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MOSFET驱动器

  • mosfet并联使用

    mosfet并联使用介绍了并联使用的注意事项,特别注意避开Vgsth zero thermal coefficient以下的正温特性设计

    标签: mosfet 并联

    上传时间: 2022-03-01

    上传用户:bluedrops

  • 步进电机驱动器资料 DRV8825手册

    步进电机驱动器资料,DRV8825手册,非常好用的一款步进电机驱动芯片

    标签: 步进电机 驱动器 drv8825

    上传时间: 2022-03-10

    上传用户:kingwide

  • PT4211-30V350mA高亮度LED恒流驱动器 ALTIUM AD设计硬件原理图+PCB文件

    PT4211-30V350mA高亮度LED恒流驱动器 ALTIUM AD设计硬件原理图+PCB 工程文件 概述    PT4211是一款连续电感电流导通模式的降压恒流源,专门针对用于驱动1-3颗串联LED而设计。PT4211可接受的输入电压范围从5伏到30伏,输出电流可调至最大350mA。    PT4211 内置功率开关,采用高端电流采样方式,通过一个外部电阻设定LED平均电流。专用调光DIM引脚可以接受宽范围的PWM调光信号。当DIM的电压低于0.4伏时,功率开关关断,PT4211进入极低工作电流的待机状态。     PT4211采用SOT23-5封装。    关键特性极少的外部元器件输入电压范围从5V到30V最大输出350mA电流专用调光管脚可接受PWM调光3%的输出电流精度LED开路自然保护高达93%的效率输出可调的恒流控制方法软过温保护尽大可能减少高温下LED闪烁

    标签: pt4211 led 驱动器

    上传时间: 2022-03-17

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  • PM404F开关电源驱动器应用于低压推挽电路

    PM404F开关电源驱动器 应用于低压推挽电路                 

    标签: pm404f 开关电源 驱动器

    上传时间: 2022-03-17

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  • 基于STM32的无刷直流电机控制驱动器硬件设计

    基于STM32的无刷直流电机控制驱动器硬件设计共5页这是一份非常不错的资料,欢迎下载,希望对您有帮助!

    标签: stm32 无刷直流电机

    上传时间: 2022-03-18

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  • MOSFET的datasheet详细说明-中文手册

    这个是安世半导体关于mosfet的详细应用手册,可以快速了解mosfet的内容。

    标签: mosfet

    上传时间: 2022-03-19

    上传用户:canderile

  • 反激结构的极其均衡LED驱动器电路图

    反激结构的极其均衡LED驱动器电路图                

    标签: led 驱动器

    上传时间: 2022-03-29

    上传用户:得之我幸78

  • 高频率MOSFET驱动电路PCB

    MOSFET,碳化硅的驱动电路PCB,最高驱动频率可达2Mhz,带过流保护功能,带隔离

    标签: mosfet 驱动电路 pcb

    上传时间: 2022-03-30

    上传用户:trh505

  • 深入理解MOSFET规格书.pdf

    深入理解Mosfet中文手册怎么看,看哪里,哪里是重点,在我们选型的时候到底需要关注哪些点,本文很好的诠释了中文手册到底要看哪些东西对我们才有用,希望大家多多支持!!

    标签: mosfet

    上传时间: 2022-04-01

    上传用户:d1997wayne

  • MOSFET开关过程的研究及米勒平台振荡的抑制

    设计功率MOSFET驱动电路时需重点考虑寄生参数对电路的影响。米勒电容作为MOSFET器件的一项重要参数,在驱动电路的设计时需要重点关注。重点观察了MOSFET的开通和关断过程中栅极电压、漏源极电压和漏源极电流的变化过程,并分析了米勒电容、寄生电感等寄生参数对漏源极电压和漏源极电流的影响。分析了栅极电压在米勒平台附近产生振荡的原因,并提出了抑制措施,对功率MOSFET的驱动设计具有一定的指导意义。When designing the drive circuit of power MOSFET,the influence of parasitic parameters on the circuit should be concerned.As an important parameter of MOSFET device,Miller capacitance should be considered in the design of drive circuit.The variation of gate voltage,drain source voltage and drain source current during the turn-on and turn-off of MOSFET were observed.The influences of parasitic parameters such as Miller capacitance and parasitic inductance on drain source voltage and drain source current were analyzed.The reasons of gate voltage oscillation nearby Miller plateau were analyzed,and the restraining measures were put forward.This research was instructive for the drive design of power MOSFET.

    标签: mosfet

    上传时间: 2022-04-02

    上传用户:默默