这款是SEMIKRON公司的三电平模块数据手册，600V的电压等级75A的额定电流
上传时间： 2017-08-17
上传用户：lihaooliver
这是SEMIKRON公司的IGBT数据手册，三电平，电流等级100A
上传时间： 2017-08-17
上传用户：lihaooliver
针对常用的CT和PT互感器给出了推荐了后端运放处理电路
上传时间： 2017-12-01
上传用户：yjcxqw1985
介绍二级过程控制系统系统在日照钢铁2150板带热连轧加热炉应用，浅析二级过程控制系统组成及其功能，系统基于.NET平台开发，利用visual studio 2012开发环境，用C#设计界面和后台控制。
上传时间： 2018-06-05
上传用户：sungang1226
FD2501 是一个高电压、高速栅极驱动器，能够驱动N型功率MOSFET和IGBT。内置欠压保护功能，防止功率管在过的电压下工作。
标签： Datasheet_V 20150818 HVIC-DS 2501 001 1.2 FD 发布
上传时间： 2019-01-29
上传用户：风梭@6
该参考设计使用隔离的IGBT栅极驱动器和隔离的电流/电压传感器实现了增强的隔离式三相逆变器子系统。所使用的UCC23513栅极驱动器具有6引脚宽体封装，带有光学LED模拟输入，因此可以用作现有光电隔离栅极驱动器的引脚到引脚替换。该设计表明，可以使用用于驱动光隔离栅极驱动器的所有现有配置来驱动UCC23513输入级。使用AMC1300B隔离放大器和直流母线电压进行基于同相分流电阻器的电机电流检测，使用AMC1311隔离放大器进行IGBT模块温度检测。该设计使用C2000™LaunchPad™进行逆变器控制。 特征 三相逆变器功率级，适用于200-480 VAC供电的驱动器，额定输出电流高达14 Arms 具有光电模拟输入和6引脚宽体封装的增强型隔离式栅极驱动器，可用作光电隔离式栅极驱动器的引脚到引脚替换 栅极驱动器具有高达125°C的宽工作环境温度，低参数变化，高CMTI和1500 Vdc的额定工作隔离电压，从而提高了系统的鲁棒性 基于增强的隔离式同相分流电阻器的所有三相电流检测高达25 Apk，过流保护响应<5μs 使用集成放大器的IGBT模块内部集成的NTC，增强型隔离式DC链路电压感应高达800 V，温度感应高达120°C 使用C2000 LaunchPad进行逆变器控制
上传时间： 2020-09-15
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本书共11章。 第1章简要介绍了高电压功率器件的可能应用， 定义了理想功率开关的电特性， 并与典型器件的电特性进行了比较。 第2章和第3章分析了硅基功率晶闸管和碳化硅基功率晶闸管。 第4章讨论了硅门极关断 （GTO） 晶闸管结构。 第5章致力于分析硅基IGBT结构， 以提供对比分析的标准。 第6章和第7章分析了碳化硅MOSFET和碳化硅IGBT的结构。 碳化硅MOSFET 和IGBT的结构设计重点在于保护栅氧化层， 以防止其提前击穿。 另外， 必须屏蔽基区，以避免扩展击穿。 这些器件的导通电压降由沟道电阻和缓冲层设计所决定。 第8章和第9章讨论了金属氧化物半导体控制晶闸（MCT） 结构和基极电阻控制晶闸管 （BRT） 结构， 后者利用MOS栅控制晶闸管的导通和关断。 第10章介绍了发射极开关晶闸（EST）， 该种结构也利用一种MOS栅结构来控制晶闸管的导通与关断， 并可利用IGBT加工工艺来制造。 这种器件具有良好的安全工作区。本书最后一章比较了书中讨论的所有高压功率器件结构。本书的读者对象包括在校学生、 功率器件设计制造和电力电子应用领域的工程技术人员及其他相关专业人员。 本书适合高等院校有关专业用作教材或专业参考书， 亦可被电力电子学界和广大的功率器件和装置生产企业的工程技术人员作为参考书之用。
标签： 大功率器件
上传时间： 2021-11-02
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本书介绍了功率半导体器件的原理、 结构、 特性和可靠性技术， 器件部分涵盖了当前电力电子技术中使用的各种类型功率半导体器件， 包括二极管、 晶闸管、 MOSFET、 IGBT和功率集成器件等。 此外， 还包含了制造工艺、 测试技术和损坏机理分析。 就其内容的全面性和结构的完整性来说， 在同类专业书籍中是不多见的。本书内容新颖， 紧跟时代发展， 除了介绍经典的功率二极管、 晶闸管外， 还重点介绍了MOSFET、 IGBT 等现代功率器件， 颇为难得的是收入了近年来有关功率半导体器件的最新的成果。 本书是一本精心编著， 并根据作者多年教学经验和工程实践不断补充更新的好书， 相信它的翻译出版， 必将有助于我国电力电子事业的发展。本书的读者对象包括在校学生、 功率器件设计制造和电力电子应用领域的工程技术人员及其他相关专业人员。 本书适合高等院校有关专业用作教材或专业参考书， 亦可被电力电子学界和广大的功率器件和装置生产企业的工程技术人员作为参考书之用。
标签： 功率半导体器件
上传时间： 2021-11-07
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ROHM最近推出了SiCMOSFET的新系列产品“SCT3xxxxR系列”。SCT3xxxxR系列采用最新的沟槽栅极结构，进一步降低了导通电阻；同时通过采用单独设置栅极驱动器用源极引脚的4引脚封装，改善了开关特性，使开关损耗可以降低35%左右。此次，针对SiCMOSFET采用4引脚封装的原因及其效果等议题，我们采访了ROHM株式会社的应用工程师。关于SiCMOSFET的SCT3xxxxR系列，除了导通电阻很低，还通过采用4引脚封装使开关损耗降低了35%，对此我们非常感兴趣。此次，想请您以4引脚封装为重点介绍一下该产品。首先，请您大致讲一下4引脚封装具体是怎样的封装，采用这种封装的背景和目的是什么。首先，采用4引脚封装是为了改善SiCMOSFET的开关损耗。包括SiCMOSFET在内的电源开关用MOSFET和IGBT，被作为开关元件广泛应用于各种电源应用和电源线路中。必须尽可能地降低这种开关元件产生的开关损耗和传导损耗，但不同的应用，其降低损耗的方法也不尽相同。作为其中的一种手法，近年来发布了一种4引脚的新型封装，即在MOSFET的源极、漏极、栅极三个引脚之外，另外设置了驱动器源极引脚。此次的SCT3xxxxR系列，旨在通过采用最新的沟槽栅极结构，实现更低的导通电阻和传导损耗；通过采用4引脚封装，进一步发挥出SiC本身具有的高速开关性能，并降低开关损耗。那么，我想详细了解一下刚刚您的概述中出现的几个要点。首先，什么是“驱动器源极引脚”？驱动器源极引脚是应用了开尔文连接原理的源极引脚。开尔文连接是通过电阻测量中的4个引脚或四线检测方式，在电流路径基础上加上两条测量电压的线路，以极力消除微小电阻测量或大电流条件下测量时不可忽略的线缆电阻和接触电阻的影响的方法，是一种广为人知的方法。这种4引脚封装仅限源极，通过使连接栅极驱动电路返回线的源极电压引脚与流过大电流的电源源极引脚独立，来消除ID对栅极驱动电路的影响。
上传时间： 2021-11-07
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，从耐压、电流能力看，可控硅目前仍然是最高的，在某些特定场合，仍然要使用大电流、高耐压的可控硅。但一般的工业自动化场合，功率电子器件已越来越多地使用MOSFET和IGBT，特别是IGBT获得了更多的使用，开始全面取代可控硅来做为新型的功率控制器件
标签： 开关电源
上传时间： 2021-11-24
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