sony cmos传感器datasheet，IMX178LQJ-C_Data_SheetDescriptionThe IMX178LQJ-C is a diagonal 8.92 mm (Type 1/1.8) cmos active pixel type image sensor with a square pixelarray and 6.44 M effective pixels. This chip operates with analog 2.9 V, digital 1.2 V and interface 1.8 V triple powersupply, and has low power consumption.High sensitivity, low dark current and no smear are achieved through the adoption of R, G and B primary colormosaic filters.This chip features an electronic shutter with variable charge-integration time.(Applications: Surveillance cameras, FA cameras, Industrial cameras)
标签： cmos传感器 IMX178LQJ-C
上传时间： 2022-06-18
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CCD（Charge Coupled Device）图像传感器（以下简称CCD）和cmos图像传感器（cmos Image Sensor以下简称CIS）的主要区别是由感光单元及读出电路结构不同而导致制造工艺的不同。CCD感光单元实现光电转换后，以电荷的方式存贮并以电荷转移的方式顺序输出，需要专用的工艺制程实现；CIS图像感光单元为光电二极管，可在通用cmos集成电路工艺制程中实现，除此之外还可将图像处理电路集成，实现更高的集成度和更低的功耗。目前CCD几乎被日系厂商垄断，只有少数几个厂商例如索尼、夏普、松下、富士、东芝等掌握这种技术。CIS是90年代兴起的新技术，掌握该技术的公司较多，美国有OmniVision，Aptina；欧洲有ST；韩国的三星，SiliconFile，Hynix等；日本的SONY，东芝等；中国台湾的晶像；大陆地区的比亚迪，格科微等公司。由于CCD技术出现早，相对成熟，前期占据了绝大部分的高端市场。早期CIS与CCD相比，仅功耗与成本优势明显，因此多用于手机，PCCamera等便携产品。随着CIS技术的不断进步，性能不断提升；而CCD技术提升空间有限，进步缓慢。目前CIS不仅占据几乎全部的便携设备市场，部分高端DSC（DigitalStil Camera）市场，更是向CCD传统优势市场——监控市场发起冲击。下面就监控专用CIS与传统CCD进行综合对比。
上传时间： 2022-06-23
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CCD 和cmos 的区别一、CCD 和cmos 在制造上的主要区别是CCD 是集成在半导体单晶材料上，而cmos 是集成在被称做金属氧化物的半导体材料上，工作原理没有本质的区别。CCD 只有少数几个厂商例如索尼、松下等掌握这种技术。而且CCD 制造工艺较复杂，采用CCD 的摄像头价格都会相对比较贵。事实上经过技术改造，目前CCD 和cmos 的实际效果的差距已经减小了不少。而且cmos 的制造成本和功耗都要低于CCD 不少，所以很多摄像头生产厂商采用的cmos 感光元件。成像方面：在相同像素下CCD 的成像通透性、明锐度都很好，色彩还原、曝光可以保证基本准确。而cmos 的产品往往通透性一般，对实物的色彩还原能力偏弱， 曝光也都不太好， 由于自身物理特性的原因， cmos 的成像质量和CCD还是有一定距离的。但由于低廉的价格以及高度的整合性， 因此在摄像头领域还是得到了广泛的应用。
上传时间： 2022-06-23
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《模拟cmos集成电路设计》介绍模拟cmos集成电路的分析与设计。从直观和严密的角度阐述了各种模拟电路的基本原理和概念，同时还阐述了在SOC中模拟电路设计遇到的新问题及电路技术的新发展。《模拟cmos集成电路设计》由浅入深，理论与实际结合，提供了大量现代工业中的设计实例。全书共18章。前10章介绍各种基本模块和运放及其频率响应和噪声。第11章至第13章介绍带隙基准、开关电容电路以及电路的非线性和失配的影响，第14、15章介绍振荡器和没相环。第16章至18章介绍MOS器件的高阶效应及其模型、cmos制造工艺和混合信号电路的版图与封装。
上传时间： 2022-06-29
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主要讲解cmos工艺下射频电路的设计以及分析方法，从电路基础到电路元器件，到系统，到模块到集成都进行了详细的讲解介绍。
上传时间： 2022-06-30
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原版英文PDF电子书免费下载：Digital Integrated Circuit Design From VLSI Architectures to cmos Fabrication，891页 本书从架构和算法讲起，介绍了功能验证、vhdl建模、同步电路设计、异步数据获取、能耗与散热、信号完整性、物理设计、设计验证等必备技术，还讲解了vlsi经济运作与项目管理，并简单阐释了cmos技术的基础知识，全面涵盖了数字集成电路的整个设计开发过程。 本书既可以作为高等院校微电子、电子技术等相关专业高年级师生和研究生的参考教材，也可供半导体行业工程师参考。 现代电子系统日益复杂，随着半导体工艺水平的提高，单芯片的集成度和功能得以不断增强，其设计复杂度和各种风险也随之变大，甚至影响到投资者对研发新的更复杂系统芯片的信心。但是，为了有效降低便携式移动系统的产品单位成本和能量消耗，同时为了在产品独特性方面有竞争力，越来越多的电子产品仍然必须采用专用芯片解决方案。因此，深入了解数字集成电路设计的基本方法和关键问题，并明确开发过程的各个实践环节存在的风险，就变得十分必要。 本书是一本将超大规模数字电路基本概念原理与工程实践管理相结合的综合性教材。作者根据自己多年的教学和工程实践经验，从工程实践的关键问题出发，对超大规模数字电路的全部讲授内容进行了一次全新的梳理，形成了清晰的解决思路。在数字集成电路设计的各个环节，作者重点阐述了设计研制中必须考虑的关键因素，在丰富经验基础上对设计中常常出现的问题进行了详尽的讨论，可以帮助研究生和资深工程师完善自身的设计经验和能力，也可以帮助项目管理者明确各个环节的工作重点，规避研发环节的风险。 本书和其他数字集成电路教科书相比，有两个突出的特点。第一是自顶向下的组织方式，从算法的架构设计开始，讨论了同步设计的各种时钟技术、设计验证、散热和封装问题，还讨论了VLSI（超大规模集成电路）经济学与项目管理。读者可以根据自身需要直接阅读感兴趣的章节，而不需要很多半导体物理与器件方面的知识。第二是实用性。本书用了相当多的篇幅讨论了工程实践的问题，例如给出了一个很好的设计数据组织方法，还有很多检查列表与提醒。 在目前的集成电路项目里，大量使用了重用的虚拟元件，通常有十几个到几十个时钟，验证工作量也要占到整个项目周期和投资的50%~70%，关于虚拟元件、时钟方案、VLSI经济学、项目管理、功能验证、设计验证等内容的讨论都可以直接作为实际项目实践的参考。总之，本书的内容相当全面并有一定深度，基本涵盖了数字集成电路设计的各个方面，非常适合用作学习数字集成电路设计的高年级本科生与研究生的教科书，也适合作为正在从事数字集成电路开发的工程人员的参考书。
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上传时间： 2022-06-30
上传用户：kristycreasy
基于cmos摄像头hmc5883＋mpu6050的模拟灭火训练系统
上传时间： 2022-07-06
上传用户：fliang
基于cmos反相器石英晶体振荡电路的PSPICE仿真
上传时间： 2022-07-07
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有关半导体封装产业的技术和动态日新日异，不仅因为科技进步、对科技产品需求量大增，同时也是因为整个封装制造业的大环境及前景也在改变，因此如何提供一本关于cmos封装的书籍就显得格外重要。希望本书对千那些刚踏入封装这个行业，或是未来想要从事该行业的工程师或技术人员能有所参考与依循，并配合适当的训练课程来减少摸索时间 ，这也是本书的主要目的。同时为求快速学习，对各工序方式、机台设备等都力求以最自然的方式描述概念，并结合相关实例讲解，以达到更好的学习理解的功效。
上传时间： 2022-07-09
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本文先设计了一种高性能的cmos模拟集成温度传感器，并在电路中设计了ESD保护电路和启动电路，以保证电路工作点正常与性能优良。该电路具有结构简单、工作电压低、电源抑制比高和线性度良好的特点。采用HSPICE对该温度传感器电路进行了模拟仿真，仿真结果表明其电源抑制比可以达到64dB，在-50℃~150℃温度范围内，电压温度系数可以达到2.9mV/K，线性度良好。而后在原集成温度传感器电路研究成果的基础上，设计了一种用于cmos集成温度传感器二次非线性项修正的曲率校正电路，该电路有效解决了cmos温度传感电路中电阻温度系数和PN结电压二次非线性项对输出线性度的影响。应用了该校正电路的cmos 温度传感系统已在0.6um 标准 cmos工艺中研制实现，实验结果表明在-50℃~+150℃的温度范围内该温度传感系统的最大误差小于1.5℃。该研究的成果可用于一些高精度的应用场所，比如冷暖空调、医疗仪器，自检测系统等诸多领域中，具有显著的研究意义和广泛的应用前景。
上传时间： 2022-07-12
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