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Mosfet

金属-氧化物半导体场效应晶体管,简称金氧半场效晶体管(Metal-Oxide-SemiconductorField-EffectTransistor,Mosfet)是一种可以广泛使用在模拟电路与数字电路的场效晶体管(field-effecttransistor)。[1]Mosfet依照其“通道”(工作载流子)的极性不同,可分为“N型”与“P型”的两种类型,通常又称为NMosfet与PMosfet,其他简称上包括NMOS、PMOS等。
  • AN-6076供高电压栅极驱动器IC使用的自举电路的设计和使用准则

    本文讲述了一种运用于功率型Mosfet 和IGBT 设计性能自举式栅极驱动电路的系统方法,适用于高频率,大功率及高效率的开关应用场合。不同经验的电力电子工程师们都能从中获益。在大多数开关应用中

    标签: 6076 AN 高电压 栅极驱动器IC

    上传时间: 2013-04-24

    上传用户:520

  • CR6221 Current Mode PWM Power Switch

    CR6221 combines a dedicated current mode PWM controller with a high voltage power Mosfet. It is opti

    标签: Current Switch Power 6221

    上传时间: 2013-04-24

    上传用户:brucewan

  • CR6228 Current Mode PWM Power Switch

    CR6228 combines a dedicated current mode PWM controller with a high voltage power Mosfet. It is opti

    标签: Current Switch Power 6228

    上传时间: 2013-05-17

    上传用户:natopsi

  • 开关型单两节锂离子锂聚合物充电管理芯片

    HT6298A 为开关型单节或两节锂离子/锂聚合物电池充电管理芯片,非常适合于便携式设备的充电管理应用。HT6298A 集内置功率Mosfet、高精度电压和电流调节器、预充、充电状态指示和充电截止等功

    标签: 开关 充电管理芯片 锂离子 锂聚合物

    上传时间: 2013-06-22

    上传用户:417313137

  • APT IGBT选型手册

    APT的IGBT和Mosfet设计选型参考,一目了然,拥有它,很方便

    标签: IGBT APT 选型手册

    上传时间: 2013-04-24

    上传用户:jujiast99

  • 基于ARM的模糊PID控制器在直流调速中的应用

    直流电动机由于具有良好的调速特性,宽广的调速范围,在某些要求调速的地方,特别是对调速性能指标要求较高的场合,如轧钢机、龙门刨床、高精度机床、电动汽车等中,得到了广泛地应用。国外这类调速系统的价格高,而国内的同类产品性能指标不够稳定,因此设计一个性能价格比较高的直流调速系统,对工业生产具有重要的现实意义。 本文采用ARM S3C2410为控制芯片,以模糊PID为智能控制方法,设计了基于实时嵌入式操作系统μC/OS-Ⅱ的直流电机调速系统。首先对模糊控制及嵌入式系统作了简单介绍,构建了模糊PID控制的直流电机调速系统模型,并在MATLAB环境下,对设计模型进行了仿真,在仿真的基础上设计了控制系统硬、软件,主要包括Mosfet驱动、光电隔离、键盘显示、转速测量、H桥可逆控制部分等,并将嵌入式操作系统μC/OS-Ⅱ移植到该系统中,实现了对直流电机的良好调速性能。 控制系统硬件实现模块化设计,线路简单,可靠性高。软件设计采用可读性强的C语言,自底层向上层的原则设计,程序逻辑性强、易于修改维护。以ARM为核心的控制系统,结构简单,抗干扰能力强,性价比高。仿真和试验表明:基于模糊PID智能控制的直流电机调速方法是可行的,有很好的应用前景。

    标签: ARM PID 模糊 控制器

    上传时间: 2013-04-24

    上传用户:yqq309

  • 基于UC3842反激式开关电源的设计

    开关电源是利用现代电力电子技术,控制开关晶体管开通和关断的时间比率,维持稳定输出电压的一种电源,一般由PWM(脉冲宽度调制)控制IC和 Mosfet构成。本文利用开关电源芯片UC3842设计制作一款新颖的单端反激式、宽电压输入范围、12V8A固定电压输出的96W 开关稳压电源,适用于需要较大电流的直流场合(如对汽车电瓶充电)。

    标签: 3842 UC 反激式开关电源

    上传时间: 2013-06-10

    上传用户:TF2015

  • 几种Mosfet驱动电路的研究

    摘要:介绍并分析研究了几种较简单实用的驱动电路,给出了电路图,部分仿真波形或实验波。 关键词:高频驱动电路

    标签: Mosfet 驱动电路

    上传时间: 2013-06-04

    上传用户:dave520l

  • IGBT模块系列

     IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),绝缘栅双极型晶体管,是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件, 兼有Mosfet的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。GTR饱和压降低,载流密度大,但驱动电流较大;Mosfet驱动功率很小,开关速度快,但导通压降大,载流密度小。IGBT综合了以上两种器件的优点,驱动功率小而饱和压降低。  

    标签: IGBT 模块

    上传时间: 2013-11-03

    上传用户:panpanpan

  • MAX17600数据资料

     The MAX17600–MAX17605 devices are high-speedMosfet drivers capable of sinking /sourcing 4A peakcurrents. The devices have various inverting and noninvertingpart options that provide greater flexibility incontrolling the Mosfet. The devices have internal logiccircuitry that prevents shoot-through during output-statchanges. The logic inputs are protected against voltagespikes up to +14V, regardless of VDD voltage. Propagationdelay time is minimized and matched between the dualchannels. The devices have very fast switching time,combined with short propagation delays (12ns typ),making them ideal for high-frequency circuits. Thedevices operate from a +4V to +14V single powersupply and typically consume 1mA of supply current.The MAX17600/MAX17601 have standard TTLinput logic levels, while the MAX17603 /MAX17604/MAX17605 have CMOS-like high-noise margin (HNM)input logic levels. The MAX17600/MAX17603 are dualinverting input drivers, the MAX17601/MAX17604 aredual noninverting input drivers, and the MAX17602 /MAX17605 devices have one noninverting and oneinverting input. These devices are provided with enablepins (ENA, ENB) for better control of driver operation.

    标签: 17600 MAX 数据资料

    上传时间: 2013-12-20

    上传用户:zhangxin