特点： 精确度0.1%满刻度 可作各式數學演算式功能如:A+B/A-B/AxB/A/B/A&B(Hi or Lo)/|A|/ 16 BIT类比输出功能 输入与输出绝缘耐压2仟伏特/1分钟(input/output/power) 宽范围交直流兩用電源設計 尺寸小,穩定性高
上传时间： 2014-12-23
上传用户：ydd3625
看到不少网友对COOLMOS感兴趣，把自己收集整理的资料、个人理解发出来，与大家共享。个人理解不一定完全正确，仅供参考。COOLMOS（super junction）原理，与普通VDMOS的差异如下： 对于常规VDMOS器件结构，大家都知道Rdson与BV这一对矛盾关系，要想提高BV，都是从减小EPI参杂浓度着手，但是外延层又是正向电流流通的通道，EPI参杂浓度减小了，电阻必然变大，Rdson就大了。所以对于普通VDMOS，两者矛盾不可调和。8 X( ?1 B4 i* q: i但是对于COOLMOS，这个矛盾就不那么明显了。通过设置一个深入EPI的的P区，大大提高了BV，同时对Rdson上不产生影响。为什么有了这个深入衬底的P区，就能大大提高耐压呢？
标签： COOLMOS
上传时间： 2014-12-23
上传用户：标点符号
开关在电路中起接通信号或断开信号的作用。最常见的可控开关是继电器，当给驱动继电器的驱动电路加高电平或低电平时，继电器就吸合或释放，其触点接通或断开电路。CMOS模拟开关是一种可控开关，它不象继电器那样可以用在大电流、高电压场合，只适于处理幅度不超过其工作电压、电流较小的模拟或数字信号。 一、常用CMOS模拟开关引脚功能和工作原理 1.四双向模拟开关CD4066 CD4066 的引脚功能如图1所示。每个封装内部有4个独立的模拟开关，每个模拟开关有输入、输出、控制三个端子，其中输入端和输出端可互换。当控制端加高电平时，开关导通；当控制端加低电平时开关截止。模拟开关导通时，导通电阻为几十欧姆；模拟开关截止时，呈现很高的阻抗，可以看成为开路。模拟开关可传输数字信号和模拟信号，可传输的模拟信号的上限频率为40MHz。各开关间的串扰很小，典型值为－50dB。
上传时间： 2013-10-27
上传用户：bibirnovis
特点(FEATURES) 精确度0.1%满刻度 (Accuracy 0.1%F.S.) 可作各式数学演算式功能如:A+B/A-B/AxB/A/B/A&B(Hi or Lo)/|A| (Math functioA+B/A-B/AxB/A/B/A&B(Hi&Lo)/|A|/etc.....) 16 BIT 类比输出功能(16 bit DAC isolating analog output function) 输入/输出1/输出2绝缘耐压2仟伏特/1分钟(Dielectric strength 2KVac/1min. (input/output1/output2/power)) 宽范围交直流两用电源设计(Wide input range for auxiliary power) 尺寸小,稳定性高(Dimension small and High stability)
上传时间： 2013-11-24
上传用户：541657925
差动保护整定范例一： 三圈变压器参数如下表： 变压器容量Se 31500KVA 变压器接线方式 Yn，y，d11 变压器变比Ue 110kV/35kV/10kV 110kV侧TA变比nTA 300/5 35KV侧TA变比nTA 1000/5 10KV侧TA变比nTA 2000/5 TA接线 外部变换方式 一次接线 10kV侧双分支 调压ΔU ±8×1.25% 电流互感器接线系数Kjx 当为Y接线时为1，当为Δ接线时为 区外三相最大短路电流 假设为1000A(此值需根据现场情况计算确定) 计算： 高压侧二次额定电流 中压侧二次额定电流 低压侧二次额定电流
上传时间： 2013-11-01
上传用户：edisonfather
#include<iom16v.h> #include<macros.h> #define uint unsigned int #define uchar unsigned char uint a,b,c,d=0; void delay(c) { for for(a=0;a<c;a++) for(b=0;b<12;b++); }; uchar tab[]={ 0xc0,0xf9,0xa4,0xb0,0x99,0x92,0x82,0xf8,0x80,0x90,
上传时间： 2013-10-21
上传用户：13788529953
对应程序： #include<reg52.h> #define uint unsigned int #define uchar unsigned char uchar code tab[]={ 0x81, 0x42, 0x24, 0x18, }; void delay(uint z) { uint i,j; for(i=z;i>0;i--) for(j=120;j>0;j--); } void init() { P0=0x00; }
上传时间： 2014-01-17
上传用户：ruan2570406
a_bit equ 20h ;个位数存放处 b_bit equ 21h ;十位数存放处 temp equ 22h ;计数器寄存器 star: mov temp,#0 ;初始化计数器 stlop: acall display inc temp mov a,temp cjne a,#100,next ;=100重来 mov temp,#0 next: ljmp stlop ;显示子程序 display: mov a,temp ;将temp中的十六进制数转换成10进制 mov b,#10 ;10进制/10=10进制 div ab mov b_bit,a ;十位在a mov a_bit,b ;个位在b mov dptr,#numtab ;指定查表启始地址 mov r0,#4 dpl1: mov r1,#250 ;显示1000次 dplop: mov a,a_bit ;取个位数 MOVC A,@A+DPTR ;查个位数的7段代码 mov p0,a ;送出个位的7段代码
上传时间： 2013-11-06
上传用户：lx9076
#include<reg51.h>/*************************ds1302与at89s52引脚连接********************/sbit T_RST=P3^5; sbit T_CLK=P3^6; sbit T_IO=P3^7; sbit ACC0=ACC^0;sbit ACC7=ACC^7;unsigned char seg[]={0x00,0x01,0x02,0x03,0x04,0x05,0x06,0x07,0x08,0x09}; //0~~9段码 /******************DS1302：写入操作(上升沿)*********************/ void write_byte(unsigned char da){ unsigned char i; ACC=da; for(i=8;i>0;i--) { T_IO=ACC0; T_CLK=0; T_CLK=1; ACC=ACC>>1; }} /******************DS1302：读取操作（下降沿）*****************/unsigned char read_byte(void){ unsigned char i; for(i=0;i<8;i++) { ACC=ACC>>1; T_CLK = 1; T_CLK = 0; ACC7 = T_IO; } return(ACC); } /******************DS1302:写入数据（先送地址，再写数据）***************************/ void write_1302(unsigned char addr,unsigned char da){ T_RST=0; //停止工作 T_CLK=0; T_RST=1; //重新工作 write_byte(addr); //写入地址 write_byte(da); T_RST=0; T_CLK=1;}
上传时间： 2014-01-17
上传用户：sglccwk
//芯片资料请到www.elecfans.com查找 //DS1820 C51 子程序//这里以11.0592M晶体为例，不同的晶体速度可能需要调整延时的时间//sbit DQ =P2^1;//根据实际情况定义端口 typedef unsigned char byte;typedef unsigned int word; //延时void delay(word useconds){ for(;useconds>0;useconds--);} //复位byte ow_reset(void){ byte presence; DQ = 0; //pull DQ line low delay(29); // leave it low for 480us DQ = 1; // allow line to return high delay(3); // wait for presence presence = DQ; // get presence signal delay(25); // wait for end of timeslot return(presence); // presence signal returned} // 0=presence, 1 = no part //从 1-wire 总线上读取一个字节byte read_byte(void){ byte i; byte value = 0; for (i=8;i>0;i--) { value>>=1; DQ = 0; // pull DQ low to start timeslot DQ = 1; // then return high delay(1); //for (i=0; i<3; i++); if(DQ)value|=0x80; delay(6); // wait for rest of timeslot } return(value);} //向 1-WIRE 总线上写一个字节void write_byte(char val){ byte i; for (i=8; i>0; i--) // writes byte, one bit at a time { DQ = 0; // pull DQ low to start timeslot DQ = val&0x01; delay(5); // hold value for remainder of timeslot DQ = 1; val=val/2; } delay(5);} //读取温度char Read_Temperature(void){ union{ byte c[2]; int x; }temp; ow_reset(); write_byte(0xCC); // Skip ROM write_byte(0xBE); // Read Scratch Pad temp.c[1]=read_byte(); temp.c[0]=read_byte(); ow_reset(); write_byte(0xCC); //Skip ROM write_byte(0x44); // Start Conversion return temp.x/2;}
上传时间： 2013-11-03
上传用户：hongmo
