觉还不错，把里面的例子程序跑了一下，单步执行然后看寄存器的变化。发现他的IDE环境不是特别好用，首先编辑器无法设置TAB的宽度，导致UE里面写好的代码，都不整齐了。再说一下对EMC指令集的理解。EMC的寄存器占用2个空间：内存空间和IO空间，前者用mov来访问，后者用IOW和IOR等来访问。这点我想很多初学者都会象我一样，要花点时间来理解这个问题。还有就是很多寄存器没有地址的，也就是占用特殊的地址空间，既不是内存也不是IO空间，比如CONT等。我想，正是这种类繁多的寻址，使得在简单的MCU上可以2个clock跑一条单周期指令。对于此，PIC和HOLTEK的单片机都需要4个clock跑一条单周期指令，51系列CISC指令就更不用说了。
上传时间： 2013-11-05
上传用户：龙飞艇
在现代电子设计中EMI是一个主要的问题。为抗干扰，设计者要么除掉干扰源，要么保护受影响的电路，最终的目的都是为了达到电磁兼容的目的。仅仅达到电磁兼容也许还不够。 虽然电路工作在板级， 但它有可能对系统的其他部件辐射噪音、干扰，从而引起系统级的问题。 此外，系统级或者设备级的EMC不得不满足某些辐射标准，以便不影响其他设备。
上传时间： 2013-11-04
上传用户：xingyuewubian
隔离放大器IC___产品特点： 1.精度等级：0.1级、0.2级、0.5级。 2.0-2.5V/0-5V/0-10V/1-5V等标准电压信号、0-1mA/ 0-10mA/0-20mA/4-20mA等标准电流信号输入, 输出标准的隔离信号。 3.输出电压信号：0-5V/0-10V/1-5V、输出电流信号：0-10mA/0-20mA/4-20mA，具有高带载能力。 4.全量程范围内极高的线性度(非线性度<0.2%) 隔离放大器IC___应用举例: 1.直流电流/电压信号的隔离、转换及放大 2.模拟信号地线干扰抑制及数据隔离采集 3.信号远程无失传输 4.电力监控、医疗设备隔离安全栅 5.一进一出、一进两出、两进两出模拟信号转换 隔离放大器IC___产品型号及定义 连续隔离电压值： 3000VDC 电源电压输入范围： ±10%Vin 焊接温度(10秒)： +300℃ AOT -U(A)□ -P□- O□ 输入电压或电流信号值 U1：0-5V A1：0—1mA U2：0-10V A2: 0—10mA U3：0-75mV A3: 0—20mA U4：0-2.5V A4: 4—20mA U5：0-±5V A5：0—±1mA U6：0-±10V A6: 0—±10mA U7：0-±100mV A7: 0—±20mA U8：用户自定义 A8: 用户自定义 隔离放大器IC___辅助电源 P1:DC24V P2:DC12V P3:DC5V P4:DC15V P5:用户自定义 隔离放大器IC____输出信号 O1: 4-20mA O2: 0-20mA O4: 0-5V O5: 0-10V O6: 1-5V O7: 0-±5V O8: 0-±10V O9: -20-+20mA O10: 用户自定义 隔离放大器IC___产品特征： 奥通 光耦隔离系列产品是通过模拟信号(线性光耦)隔离放大，转换按比列输出的一种信号隔离放大器，产品抗干扰强。广泛应用在电力、工业控制转换，仪器仪表、远程监控、医疗设备、工业自控等需要电量隔离测控的行业。光耦隔离系列产品属于双隔离产品，输入信号与辅助电源隔离，辅助电源与输出隔离 ，隔离电压3000VDC 隔离放大器IC___产品说明: 1.SIP12脚符合UL94V-0标准阻燃封装 2.只需外接电位器既可调节零点和增益 3.电源、信号、输入输出 3000VDC隔离 4.工业级温度范围：-45～+85度 5.有较强的抗EMC电磁干扰和高频信号空间干扰特性 6.大小： 32.0mm*13.8mm*8.8mm
上传时间： 2014-01-04
上传用户：wangzeng
随着嵌入式系统的迅速发展，其应用环境的广泛性，复杂性对构建于系统上的Nor和Nand闪存设备提出更高要求，需要闪存设备传输速度更快，体积更小，容量更大，稳定性更好。该文在基于Samsung公司的S3C2410处理器平台上，针对FLASH闪存设备在嵌入式系统中的应用，详细分析FLASH闪存设备的接口设计方法，并针对FLASH接口特点，提出Linux环境下NorFLASH和 NandFLASH的驱动开发流程，给出详细的代码分析。
标签： NandFLASH NorFLASH 接口设计 驱动开发
上传时间： 2013-10-08
上传用户：木子叶1
