关于MOSFET应用时的热设计方法。
标签： MOSFET 散热 设计方法
上传时间： 2013-10-31
上传用户：shen954166632
本文是关于电路中的 BJT 与 MOSFET开关应用的讨论。 前段时间，一同学跟我说，他用单片机做了一个简单的 LED 台灯，用 PWM的方式控制灯的亮度，但是发现 BJT 总是很烫。他给我的电路图如图一，我问他3V 时 LED 的发光电流是多大，他说大概十几到二十 mA，我又问他电阻多大，他说 10KΩ。于是我笑笑说你把电阻小一点就好了。他回去一试，说用了个 1KΩ的电阻，就没有任何问题了。 我很失望他没有问我为什么要这么做，这可能是大多数电子爱好初学者存在的问题，他们的动手能力很强，但是并不注重基本的理论知识。他们大多数情况下都是“依葫芦画瓢”，借用现成的电路使用，就连参数和器件型号的选择都疏于考虑。
标签： MOSFET BJT 开关应用
上传时间： 2013-11-02
上传用户：ZJX5201314
分析了对功率MOSFET器件的设计要求；设计了基于EXB841驱动模块的功率MOSFET驱动保护电路。该电路具有结构简单，实用性强，响应速度快等特点。在电涡流测功机励磁线圈驱动电路中的实际应用证明，该电路驱动能力及保护功能效果良好。
标签： MOSFET 功率 驱动保护电路 方案
上传时间： 2014-01-25
上传用户：hz07104032
开通过程[ t0 ~ t4 ]： -- 在 t0 前，MOSFET 工作于截止状态，t0 时，MOSFET 被驱动开通； -- [t0-t1]区间，MOSFET 的GS 电压经Vgg 对Cgs 充电而上升，在t1 时刻，到达维持电压Vth，MOSFET 开始导电；
标签： MOSFET 功率 关断
上传时间： 2013-10-14
上传用户：ks201314
摘要：从功率MOSFET内部结构和极间电容的电压依赖关系出发，对功率MOSFET的开关现象及其原因进行了较深入分析。从实际应用的角度，对功率MOSFET开关过程的功率损耗和所需驱动功率进行了研究，提出了有关参数的计算方法，并对多种因素对开关特性的影响效果进行了实验研究，所得出的结论对于功率MOSFET的正确运用和设计合理的MOSFET驱动电路具有指导意义．
标签： MOSFET Power 实际应用 条件下
上传时间： 2013-11-10
上传用户：wfeel
本文主要研究高频功率MOSFET的驱动电路和在动态开关模式下的并联均流特性。首先简要介绍功率MOSFET的基本工作原理及静态及动态特性，然后根据功率MOSFET对驱动电路的要求，对驱动电路进行了参数计算并且选择应用了实用可靠的驱动电路。此外，对功率MOSFET在兆赫级并联山于不同的参数影响而引起的电流分配不均衡问题做了仿真研究及分析。
标签： MOSFET 高频 功率 驱动电路
上传时间： 2013-11-22
上传用户：lijinchuan
从线路布线和参数配置等方面分析了导致MOSFET并联时电压和电流不均衡的原因，并联MOSFET易产生振荡的原因作了详细的分析，并辅以仿真说明振荡产生的原因。
标签： MOSFET 功率 并联
上传时间： 2014-12-23
上传用户：xiaohanhaowei
结合功率MOSFET管不同的失效形态，论述了功率MOSFET管分别在过电流和过电压条件下损坏的模式，并说明了产生这样的损坏形态的原因，也分析了功率MOSFET管在关断及开通过程中发生失效形态的差别，从而为失效在关断或在开通过程中发生损坏提供了判断依据。给出了测试过电流和过电压的电路图。同时分析了功率MOSFET管在动态老化测试中慢速开通、在电池保护电路应用中慢速关断及较长时间工作在线性区时损坏的形态。最后，结合实际应用，论述了功率MOSFET通常会产生过电流和过电压二种混合损坏方式损坏机理和过程。
标签： MOSFET 开关电源 功率 分
上传时间： 2013-11-14
上传用户：dongqiangqiang
功率MOSFET的驱动电路和保护技术
标签： MOSFET 功率 保护技术 驱动电路
上传时间： 2013-10-22
上传用户：wutong
深入理解理解功率MOSFET的RDSON
标签： MOSFET RDS 功率
上传时间： 2013-10-12
上传用户：zjwangyichao
