用二端口S-参数来表征差分电路的特性■ Sam Belkin差分电路结构因其更好的增益，二阶线性度，突出的抗杂散响应以及抗躁声性能而越来越多地被人们采用。这种电路结构通常需要一个与单端电路相连接的界面，而这个界面常常是采用“巴伦”器件（Balun），这种巴伦器件提供了平衡结构-到-不平衡结构的转换功能。要通过直接测量的方式来表征平衡电路特性的话，通常需要使用昂贵的四端口矢量网络分析仪。射频应用工程师还需要确定幅值和相位的不平衡是如何影响差分电路性能的。遗憾的是，在射频技术文献中，很难找到一种能表征电路特性以及衡量不平衡结构所产生影响的好的评估方法。这篇文章的目的就是要帮助射频应用工程师们通过使用常规的单端二端口矢量网络分析仪来准确可靠地解决作为他们日常工作的差分电路特性的测量问题。本文介绍了一些用来表征差分电路特性的实用和有效的方法， 特别是差分电压，共模抑制（CMRR），插入损耗以及基于二端口S-参数的差分阻抗。差分和共模信号在差分电路中有两种主要的信号类型：差分模式或差分电压Vdiff 和共模电压Vcm（见图2）。它们各自的定义如下[1]：• 差分信号是施加在平衡的3 端子系统中未接地的两个端子之上的• 共模信号是相等地施加在平衡放大器或其它差分器件的未接地的端子之上。
上传时间： 2013-10-14
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QuartusII中利用免费IP核的设计 作者：雷达室 以设计双端口RAM为例说明。 Step1：打开QuartusII，选择File—New Project Wizard，创建新工程，出现图示对话框，点击Next；
上传时间： 2013-10-18
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基于Actel FPGA 的双端口RAM 设计双端口RAM 芯片主要应用于高速率、高可靠性、对实时性要求高的场合，如实现DSP与PCI 总线芯片之间的数据交换接口电路等。但普通双端口RAM 最大的缺点是在两个CPU发生竞争时，有一方CPU 必须等待，因而降低了访问效率。IDT 公司推出的专用双端口RAM 芯片解决了普通双端口RAM 内部竞争问题，并融合了中断、旗语、主从功能。它具有存取速度快、功耗低、可完全异步操作、接口电路简单等优点，但缺点也非常明显，那就是价格太昂贵。为解决IDT 专用双端口RAM 芯片的价格过高问题，广州致远电子有限公司推出了一种全新的基于Actel FPGA 的双端口RAM 的解决方案。该方案采用Actel FPGA 实现，不仅具有IDT 专用双端口RAM 芯片的所有性能特点，更是在价格上得到了很大改善，以A3P060双端口RAM 为例，在相同容量（2K 字节）下，其价格仅为IDT 专用芯片的六分之一。
上传时间： 2013-10-19
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一个端口扫描器
上传时间： 2014-01-12
上传用户：离殇
黑客教程．含有端口扫描、IP欺骗、嗅探器、木马等的说明和例子
上传时间： 2014-06-28
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通过监听其他机器上139端口发来的smb连接请求来得到登录密码的程序例子，有tcp和netbios两种实现方式
上传时间： 2015-01-04
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一个多线程扫描端口程序
上传时间： 2015-01-05
上传用户：wkchong
一个测试端口测试程序
上传时间： 2015-01-05
上传用户：ynsnjs
TGPS 控件是利用串行端口连接全球卫星定位系统设备 ( GPS ) 取得地理位置信息的控件 ( 1.04 版，Delphi 3.0/4.0/5.0/6.0 版适用 )，作者 : Lars Arvidsson。
上传时间： 2014-11-22
上传用户：manlian
完整的子网扫描程序本机和远程机器的端口扫瞄
上传时间： 2014-10-13
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