为设计一种正交镜像滤波器组(QM F)的原型滤波器，使川高边瓣衰减(SLFO R的可变性和组合窗函 数设计了低通原型滤波器，并且应川线性优化使近似重构的误差最小结果表明，该方法程序运行简单，优化 算法使计算机处理的速度加快，而且高边瓣衰减(SLFOR)组合窗减少了能量的泄漏，防止了子带间的混叠
上传时间： 2017-08-30
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dsp浮点数转化为定点数的方法，其格式为QM.n,通过宏定义可以改变格式，位数也可以增大到32位
上传时间： 2014-01-07
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针对小流域设计洪水计算中，采用推理公式求解洪峰流量QM及汇流时间τ的方法繁琐，查算精度较低等问题，提出用牛顿迭代法求解，该方法较原图解试算法收敛快，迭代次数少，计算速度快，精度可靠。计算实例表明，用简单迭代法与牛顿迭代法计算设计洪峰流量，其结果与图解试算法完全一致。
标签： 计算
上传时间： 2013-12-26
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Artix-7 XC7A35T-DDR3开发板资料硬件参考设计资料QM_ XC7A35T开发板主要特征参数如下所示： 主控FPGA：XC7A35T-1FTG256C； 主控FPGA外部时钟源频率：50MHz； XC7A35T-1FTG256C芯片内部自带丰富的Block RAM资源，达到了1,800kb； XC7A35T-1FTG256C芯片逻辑单元数为33,280； QM _XC7A35T板载N25Q064A SPI Flash芯片，8MB(64Mbit)的存储容量； QM _XC7A35T板载256MB镁光的DDR3存储器，型号为MT41K128M16JT-125:K； QM _XC7A35T提供核心板芯片工作的3.3V电源，有一路3.3V的LED电源指示灯，板载高性能DC/DC芯片给FPGA 1.0V Core电压，DDR3 1.5V电压供电以及VDD_AUX的1.8V电压； QM _XC7A35T引出了两排2x32p、2.54mm间距的排座，可以用于外接24Bit的TFT液晶屏、CY7C68013 USB模块、高速ADC采集模块或者CMOS摄像头模块等； QM _XC7A35T引出了芯片的2路按键用于测试,其中一路用于PROGROM_B信号编程按钮； QM _XC7A35T引出了芯片的3路LED灯用于测试，其中一路LED为FPGA_DONE信号指示灯； QM _XC7A35T引出了芯片的JTAG调试端口，采用单排6p、2.54mm间距的排针；
标签： DDR3
上传时间： 2022-05-11
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超声波电机利用压电陶瓷的逆压电效应，将电能转变为机械振动，再通过摩擦作用将机械振动转变为电机的旋转（直线）运动，进而驱动负载。压电陶瓷作为超声波电机的振动发生器件，其性能的优劣直接影响到电机的输出性能。本文采用传统的固相反应法制备P-41和PMnS-PZN-PZT压电陶瓷，研究压电阿瓷在行被型超声波电机中的应用及压电性能对电机性能的影响.研究了P41和PMns-PZN-PZT压电陶瓷材料的结构、性能、频率温度稳定性及极化方式对压电陶瓷性能的影响。结果表明，这两种材料都具有较好的介电温度稳定性，P41具有明显的铁电体相变特点，PMns-PZN-PZT具有她豫-铁电体相变特点。采用同时同向一次极化工艺改善了二次极化工艺所遗留的各极化区域ds不均匀、分区界面应力的存在导致的性能不稳定性，同时缩短了极化时间，提高了超声波电机的输出性能.P-41陶的极化采件为3kV/mm，120 ℃极化15 min，PMnS-PZN-PZT陶瓷的极化条件为3.5 kV/mm.140℃极化15 min.研究了P-41和PMnS-PZN-PZT压电陶瓷的性能与超声波电机性能的相关性，探讨了电机的导纳、负载、启动与关断和温度特性。结果表明，电机具有较好的瞬态特性，启动时间ams，关断时间<l ms.采用P-41压电陶瓷电机的启动与关断速度比PMnS-PZIN-PZT压电陶登电机的快，与P41压电陶瓷具有非弛豫相变特点有关，说明P41压电陶瓷比较适用于需要反复开关的超声电机.同时，P41电机的QM较小而Aar比较大（TRUM-60 1型电机），具有较好的负载驱动能力。电机的表面温度随运转时间的延长迅速升高，最终在某一温度下稳定运转，采用PMnS-PZN-PZT压电陶瓷电机的表面温度明显低于采用P41压电陶瓷的电机（TRLIM6011电机），与PMnS-PZN-PZT压电陶瓷具有非常低的介电损耗有关，因此这种材料比较适用于需要长时间运转的超声波电机。预压力对电机的性能影响很大，不同尺寸电机具有不同的驱动性能.
上传时间： 2022-06-18
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