mos管门级驱动电阻计算
上传时间： 2013-12-19
上传用户：王楚楚
MOS管应用笔记
上传时间： 2013-12-09
上传用户：康郎
基于N沟道MOS管H桥驱动电路设计与制作
上传时间： 2014-08-01
上传用户：1109003457
下面是我对MOSFET及MOSFET驱动电路基础的一点总结，其中参考了一些资料，非全部原创。包括MOS管的介绍，特性，驱动以及应用电路。
上传时间： 2013-11-18
上传用户：文993
MOS关模型 Cgs：由源极和沟道区域重叠的电极形成的，其电容值是由实际区域的大小和在不同工作条件下保持恒定。Cgd：是两个不同作用的结果。第一JFET区域和门电极的重叠，第二是耗尽区电容（非线性）。等效的Cgd电容是一个Vds电压的函数。Cds：也是非线性的电容，它是体二极管的结电容，也是和电压相关的。这些电容都是由Spec上面的Crss，Ciss和Coss决定的。由于Cgd同时在输入和输出，因此等效值由于Vds电压要比原来大很多，这个称为米勒效应。由于SPEC上面的值按照特定的条件下测试得到的，我们在实际应用的时候需要修改Cgd的值。
上传时间： 2013-12-09
上传用户：qlpqlq
德州仪器(TI)通过多种不同的处理工艺提供了宽范围的运算放大器产品，其类型包括了高精度、微功耗、低电压、高电压、高速以及轨至轨。TI还开发了业界最大的低功耗及低电压运算放大器产品选集，其设计特性可满足宽范围的多种应用。为使您的选择流程更为轻松，我们提供了一个交互式的在线运算放大器参数搜索引擎——amplifier.ti.com/search，可供您链接至各种不同规格的运算放大器。设计考虑因素为某项应用选择最佳的运算放大器所要考虑的因素涉及到多个相关联的需求。为此，设计人员必须经常权衡彼此矛盾的尺寸、成本、性能等指标因素。即使是资历最老的工程师也可能会为此而苦恼，但您大可不必如此。紧记以下的几点，您将会发现选择范围将很快的缩小至可掌控的少数几个。电源电压(VS)——选择表中包括了低电压（最小值低于2.7V）及宽电压范围（最小值高于5V）的部分。其余运放的选择类型（例如精密），可通过快速查验供电范围栏来适当选择。当采用单电源供电时，应用可能需要具有轨至轨(rail-to-rail)性能，并考虑精度相关的参数。精度——主要与输入偏移电压(VOS)相关，并分别考虑随温度漂移、电源抑制比(PSRR)以及共模抑制比(CMRR)的变化。精密(precision)一般用于描述具有低输入偏置电压及低输入偏置电压温度漂移的运算放大器。微小信号需要高精度的运算放大器，例如热电偶及其它低电平的传感器。高增益或多级电路则有可能需求低偏置电压。
上传时间： 2013-11-25
上传用户：1966649934
为了缩短加法电路运行时间，提高FPGA运行效率，利用选择进位算法和差额分组算法用硬件电路实现32位加法器，差额分组中的加法单元是利用一种改进的超前进位算法实现，选择进位算法可使不同的分组单元并行运算，利用低位的运算结果选择高位的进位为1或者进位为零的运算结果，节省了进位选择等待的时间，最后利用XILINX进行时序仿真，在FPGA上进行验证，可稳定运行在高达50兆的频率，理论分析与计算机仿真表明该算法切实可行、有效并且易于实现。
上传时间： 2013-12-19
上传用户：jshailingzzh
通俗易懂的介绍MOS管和使用方法
上传时间： 2014-08-23
上传用户：woshinimiaoye
开关电源，电机驱动用MOS管：2SK2843
上传时间： 2013-10-27
上传用户：wsf950131
DC-DC电路中电感选择
上传时间： 2013-11-19
上传用户：copu
