在理论模型的基础上探讨了电子势垒的形状以及势垒形状随外加电压的变化, 并进行定量计算, 得出隧穿电压随杂质掺杂浓度的变化规律。所得结论与硅、锗p-n 结实验数据相吻合, 证明了所建立的理论模型在定量 研究p-n 结的隧道击穿中的合理性与实用性。该理论模型对研究一般材料或器件的隧道击穿具有重要的借鉴意义。
标签： p-n 隧道 击穿 模型研究
上传时间： 2013-10-31
上传用户：summery
N+缓冲层设计对PT-IGBT器件特性的影响至关重要。文中利用Silvaco软件对PT-IGBT的I-V特性进行仿真。提取相同电流密度下，不同N+缓冲层掺杂浓度PT-IGBT的通态压降，得到了通态压降随N+缓冲层掺杂浓度变化的曲线，该仿真结果与理论分析一致。对于PT-IGBT结构，N+缓冲层浓度及厚度存在最优值，只要合理的选取可以有效地降低通态压降。
标签： PT-IGBT 缓冲层
上传时间： 2013-11-12
上传用户：thesk123
随着我国通信、电力事业的发展，通信、电力网络的规模越来越大，系统越来越复杂。与之相应的对交流供电的可靠性、灵活性、智能化、免维护越来越重要。在中国通信、电力网络中，传统的交流供电方案是以UPS或单机式逆变器提供纯净不间断的交流电源。由于控制技术的进步、完善，（N+X）热插拔模块并联逆变电源已经非常成熟、可靠；在欧美的通信、电力发达的国家，各大通信运营商、电力供应商、军队均大量应用了这种更合理的供电方案。与其它方案相比较，（N+X）热插拔模块并联逆变电源具有以下明显的优点。
标签： 热插拔 模块 并联 应用前景
上传时间： 2014-03-24
上传用户：alan-ee
适用于51单片机的串口发n
标签： 51单片机 串口 字节
上传时间： 2014-12-25
上传用户：qingzhuhu
89c51一种用N+1条线实现矩阵键盘
标签： 矩阵键盘
上传时间： 2014-12-26
上传用户：lhw888
求N皇后问题回溯算法
标签： 回溯算法
上传时间： 2014-07-13
上传用户：yph853211
n皇后
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上传时间： 2014-02-18
上传用户：lili123
N*N的陀螺方阵存入一个二维数
标签： 陀螺 二维
上传时间： 2013-12-28
上传用户：84425894
上传时间： 2013-12-27
上传用户：zuozuo1215
Arith-N 是可以在命令行指定阶数的 N 阶上下文自适应算术编码通用压缩、解压缩程序，由于是用作教程示例，为清晰起见，在某些地方并没有刻意进行效率上的优化。由王笨笨大侠提供
标签： Arith-N 命令行 算术编码 程序
上传时间： 2015-01-08
上传用户：bjgaofei
