贵州电解铝厂供电四车间厂房内变压器、整流柜、电容等设备种类繁多,同系列设备安放距离跨度较大.这些电力电子器件长期运行导致系统内部某些连接点绝缘介质老化,甚至脱落.这种现象单凭肉眼很难观察,该厂对此问题的解决方法为:技术工人携带小型红外探测仪定期采集上述器件的某些连接点,从红外图像数据得出温度数据以此判断器件工作是否处于良好状态.由于人为因素,工人不一定能全部获取所有连接点数据.可见,此方法费时费力,还存在隐患. 针对现行探测方法存在的弊端,依托"中铝贵州分公司电解铝厂整流所安全运行监控系统开发"项目,利用一台直线行走的智能小车停靠在已选择的定位点处监测车间的电器设备,因此这就涉及到了监控小车的精准定位问题.本文以卞位机智能监控小车为研究对象,采用模糊PID控制技术对PLC发出的脉冲频率进行自动调节,依据脉冲频率误差E和误差变化率EC的变化对PID控制的参数进行自整定,实现对小车速度的模糊控制,从而实现了小车的精准定位,为上位机的监控工作做好了准备. 论文第一章介绍了电解铝厂供电车间的供电情况,分析了小车定位精准的重要性,介绍了本文的研究内容.第二章对小车主要结构的硬件设计作了介绍.第三章论述了小车的运动控制,从分析步进电机的矩频特性和数学模型入手,介绍了小车的启停控制和运动中的测速.第四章论述了小车的精准定位方法,介绍了模糊PID控制器设计,重点介绍了模糊PID控制算法的程序设计.第五章列举了实际运行调试中出现的几种问题,介绍了相应的控制方法加以克服.第六章对论文进行了总结.
上传时间： 2013-04-24
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电梯在垂直升降的过程中，由于功率变化范围很大，节能潜力巨大。本文主要工作在于结合电梯系统的特点，对超级电容储能系统中超级电容容量需求及其他相关参数的设置进行详细讨论。也对与之配套的双向DC/DC变换器进行研究。 本文在研究了电梯系统的结构和运行特点的基础上，对其运行过程中能量状态的变化进行了详细分析，得到了储能装置中超级电容器容量的计算方法，并在此基础上，根据超级电容器容量需求与系统前级双向整流器功率的关系，提出了一套简单有效的能量管理方案，减少了储能装置中超级电容器的容量需求。并且对于超级电容容量设置给出了一般的原则。 储能装置与系统直流母线之间需要双向变换器进行能量传递，本文对于各种双向直流变换器拓扑的优缺点进行了比较，结合在超级电容储能装置中的具体应用需要，得出BUCK/BOOST型变换器更适合本文中的应用。 本文为储能装置设计了基于DSP（数字信号处理器）全数字控制的具有多种工作方式的双向DC/DC变换器的小功率样机，在电容器放电时，以恒流模式向直流母线输送能量；在电容器充电时，以分段恒流模式或恒压模式进行充电。文中给出了详细的硬件电路以及数字控制部分的设计过程，并通过实验进行了验证。
上传时间： 2013-04-24
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TI公司全系列sch元件库(包括5402)
上传时间： 2013-07-04
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有机发光显示器件(OrganicLight-EmittingDiodes，OLEDs)作为下一代显示器倍受关注，它具有轻、薄、高亮度、快速响应、高清晰度、低电压、高效率和低成本等优点，完全可以媲美CRT、LCD、LED等显示器件。作为全固化显示器件，OLED的最大优越性是能够与塑料晶体管技术相结合实现柔性显示，应用前景非常诱人。OLED如此众多的优点和广阔的商业前景，吸引了全球众多研究机构和企业参与其研发和产业化。然而，OLED也存在一些问题，特别是在发光机理、稳定性和寿命等方面还需要进一步的研究。要达到这些目标，除了器件的材料，结构设计外，封装也十分重要。 本论文的主要工作是利用现有的材料，从绿光OLED器件制作工艺、发光机理，结构和封装入手，首先，探讨了作为阳极的ITO玻璃表面处理工艺和ITO玻璃的光刻工艺。ITO表面的清洁程度严重影响着光刻质量和器件的最终性能；ITO表面经过氧等离子处理后其表面功函数增大，明显提高了器件的发光亮度和发光效率。 其次，针对光刻、曝光工艺技术进行了一系列相关实验，在光刻工艺中，光刻胶的厚度是影响光刻质量的一个重要因素，其厚度在1.2μm左右时，光刻效果理想。研究了OLED器件阴极隔离柱成像过程中的曝光工艺，摸索出了最佳工艺参数。 然后采用以C545T作为绿光掺杂材料制作器件结构为ITO/CuPc(20nm)/NPB(100nm)/Alq3(80nm)：C545T(2.1％掺杂比例)/Alq3(70nm)/LiF(0.5nm)/Al(1,00nm)的绿光OLED器件。最后基于以上器件采用了两种封装工艺，实验一中，在封装玻璃的四周涂上UV胶，放入手套箱，在氮气保护气氛下用紫外冷光源照射1min进行一次封装，然后取出OLED片，在ITO玻璃和封装玻璃接口处涂上UV胶，真空下用紫外冷光源照射1min，固化进行二次封装。实验二中，在各功能层蒸镀完成后，又在阴极的外面蒸镀了一层薄膜封装层，然后再按实验一的方法进行封装。薄膜封装层的材料分别为硒(Se)、碲(Te)、锑(Sb)。分别对两种封装工艺器件的电流-电压特性、亮度-电压特性、发光光谱及寿命等特性进行了测试与讨论。通过对比，研究发现增加薄膜封装层器件的寿命比未加薄膜封装层器件寿命都有所延长，其中，Se薄膜封装层的增加将器件的寿命延长了1.4倍，Te薄膜封装层的增加将器件的寿命延长了两倍多，Sb薄膜封装层的增加将器件的寿命延长了1.3倍，研究还发现薄膜封装层基本不影响器件的电流-电压特性、色坐标等光电性能。最后，分别对三种薄膜封装层材料硒(Se)、碲(Te)、锑(Sb)进行了研究。
上传时间： 2013-07-11
上传用户：liuwei6419
各种IC封装形式图片 各种IC封装形式图片
标签： IC封装
上传时间： 2013-07-01
上传用户：ryanxue
最全的IC封装代号及尺寸 帮助我们更快的找到药封装的器件
上传时间： 2013-06-12
上传用户：zyt
Protel 中的SOP封装图，这里面应该还算是比较齐全的，希望对大伙有用
上传时间： 2013-04-24
上传用户：pei5
常用元件的PCB封装，一起学习！一起进步！
标签： 元件封装
上传时间： 2013-06-27
上传用户：zhangjinzj
钽电容制作流程，有需要的看看吧，希望对大家有用
上传时间： 2013-07-27
上传用户：gundan
可配置端口电路是FPGA芯片与外围电路连接关键的枢纽，它有诸多功能：芯片与芯片在数据上的传递(包括对输入信号的采集和输出信号输出)，电压之间的转换，对外围芯片的驱动，完成对芯片的测试功能以及对芯片电路保护等。 本文采用了自顶向下和自下向上的设计方法，依据可配置端口电路能实现的功能和工作原理，运用Cadence的设计软件，结合华润上华0.5μm的工艺库，设计了一款性能、时序、功耗在整体上不亚于xilinx4006e[8]的端口电路。主要研究以下几个方面的内容： 1.基于端口电路信号寄存器的采集和输出方式，本论文设计的端口电路可以通过配置将它设置成单沿或者双沿的触发方式[7]，并完成了Verilog XL和Hspiee的功能和时序仿真，且建立时间小于5ns和保持时间在0ns左右。和xilinx4006e[8]相比较满足设计的要求。 2.基于TAP Controller的工作原理及它对16种状态机转换的控制，对16种状态机的转换完成了行为级描述和实现了捕获、移位、输出、更新等主要功能仿真。 3.基于边界扫描电路是对触发器级联的构架这一特点，设计了一款边界扫描电路，并运用Verilog XL和Hspiee对它进行了功能和时序的仿真。达到对芯片电路测试设计的要求。 4.对于端口电路来讲，有时需要将从CLB中的输出数据实现异或、同或、与以及或的功能，为此本文采用二次函数输出的电路结构来实现以上的功能，并运用Verilog XL和Hspiee对它进行了功能和时序的仿真。满足设计要求。 5.对于0.5μm的工艺而言，输入端口的电压通常是3.3V和5V，为此根据设置不同的上、下MOS管尺寸来调整电路的中点电压，将端口电路设计成3.3V和5V兼容的电路，通过仿真性能上已完全达到这一要求。此外，在输入端口处加上扩散电阻R和电容C组成噪声滤波电路，这个电路能有效地抑制加到输入端上的白噪声型噪声电压[2]。 6.在噪声和延时不影响电路正常工作的范围内，具有三态控制和驱动大负载的功能。通过对管子尺寸的大小设置和驱动大小的仿真表明：在实现TTL高电平输出时，最大的驱动电流达到170mA，而对应的xilinx4006e的TTL高电平最大驱动电流为140mA[8]；同样，在实现CMOS高电平最大驱动电流达到200mA,而xilinx4006e的CMOS驱动电流达到170[8]mA。 7.与xilinx4006e端口电路相比，在延时和面积以及功耗略大的情况下，本论文研究设计的端口电路增加了双沿触发、将输出数据实现二次函数的输出方式、通过添加译码器将配置端口的数目减少的新的功能，且驱动能力更加强大。
上传时间： 2013-07-20
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