静电放电（Electrostatic Discharge，ESD）是构成集成电路可靠性的主要因素之一，存在于生产到使用的每一个环节，并成为开发新一代工艺技术的难点之一，近年来，对ESD的研究也因而越来越受到重视，仿真工具在ESD领域的应用使得ESD防护的研究变得更为便利，可大幅缩短研发周期然而，由于ESD现象复杂的物理机制，极端的电场及温度条件，以及ESD仿真中频繁的不收敛现象，都使得FSD的仿真变得极为困难本文详细阐述了ESD的来源、造成的危害以及如何测试集成电路的防静电冲击能力，并基于 Sentaurus软件，对ESD防护器件展开了的分析、研究，内容包括1）掌握ESD保护的基本理论、测试方法和防护机理2）研究了工艺仿真流程的步骤以及网格定义在工艺仿真中的重要性，并对网格定义的方法进行了探讨3）硏究了器件仿真流程以及器件仿真中的物理模型和模型函数，并对描述同一物理机制的的各种不同模型展开对比分析.主要包括传输方程模型、能帶模型、各种迁移率退化模型、雪崩离化模型和复合模型4）研究了双极型晶体管和可控硅（Silicon Controlled rectifier，SCR）防护器件的仿真，并通过对仿真结果的分析，研究了ESD保护器件在ESD应力作用下的工作机理关键词：静电放电；网格；器件仿真；双极型晶体管；可控硅
上传时间： 2022-03-30
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深入理解Mosfet中文手册怎么看，看哪里，哪里是重点，在我们选型的时候到底需要关注哪些点，本文很好的诠释了中文手册到底要看哪些东西对我们才有用，希望大家多多支持!!
标签： mosfet
上传时间： 2022-04-01
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设计功率MOSFET驱动电路时需重点考虑寄生参数对电路的影响。米勒电容作为MOSFET器件的一项重要参数,在驱动电路的设计时需要重点关注。重点观察了MOSFET的开通和关断过程中栅极电压、漏源极电压和漏源极电流的变化过程,并分析了米勒电容、寄生电感等寄生参数对漏源极电压和漏源极电流的影响。分析了栅极电压在米勒平台附近产生振荡的原因,并提出了抑制措施,对功率MOSFET的驱动设计具有一定的指导意义。When designing the drive circuit of power MOSFET,the influence of parasitic parameters on the circuit should be concerned.As an important parameter of MOSFET device,Miller capacitance should be considered in the design of drive circuit.The variation of gate voltage,drain source voltage and drain source current during the turn-on and turn-off of MOSFET were observed.The influences of parasitic parameters such as Miller capacitance and parasitic inductance on drain source voltage and drain source current were analyzed.The reasons of gate voltage oscillation nearby Miller plateau were analyzed,and the restraining measures were put forward.This research was instructive for the drive design of power MOSFET.
标签： mosfet
上传时间： 2022-04-02
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MOSFET单相全桥无源逆变电路
上传时间： 2022-04-04
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TVS保护电路
上传时间： 2022-04-06
上传用户：1208020161
IGBT驱动电路原理及保护电路，有需要的可以参考！
上传时间： 2022-04-13
上传用户：jason_vip1
MOSFET(MOS场效应管)工作原理，有需要的可以参考！
上传时间： 2022-04-19
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二合一电池保护IC资料，二合一电池保护IC资料，二合一电池保护IC资料
标签： 电池保护
上传时间： 2022-04-20
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3130锂电池保护电路芯片-无锡平芯微PW3130
标签： 锂电
上传时间： 2022-04-28
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(网盘)继电保护 华北电力大学视频，分享给大家，希望对大家有所帮助
标签： 继电保护
上传时间： 2022-06-04
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