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P-R

  • 海尔29F3A-P

    海尔29F3A-P

    标签: A-P 29 海尔

    上传时间: 2013-06-19

    上传用户:eeworm

  • ITU-R-BT.656数据协议-15页-0.4M.pdf

    专辑类-超声-红外-激光-无线-通讯相关专辑-183册-1.48G ITU-R-BT.656数据协议-15页-0.4M.pdf

    标签: ITU-R-BT 656 0.4

    上传时间: 2013-05-22

    上传用户:@小小羊

  • 化学[手册]_《化学工程师简明手册》邓忠等[p].pdf

    专辑类-机械五金类专辑-84册-3.02G 化学[手册]_《化学工程师简明手册》邓忠等[p].pdf

    标签: 化学 化学工程师

    上传时间: 2013-07-28

    上传用户:lifangyuan12

  • 数字图像处理-K.R.Castkeman-583页-26.1M.pdf

    专辑类-数字处理及显示技术专辑-106册-9138M 数字图像处理-K.R.Castkeman-583页-26.1M.pdf

    标签: Castkeman 26.1 583

    上传时间: 2013-07-17

    上传用户:Yukiseop

  • [信号与系统(全美经典学习指导系列)].(美)Hwei.P.Hsu.扫描版.rar

    [信号与系统(全美经典学习指导系列)].(美)Hwei.P.Hsu.扫描版 很清晰,经典教材

    标签: Hwei Hsu 信号与系统

    上传时间: 2013-04-24

    上传用户:Pzj

  • 优化ⅡR数字滤波器的FPGA实现

    本文以数字信号处理系统为应用背景,围绕基于FPGA的ⅡR数字滤波器的实现技术展开了研究。 首先以ⅡR数字滤波器的优化设计基本理论为依据,研究了在频域上的最小均方误差设计法和在时域上的最小平方误差设计法。以四阶和六阶两个ⅡR低通数字滤波器设计为例,利用Matlab软件进行辅助设计,探讨了滤波器的设计过程。 然后着重研究了FPGA的设计方法和设计流程,在设计中采用了层次化、模块化的设计思想,将整个滤波器划分为多个功能模块,利用VHDL语言编程和原理图两种设计技术进行了ⅡR滤波器的各个功能模块的设计,采用EPlCl2Q240器件实现了基于FPGA的二个二阶节级联型结构的四阶ⅡR低通数字滤波器,并类推了设计六阶ⅡR低通数字滤波器。最后用QuartusⅡ4.0软件进行了综合与仿真,用MATLAB7.0软件对仿真结果进行了分析,最终在GW48-PK2开发系统中进行了硬件电路验证,得出了实际滤波效果测试波形,验证了所设计滤波器的正确性。 本设计对于用二阶节级联型结构构成的ⅡR数字滤波器硬件电路具有通用性,通过改变二阶节级联型结构的数量,可以构成任意偶数阶的滤波器;同时,通过上模型中系数的变换,也可以构成相应阶数的高通、带通、带阻等滤波器。

    标签: FPGA 数字滤波器

    上传时间: 2013-06-20

    上传用户:lw852826

  • 使8051能访问整个128KB的RAM空间和128KB的FlashRom空间,在CPLD内建两个寄存器\r\n

    8051工作于11.0592MHZ,RAM扩展为128KB的628128,FlashRom扩展为128KB的AT29C010A\r\n 128KB的RAM分成4个区(Bank) 地址分配为0x0000-0x7FFF\r\n 128KB的FlashRom分成8个区(Bank) 地址分配为0x8000-0xBFFF\r\n 为了使8051能访问整个128KB的RAM空间和128KB的FlashRom空间,在CPLD内建两个寄存器\r\n RamBankReg和FlashRomBankReg用于存放高位地址

    标签: 128 FlashRom 8051 KB

    上传时间: 2013-08-30

    上传用户:cainaifa

  • 自己现在用的CPLD下载线原理图用74HC244芯片\r\n

    自己现在用的CPLD下载线,用74HC244芯片\r\n要注意设置下载模式

    标签: CPLD 244 74 HC

    上传时间: 2013-08-31

    上传用户:dancnc

  • <快学易用Protel99se>\r\n

    \r\n经典的Protel99se入门教程,孙辉著北京邮电大学出版社出版

    标签: Protel 99 se

    上传时间: 2013-09-11

    上传用户:Yukiseop

  • p-n结的隧道击穿模型研究

    在理论模型的基础上探讨了电子势垒的形状以及势垒形状随外加电压的变化, 并进行定量计算, 得出隧穿电压随杂质掺杂浓度的变化规律。所得结论与硅、锗p-n 结实验数据相吻合, 证明了所建立的理论模型在定量 研究p-n 结的隧道击穿中的合理性与实用性。该理论模型对研究一般材料或器件的隧道击穿具有重要的借鉴意义。

    标签: p-n 隧道 击穿 模型研究

    上传时间: 2013-10-31

    上传用户:summery