常用三星单片机烧写电压设置参考表 烧写电压说明:Vdd 电压指烧写时加载到芯片Vdd 端子的逻辑电压,Vpp 电压指烧写时加载到芯片Vpp(Test)端子的编程电压, Vpp=12V 是编程器的默认烧写电压,无须特别设置. 由于编程器的默认输出Vpp 电压均为12V,因此在烧写Vpp=3.3V/5.0V 的芯片时,需要对烧写转换适配器作以下改动:将烧写器烧写座引出的Vpp 端子完全空置不用, 并在适配器上将Vdd端子直接连接Vpp 端即可.当用户采用在PCB板上烧写方式时,建议最好能在PCB芯片端的Vpp脚并接一个104 的电容入地,可有效保护在烧写电压加载时板子电路共同作用产生的瞬间过压脉冲不会输入到Vpp 脚而造成Vpp 击穿.S3F84K4 烧写特别说明,由于三星半导体DATA SHEET 要求在对该芯片进行烧写时,须在Vpp 脚加接一个101 的电容到地,因此在使用我站各款烧写器烧写84K4 时,须将烧写器主板上的Vpp 端原来并接的10uf/50V-电解电容和104 电容去掉,另行并接一个101 电容入地即可.不过,据本人特别测试结果,其实不做以上处理对烧写过程没有任何影响, 估计可能是三星半导体对芯片有做过改版,老版本的84K4 才会有以上特别要求,新版本是没有这个要求的.
上传时间： 2013-10-10
上传用户：wcl168881111111
安规设计注意事项1. 件选用(1) 在件选用方面,要求掌握:a .安规件有哪些?(见三.安规件介绍)b.安规件要求安规件的要求就是要取得安规机构的认证或是符合相关安规标准;c.安规件额定值任何件均必须依 MANUFACTURE 规定的额定值使用;I 额定电压;II 额定电;III 温额定值;(2). 件的温升限制a. 一般电子件: 依件规格之额定温值,决定其温上限b. 线圈类: 依其绝缘系统耐温决定Class A ΔT≦75℃Class E ΔT≦90℃Class B ΔT≦95℃Class F ΔT≦115℃Class H ΔT≦140℃c. 人造橡胶或PVC 被覆之线材及电源线类:有标示耐温值 T 者ΔT≦(T-25)℃无标示耐温值 T 者ΔT≦50℃d. Bobbin 类: 无一定值,但须做125℃球压测试;e. 端子类: ΔT≦60℃f. 温升限值I. 如果有规定待测物的耐温值(Tmax),则:ΔT≦Tmax-TmraII. 如果有规定待测物的温升限值(ΔTmax),则:ΔT≦ΔTmax+25-Tmra其中 Tmra=制造商所规定的设备允许操作室温或是25℃
上传时间： 2013-10-14
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特点 精确度0.05%满刻度 ±1位数 显示范围-19999-99999可任意规划 可直接量測直流4至20mA電流,無需另接輔助電源 尺寸小(24x48x50mm),穩定性高 分离式端子,配线容易 CE 认证 主要規格 辅助电源: None 精确度: 0.05% F.S. ±1 digit(DC) 输入抗阻: approx. 250 ohm with 20mA input 输入电压降: max. DC5V with 20mA input 最大过载能力: < ±50mA 取样时间: 2.5 cycles/sec. 显示值范围: -19999 - 99999 digit adjustable 归零调整范围: -999-999 digit adjustable 最大值调整范围: -999-999 digit adjustable 过载显示: " doFL " or "-doFL" 极性显示: " 一 " for negative readings 显示幕 : Brigh Red LEDs high 8.6mm(.338") 温度系数 : 50ppm/℃ (0-50℃) 参数设定方式: Touch switches 记忆型式: Non-volatile E2 外壳材料: ABS 绝缘耐压能力: 2KVac/1 min. (input/case) 使用环境条件: 0-50℃(20 to 90% RH non-condensed) 存放环境条件: 0-70℃(20 to 90% RH non-condensed) 外型尺寸: 24x48x50mm CE认证: EN 55022:1998/A1:2000 Class A EN 61000-3-2:2000 EN 61000-3-3:1995/A1:2001 EN 55024:1998/A1:2001
上传时间： 2013-10-09
上传用户：lhuqi
特点 精确度0.1%满刻度 ±1位数 显示范围-19999-99999可任意规划 可直接量测直流电流/直流电压,无需另接辅助电源 尺寸小(24x48x50mm),稳定性高 分离式端子,配线容易 CE 认证 2.主要規格 辅助电源: None 精确度: 0.1% F.S. ±1 digit(1-100%F.S.) 输入抗阻 : >100Mohm(<2V range) >2Mohm(<2Vrange) < 0.25VA(current ranges) < 1000Vrms(>54V ranges) 最大过载能力: < 150Vrms(<54V ranges)
上传时间： 2013-10-08
上传用户：tiantwo
用二端口S-参数来表征差分电路的特性■ Sam Belkin差分电路结构因其更好的增益，二阶线性度，突出的抗杂散响应以及抗躁声性能而越来越多地被人们采用。这种电路结构通常需要一个与单端电路相连接的界面，而这个界面常常是采用“巴伦”器件（Balun），这种巴伦器件提供了平衡结构-到-不平衡结构的转换功能。要通过直接测量的方式来表征平衡电路特性的话，通常需要使用昂贵的四端口矢量网络分析仪。射频应用工程师还需要确定幅值和相位的不平衡是如何影响差分电路性能的。遗憾的是，在射频技术文献中，很难找到一种能表征电路特性以及衡量不平衡结构所产生影响的好的评估方法。这篇文章的目的就是要帮助射频应用工程师们通过使用常规的单端二端口矢量网络分析仪来准确可靠地解决作为他们日常工作的差分电路特性的测量问题。本文介绍了一些用来表征差分电路特性的实用和有效的方法， 特别是差分电压，共模抑制（CMRR），插入损耗以及基于二端口S-参数的差分阻抗。差分和共模信号在差分电路中有两种主要的信号类型：差分模式或差分电压Vdiff 和共模电压Vcm（见图2）。它们各自的定义如下[1]：• 差分信号是施加在平衡的3 端子系统中未接地的两个端子之上的• 共模信号是相等地施加在平衡放大器或其它差分器件的未接地的端子之上。
上传时间： 2013-10-14
上传用户：叶山豪
Arduino 是一块基于开放原始代码的Simple i/o 平台，并且具有使用类似java,C 语言的开发环境。让您可以快速 使用Arduino 语言与Flash 或Processing…等软件，作出互动作品。Arduino 可以使用开发完成的电子元件例如Switch 或Sensors 或其他控制器、ＬＥＤ、步进电机或其他输出裝置。Arduino 也可以独立运作成为一个可以跟软件沟通的平台，例如说：flash processing Max/MSP VVVV 或其他互动软件… Arduino 开发ＩＤＥ界面基于开放原始码原则，可以让您免费下载使用开发出更多令人惊奇的互动作品。 什么是Roboduino? DFRduino 与Arduino 完全兼容，只是在原来的基础上作了些改进。Arduino 的IO 使用的孔座，做互动作品需要面包板和针线搭配才能进行，而DFRduino 的IO 使用针座，使用我们的杜邦线就可以直接把各种传感器连接到DFRduino 上。 特色描述 1． 开放原始码的电路图设计，程式开发界面免费下载，也可依需求自己修改!! 2． DFRduino 可使用ISP 下载线，自我將新的IC 程序烧入「bootloader」； 3． 可依据官方电路图，简化DFRduino 模组，完成独立云作的微处理控制器； 4． 可简单地与传感器、各式各样的电子元件连接(如：红外线,超声波,热敏电阻,光敏电阻,伺服电机等)； 5． 支援多样的互动程式 如: Flash,Max/Msp,VVVV,PD,C,Processing 等； 6． 使用低价格的微处理控制器(ATMEGA168V-10PI)； 7． USB 接口，不需外接电源，另外有提供9VDC 输入接口； 8． 应用方面，利用DFRduino，突破以往只能使用滑鼠，键盘，CCD 等输入的裝置的互动內容，可以更简单地达成单人或多人游戏互动。 性能描述 1． Digital I/O 数字输入/输出端共 0~13。 2． Analog I/O 模拟输入/输出端共 0~5。 3． 支持USB 接口协议及供电(不需外接电源)。 4． 支持ISP 下载功能。 5． 支持单片机TX/RX 端子。 6． 支持USB TX/RX 端子。 7． 支持AREF 端子。 8． 支持六組PWM 端子(Pin11,Pin10,Pin9，Pin6,Pin5,Pin3)。 9． 输入电压：接上USB 时无须外部供电或外部5V~9V DC 输入。 10．输出电压：5V DC 输出和3.3V DC 输出 和外部电源输入。 11．采用Atmel Atmega168V-10PI 单片机。 12．DFRduino 大小尺寸：宽70mm X 高54mm。 Arduino开发板图片
上传时间： 2013-10-30
上传用户：wangzhen1990
本文将接续介绍电源与功率电路基板，以及数字电路基板导线设计。宽带与高频电路基板导线设计a.输入阻抗1MHz，平滑性(flatness)50MHz 的OP增幅器电路基板图26 是由FET 输入的高速OP 增幅器OPA656 构成的高输入阻抗OP 增幅电路，它的gain取决于R1、R2，本电路图的电路定数为2 倍。此外为改善平滑性特别追加设置可以加大噪讯gain，抑制gain-频率特性高频领域时峰值的R3。图26 高输入阻抗的宽带OP增幅电路图27 是高输入阻抗OP 增幅器的电路基板图案。降低高速OP 增幅器反相输入端子与接地之间的浮游容量非常重要，所以本电路的浮游容量设计目标低于0.5pF。如果上述部位附着大浮游容量的话，会成为高频领域的频率特性产生峰值的原因，严重时频率甚至会因为feedback 阻抗与浮游容量，造成feedback 信号的位相延迟，最后导致频率特性产生波动现象。此外高输入阻抗OP 增幅器输入部位的浮游容量也逐渐成为问题，图27 的电路基板图案的非反相输入端子部位无full ground设计，如果有外部噪讯干扰之虞时，接地可设计成网格状(mesh)。图28 是根据图26 制成的OP 增幅器Gain－频率特性测试结果，由图可知即使接近50MHz频率特性非常平滑，-3dB cutoff频率大约是133MHz。
标签： PCB
上传时间： 2013-11-09
上传用户：z754970244
磁芯电感器的谐波失真分析 摘 要：简述了改进铁氧体软磁材料比损耗系数和磁滞常数ηB，从而降低总谐波失真THD的历史过程，分析了诸多因数对谐波测量的影响，提出了磁心性能的调控方向。 关键词：比损耗系数， 磁滞常数ηB ，直流偏置特性DC-Bias，总谐波失真THD Analysis on THD of the fer rite co res u se d i n i nductancShi Yan Nanjing Finemag Technology Co. Ltd., Nanjing 210033 Abstract: Histrory of decreasing THD by improving the ratio loss coefficient and hysteresis constant of soft magnetic ferrite is briefly narrated. The effect of many factors which affect the harmonic wave testing is analysed. The way of improving the performance of ferrite cores is put forward. Key words: ratio loss coefficient，hysteresis constant，DC-Bias，THD 近年来，变压器生产厂家和软磁铁氧体生产厂家，在电感器和变压器产品的总谐波失真指标控制上，进行了深入的探讨和广泛的合作，逐步弄清了一些似是而非的问题。从工艺技术上采取了不少有效措施，促进了质量问题的迅速解决。本文将就此热门话题作一些粗浅探讨。 一、 历史回顾 总谐波失真（Total harmonic distortion） ，简称THD，并不是什么新的概念，早在几十年前的载波通信技术中就已有严格要求<1>。1978年邮电部公布的标准YD/Z17－78“载波用铁氧体罐形磁心”中，规定了高μQ材料制作的无中心柱配对罐形磁心详细的测试电路和方法。如图一电路所示，利用LC组成的150KHz低通滤波器在高电平输入的情况下测量磁心产生的非线性失真。这种相对比较的实用方法，专用于无中心柱配对罐形磁心的谐波衰耗测试。 这种磁心主要用于载波电报、电话设备的遥测振荡器和线路放大器系统，其非线性失真有很严格的要求。 图中 ZD —— QF867 型阻容式载频振荡器，输出阻抗 150Ω， Ld47 —— 47KHz 低通滤波器，阻抗 150Ω，阻带衰耗大于61dB， Lg88 ——并联高低通滤波器，阻抗 150Ω，三次谐波衰耗大于61dB Ld88 ——并联高低通滤波器，阻抗 150Ω，三次谐波衰耗大于61dB FD —— 30～50KHz 放大器， 阻抗 150Ω， 增益不小于 43 dB，三次谐波衰耗b3(0)≥91 dB, DP —— Qp373 选频电平表，输入高阻抗， L ——被测无心罐形磁心及线圈， C ——聚苯乙烯薄膜电容器CMO-100V-707APF±0.5%,二只。 测量时，所配用线圈应用丝包铜电磁线SQJ9×0.12(JB661-75)在直径为16.1mm的线架上绕制 120 匝， （线架为一格） ， 其空心电感值为 318μH（误差1％） 被测磁心配对安装好后，先调节振荡器频率为 36.6～40KHz， 使输出电平值为+17.4 dB， 即选频表在 22′端子测得的主波电平 （P2）为+17.4 dB，然后在33′端子处测得输出的三次谐波电平（P3）， 则三次谐波衰耗值为：b3(+2)= P2+S+ P3 式中：S 为放大器增益dB 从以往的资料引证， 就可以发现谐波失真的测量是一项很精细的工作，其中测量系统的高、低通滤波器，信号源和放大器本身的三次谐波衰耗控制很严，阻抗必须匹配，薄膜电容器的非线性也有相应要求。滤波器的电感全由不带任何磁介质的大空心线圈绕成，以保证本身的“洁净” ，不至于造成对磁心分选的误判。 为了满足多路通信整机的小型化和稳定性要求， 必须生产低损耗高稳定磁心。上世纪 70 年代初，1409 所和四机部、邮电部各厂，从工艺上改变了推板空气窑烧结，出窑后经真空罐冷却的落后方式，改用真空炉，并控制烧结、冷却气氛。技术上采用共沉淀法攻关试制出了μQ乘积 60 万和 100 万的低损耗高稳定材料，在此基础上，还实现了高μ7000～10000材料的突破，从而大大缩短了与国外企业的技术差异。当时正处于通信技术由FDM（频率划分调制）向PCM（脉冲编码调制） 转换时期， 日本人明石雅夫发表了μQ乘积125 万为 0.8×10 ，100KHz）的超优铁氧体材料<3>，其磁滞系数降为优铁
上传时间： 2013-12-15
上传用户：天空说我在
特点 精确度0.1%满刻度±1位數 可直接量測交直流电压(AC/DC 20~265V)无需另接电源 精密濾波整流,均方根值校正 尺寸小(24x48x50mm),穩定性 分离式端子,配線容易 CE认证
上传时间： 2013-11-05
上传用户：gaome
无论是高压系统还是低压系统，电力系统中性点采用电阻接地的方式越来越普遍。奥兰电气中性点电阻可以限制接地过电压和过电流限制在安全范围内、提高继电保护灵敏度，同时自身造价相对较低，运行持久安全，安装灵活方便。中性点接地电阻柜可将零散的单相变压器、电阻器、隔离开关、电流互感器、温控器、计数器、接地监控（记录）装置、接地故障查找装置.接地保护输出端子等电器设备整体组合在一个封闭金属柜内成套供货；配备电流互感器和动作记录仪，正常时可监视中性点不平衡电流，出现单相接地故障时，可记录动作次数，且可为保护和监控系统提供模拟量输出；装设单相隔离开关，以便在进行检修或实验时隔离电源。接地故障查找装置可以迅速查找到接地故障点以便人工排除接地故障。如果系统变压器采用三角形接线，本产品则加三相接地变压器与之配合使用，对抑制系统过电压、防止各种冲击有很好的作用
上传时间： 2013-11-05
上传用户：ainimao
