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dRAM

动态随机存取存储器(DynamicRandomAccessMemory,dRAM)是一种半导体存储器,主要的作用原理是利用电容内存储电荷的多寡来代表一个二进制比特(bit)是1还是0。由于在现实中晶体管会有漏电电流的现象,导致电容上所存储的电荷数量并不足以正确的判别数据,而导致数据毁损。因此对于dRAM来说,周期性地充电是一个无可避免的要件。由于这种需要定时刷新的特性,因此被称为“动态”存储器。相对来说,静态存储器(SRAM)只要存入数据后,纵使不刷新也不会丢失记忆。
  • 把flash的代码搬移到dRAM的0xc

    把flash的代码搬移到dRAM的0xc

    标签: flash dRAM 0xc 代码

    上传时间: 2014-01-02

    上传用户:wxhwjf

  • 程序主要作用是通过串口下载VxWorks到ARM Flash ROM,主要过程是初始化ARM硬件,初始化串口UART1,从串口接收VxWorks image到dRAM,初始化Flash ROM.最后将

    程序主要作用是通过串口下载VxWorks到ARM Flash ROM,主要过程是初始化ARM硬件,初始化串口UART1,从串口接收VxWorks image到dRAM,初始化Flash ROM.最后将dRAM中的VxWorks写入Flash ROM. ARM 串口与PC机串口连接,由PC机下载(download)VxWorks 到主板Flash ROM. 该程序对学习和理解ARM编程很有帮助.为了便于理解,这里我全部采用实际地址,不用宏定义. 程序语言为 ARM 汇编,具体过程参考ARM编程,具体寄存器接口定义参见ARM硬件手册

    标签: VxWorks Flash ARM ROM

    上传时间: 2017-01-08

    上传用户:invtnewer

  • FPGAcpld结构分析 pga的EDA设计方法 fpga中的微程序设计 复杂可编程逻辑器件cpld专题讲座(Ⅴ)──cpld的应用和实现数字逻 一种使用fpga设计的dRAM控制器 用cpld器件实

    FPGAcpld结构分析 pga的EDA设计方法 fpga中的微程序设计 复杂可编程逻辑器件cpld专题讲座(Ⅴ)──cpld的应用和实现数字逻 一种使用fpga设计的dRAM控制器 用cpld器件实现24位同步计数器的设计

    标签: cpld fpga FPGAcpld dRAM

    上传时间: 2017-07-20

    上传用户:ikemada

  • 基于FPGA的SdRAM控制器设计及应用.rar

    在国家重大科学工程HIRFL-CSR的CSR控制系统中,需要高速数据获取和处理系统。该系统通常采用存储器作为数据缓冲存储。同步动态随机存储器SdRAM凭借其集成度高、功耗低、可靠性高、处理能力强等优势成为最佳选择。但是SdRAM却具有复杂的时序,为了降低成本,所以采用目前很为流行的EDA技术,选择可编程逻辑器件中广泛使用的现场可编程门阵列FPGA,使用硬件描述语言VHDL,遵循先进的自顶向下的设计思想实现对SdRAM控制器的设计。 论文引言部分简单介绍了CSR控制系统,指出论文的课题来源与实际意义。第二章首先介绍了存储器的概况与性能指标,其次较为详细介绍了动态存储器dRAM的基本时序,最后对同步动态随机存储器SdRAM进行详尽论述,包括性能、特点、结构以及最为重要的一些操作和时序。第三、四章分别论述本课题的SdRAM控制器硬件与软件设计,重点介绍了具体芯片与FPGA设计技术。第五章为该SdRAM控制器在CsR控制系统中的一个经典应用,即同步事例处理器。最后对FPGA技术进行总结与展望。 本论文完整论述了控制器的设计原理和具体实现。从测试的结果来看,本控制器无论从结构上,还是软硬件上设计均满足了工程实际要求。

    标签: SdRAM FPGA 制器设计

    上传时间: 2013-07-19

    上传用户:dct灬fdc

  • 基于FPGA的SdRAM控制器设计及应用

    在国家重大科学工程HIRFL-CSR的CSR控制系统中,需要高速数据获取和处理系统。该系统通常采用存储器作为数据缓冲存储。同步动态随机存储器SdRAM凭借其集成度高、功耗低、可靠性高、处理能力强等优势成为最佳选择。但是SdRAM却具有复杂的时序,为了降低成本,所以采用目前很为流行的EDA技术,选择可编程逻辑器件中广泛使用的现场可编程门阵列FPGA,使用硬件描述语言VHDL,遵循先进的自顶向下的设计思想实现对SdRAM控制器的设计。 论文引言部分简单介绍了CSR控制系统,指出论文的课题来源与实际意义。第二章首先介绍了存储器的概况与性能指标,其次较为详细介绍了动态存储器dRAM的基本时序,最后对同步动态随机存储器SdRAM进行详尽论述,包括性能、特点、结构以及最为重要的一些操作和时序。第三、四章分别论述本课题的SdRAM控制器硬件与软件设计,重点介绍了具体芯片与FPGA设计技术。第五章为该SdRAM控制器在CsR控制系统中的一个经典应用,即同步事例处理器。最后对FPGA技术进行总结与展望。 本论文完整论述了控制器的设计原理和具体实现。从测试的结果来看,本控制器无论从结构上,还是软硬件上设计均满足了工程实际要求。

    标签: SdRAM FPGA 制器设计

    上传时间: 2013-07-11

    上传用户:hasan2015

  • DDR2SdRAM存储器接口设计

    内部存储器负责计算机系统内部数据的中转、存储与读取,作为计算机系统中必不可少的三大件之一,它对计算机系统性能至关重要。内存可以说是CPU处理数据的“大仓库”,所有经过CPU处理的指令和数据都要经过内存传递到电脑其他配件上,因此内存性能的好坏,直接影响到系统的稳定性和运行性能。在当今的电子系统设计中,内存被使用得越来越多,并且对内存的要求越来越高。既要求内存读写速度尽可能的快、容量尽可能的大,同时由于竞争的加剧以及利润率的下降,人们希望在保持、甚至提高系统性能的同时也能降低内存产品的成本。面对这种趋势,设计和实现大容量高速读写的内存显得尤为重要。因此,近年来内存产品正经历着从小容量到大容量、从低速到高速的不断变化,从技术上也就有了从dRAM到SdRAM,再到DDR SdRAM及DDR2 SdRAM等的不断演进。和普通SdRAM的接口设计相比,DDR2 SdRAM存储器在获得大容量和高速率的同时,对存储器的接口设计也提出了更高的要求,其接口设计复杂度也大幅增加。一方面,由于I/O块中的资源是有限的,数据多路分解和时钟转换逻辑必须在FPGA核心逻辑中实现,设计者可能不得不对接口逻辑进行手工布线以确保临界时序。而另一方面,不得不处理好与DDR2接口有关的时序问题(包括温度和电压补偿)。要正确的实现DDR2接口需要非常细致的工作,并在提供设计灵活性的同时确保系统性能和可靠性。 本文对通过Xilinx的Spartan3 FPGA实现DDR2内存接口的设计与实现进行了详细阐述。通过Xilinx FPGA提供了I/O模块和逻辑资源,从而使接口设计变得更简单、更可靠。本设计中对I/O模块及其他逻辑在RTL代码中进行了配置、严整、执行,并正确连接到FPGA上,经过仔细仿真,然后在硬件中验证,以确保存储器接口系统的可靠性。

    标签: DDR2SdRAM 存储器 接口设计

    上传时间: 2013-06-08

    上传用户:fairy0212

  • FPGAcpld结构分析 fpga的EDA设计方法

    FPGAcpld结构分析 pga的EDA设计方法 fpga中的微程序设计 复杂可编程逻辑器件cpld专题讲座(Ⅴ)──cpld的应用和实现数字逻 一种使用fpga设计的dRAM控制器 用cpld器件实现24位同步计数器的设计

    标签: FPGAcpld fpga EDA 结构分析

    上传时间: 2013-08-10

    上传用户:yph853211

  • Hyperlynx仿真应用:阻抗匹配

    Hyperlynx仿真应用:阻抗匹配.下面以一个电路设计为例,简单介绍一下PCB仿真软件在设计中的使用。下面是一个DSP硬件电路部分元件位置关系(原理图和PCB使用PROTEL99SE设计),其中dRAM作为DSP的扩展Memory(64位宽度,低8bit还经过3245接到FLASH和其它芯片),dRAM时钟频率133M。因为频率较高,设计过程中我们需要考虑dRAM的数据、地址和控制线是否需加串阻。下面,我们以数据线D0仿真为例看是否需要加串阻。模型建立首先需要在元件公司网站下载各器件IBIS模型。然后打开Hyperlynx,新建LineSim File(线路仿真—主要用于PCB前仿真验证)新建好的线路仿真文件里可以看到一些虚线勾出的传输线、芯片脚、始端串阻和上下拉终端匹配电阻等。下面,我们开始导入主芯片DSP的数据线D0脚模型。左键点芯片管脚处的标志,出现未知管脚,然后再按下图的红线所示线路选取芯片IBIS模型中的对应管脚。 3http://bbs.elecfans.com/ 电子技术论坛 http://www.elecfans.com 电子发烧友点OK后退到“ASSIGN Models”界面。选管脚为“Output”类型。这样,一样管脚的配置就完成了。同样将dRAM的数据线对应管脚和3245的对应管脚IBIS模型加上(DSP输出,3245高阻,dRAM输入)。下面我们开始建立传输线模型。左键点DSP芯片脚相连的传输线,增添传输线,然后右键编辑属性。因为我们使用四层板,在表层走线,所以要选用“Microstrip”,然后点“Value”进行属性编辑。这里,我们要编辑一些PCB的属性,布线长度、宽度和层间距等,属性编辑界面如下:再将其它传输线也添加上。这就是没有加阻抗匹配的仿真模型(PCB最远直线间距1.4inch,对线长为1.7inch)。现在模型就建立好了。仿真及分析下面我们就要为各点加示波器探头了,按照下图红线所示路径为各测试点增加探头:为发现更多的信息,我们使用眼图观察。因为时钟是133M,数据单沿采样,数据翻转最高频率为66.7M,对应位宽为7.58ns。所以设置参数如下:之后按照芯片手册制作眼图模板。因为我们最关心的是接收端(dRAM)信号,所以模板也按照dRAM芯片HY57V283220手册的输入需求设计。芯片手册中要求输入高电平VIH高于2.0V,输入低电平VIL低于0.8V。dRAM芯片的一个NOTE里指出,芯片可以承受最高5.6V,最低-2.0V信号(不长于3ns):按下边红线路径配置眼图模板:低8位数据线没有串阻可以满足设计要求,而其他的56位都是一对一,经过仿真没有串阻也能通过。于是数据线不加串阻可以满足设计要求,但有一点需注意,就是写数据时因为存在回冲,dRAM接收高电平在位中间会回冲到2V。因此会导致电平判决裕量较小,抗干扰能力差一些,如果调试过程中发现写RAM会出错,还需要改版加串阻。

    标签: Hyperlynx 仿真 阻抗匹配

    上传时间: 2013-11-05

    上传用户:dudu121

  • DMA技术 -ppt

    数据传送的控制 数据传送涉及的3个问题1)数据的来源;2)数据的去处;3)数据本身以及如何控制数据的传送。 DMA方式控制的数据传送 DMA传送方式通常用来高速传送大批量的数据块。如:  硬盘和软盘I/O; 快速通信通道I/O; 多处理机和多程序数据块传送; 在图像处理中,对CRT屏幕送数据; 快速数据采集; dRAM的刷新操作。 DMA传送包括:(1)存储单元传送:存储器→存储器。(2)DMA读传送:存储器→I/O设备。(3)DMA写传送:I/O设备→存储器。4.1.2  DMA传送的工作过程 1)I/O设备向DMAC发出DMA请求;2) DMAC向CPU发出总线请求;3)CPU在执行完当前指令的当前的总线周期后,向DMAC发出总线响应信号;4)CPU脱离对系统总线的控制,由DMAC接管对系统总线的控制; 为什么DMA传送方式能实现高速传送?DMA传送的过程是什么样的?画出流程。DMA有哪些操作方式?各有什么特点。简述DMA控制器的两个工作状态的特点。试设计一种在8088大模式下与8237连接的基本电路图。并说明你的设计中8237各个端口的实际地址。DMA控制器的时序包括哪几个状态周期?试画出正常读传输的时序。DMAC的内部地址寄存器是16位的,如何扩展地址来访问16MB的地址空间?

    标签: DMA

    上传时间: 2013-11-18

    上传用户:leixinzhuo

  • 存储器技术.doc

    存储器技术.doc 计算机的主存储器(Main Memory),又称为内部存储器,简称为内存。内存实质上是一组或多组具备数据输入输出和数据存储功能的集成电路。内存的主要作用是用来存放计算机系统执行时所需要的数据,存放各种输入、输出数据和中间计算结果,以及与外部存储器交换信息时作为缓冲用。由于CPU只能直接处理内存中的数据 ,所以内存是计算机系统中不可缺少的部件。内存的品质直接关系到计算机系统的速度、稳定性和兼容性。 4.1 存储器类型计算机内部存储器有两种类型,一种称为只读存储器ROM(Read Only Memiry),另一种称为随机存储器RAM(Random Access Memiry)。 4.1.1 只读存储器只读存储器ROM主要用于存放计算机固化的控制程序,如主板的BIOS程序、显卡BIOS控制程序、硬盘控制程序等。ROM的典型特点是:一旦将数据写入ROM中后,即使在断电的情况下也能够永久的保存数据。从使用上讲,一般用户能从ROM中读取数据,而不能改写其中的数据。但现在为了做一日和尚撞一天钟于软件或硬件程序升级,普通用户使用所谓的闪存(Flash Memiry)也可以有条件地改变ROM中的数据。有关只读存储器ROM的内容将在第11章中介绍,本章主要介绍随机存储器。4.1.2 随机存取存储器随机存取存储器RAM的最大特点是计算机可以随时改变RAM中的数据,并且一旦断电,TAM中数据就会立即丢失,也就是说,RAM中的数据在断电后是不能保留的。从用于制造随机存取存储器的材料上看,RAM又可分为静态随机存储器SRAM(Static RAM)和动态随机存储器dRAM(Dymamic RAM)两种。1. 动态随机存储器在dRAM中数据是以电荷的形式存储在电容上的,充电后电容上的电压被认为是逻辑上的“1”,而放电后的电容上的电压被认为是逻辑上的“0”认。为了减少存储器的引脚数,就反存储器芯片的每个基本单元按行、列矩阵形式连接起来,使每个存储单元位于行、列的交叉点。这样每个存储单元的地址做一日和尚撞一天钟可以用位数较少的行地址和列地址两个部分表示,在对每个单元进行读写操作时,就可以采用分行、列寻址方式写入或读出相应的数据,如图4-1所示。  由于电容充电后,电容会缓慢放电,电容 上的电荷会逐渐

    标签: 存储器

    上传时间: 2014-01-10

    上传用户:18752787361