基于SiC MOSFET的20kW全桥LLC变换器 分享一个基于SiC MOSFET的20kW全桥LLC变换器 Demo
上传时间: 2021-12-21
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此评估硬件的目的是演示Cree第三代碳化硅(SiC)金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)在全桥LLC电路中的系统性能,该电路通常可用于电动汽车的快速DC充电器。 采用4L-TO247封装的新型1000V额定器件专为SiC MOSFET设计,具有开尔文源极连接,可改善开关损耗并减少门电路中的振铃。 它还在漏极和源极引脚之间设有一个凹口,以增加蠕变距离,以适应更高电压的SiC MOSFET。图1. 20kW LLC硬件采用4L-TO247封装的最新Cree 1000V SiC MOSFET。该板旨在让用户轻松:在全桥谐振LLC电路中使用4L-TO247封装的新型1000V,65mΩSiCMOSFET时,评估转换器级效率和功率密度增益。检查Vgs和Vds等波形以及振铃的ID。
上传时间: 2022-07-17
上传用户:zhaiyawei
该变换器由开关电桥(半桥MOSFET)、LLC谐振电路、全桥整流器和输出滤波器(Co)组成。谐振电路由变压器的一次漏感(Llkp)、二次漏感(Llks)、磁化电感(Lm)和电容Cr组成
上传时间: 2022-07-28
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该文提出一种新颗的三电平LLc串联电流谐振型Dc,Dc变换器。每个主开关电压应力是输入电压的一半,并且全范围实现zvs而不用附加任何电路。整流二极管工作在zcs状态。该变换器通过_次谐振的手段使得以较小的频率变化范围就可以实现较大的输入输出调节范围。整个变换器只需一颗磁元件。
上传时间: 2013-10-16
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随着电力电子技术的飞速发展,高频开关电源由于其诸多优点已经广泛深入到国防、工业、民用等各个领域,与人们的工作、生活密切相关,由此引发的电网谐波污染也越来越受到人们的重视,对其性能,体积,效率,功率密度等的要求也越来越高。因此,研究具有高功率因数、高效率的ACDC变换技术,对于抑制谐波污染、节钓能源及实现绿色电能变换具有重要意义通过分析目前功率因数校正PFC)技术与直流变换(DcDC)技术的研究现状,采用了具有两级结构的AcDc变换技术,对PFC控制技术,直流变换软开关实现等内容进行了研究。前级PFC部分采用先进的单周期控制技术,通过对其应用原理、稳定性与优势性能的研究,实璄了主电路及控电路的参数设计与优化,简化了PFC控制电路结构、根据控制电路特点与系統环路稳性要求,完成了电流环路与整个控制环路设计,确保了系统稳定性,提高了系统动态响应。通过建立电路闭环仿真模型,验证了单周期控制抑制输入电压与负载扰动的优势性能及连续功率因数校正的优点,优化了电路参数后级直流变换主电路采用LLC谐振拓扑,通过变频控制使直流变换环节具有轼开关特性。分析了不同开关频率范围内电路工作原理,并建立了基波等效电路,采用基波分析法对VLc需城电路的电反增益性,输入阻抗持性进行了研究,确定了电路软开关工作范图。以基波分析结果为基础进行了合理的电路参数优化设计,保证了直流变换环节在全输入电压范围、全负载范围内能实现桥臂开关管零电压开通zVS},较大范围内边整流二极管零电流关断区CS),并将谐振电路中的电压电流应力降到最小,极大的提高了系统效率同时,为了提高系统功率密度,选择了优化的磁性元器件结构,实现了谐振感性元件与变压器的磁性器件集成,大大减小了变换电路的体积在理论研究与参数设计的基础上,搭建了实验样机,分别对PFC部分和DcDC部分进行了实验验证与结果分析。经实验验证ACDc变换电路功率因数在0.988以上,直瓿变换电路能实现全范图软开关,实现了高效率AcDC变换。关键词:ACDC变换:功率因数校正:;高效率;LLC谐振电路:单周期控制
上传时间: 2022-03-24
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全桥变换器中磁通不平衡的抑制。
上传时间: 2013-10-22
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为了对电容重复频率且高能量转换效率地充电,开展了全桥串联谐振充电电源的理论设计。通过数值解析的方法获得谐振电感、电容、功率器件耐压与通流、电源功率、脉冲变压器伏秒数等参数,通过数值模拟的方法获得脉冲变压器励磁电感参数,以基于Pspice的全电路仿真验证设计参数的合理性。仿真结果表明为了实现对110 nF电容1 kHz重频充电,在初级电压为1.2 kV和谐振参数为33 kHz时,谐振电感、电容应分别为625 nH,37 μF,脉冲变压器伏秒数、励磁电感至少分别应为45 mVs、1 mH,功率器件峰值电流约300 A。
上传时间: 2013-11-08
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高频变压器一次侧串联LLC+输出端并联Buck级联直流变换器
上传时间: 2021-12-03
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半桥LLC 谐振转换器的设计考虑及安森美半导体解决方案
上传时间: 2021-12-04
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基于DSP设计的数字化大功率电源数字化全桥变换器电源ALTIUM设计硬件原理图+PCB文件,包括主板和控制板2个硬件,均为4层板设计,ALTIUM设计的硬件工程文件,包括完整的原理图和PCB文件,可以做为你的设计参考。主板原理图器件如下:Library Component Count : 55Name Description----------------------------------------------------------------------------------------------------6CWQ09F Schottky Rectifier7416474HC16474LS1647805 7812 7815 7824 ACT45B 共模电感ARRESTER R27030059BAV99 R26010005BRIDGE R26060153CAPCB CD CON4 ConnectorComponent_1_1 D-1N5819 DiodeDEDIO-SMDELECTRO1 R21010742FUSE R27010205HOLHeader 3 Header, 3-PinHeader 6 Header, 6-PinHeader 7 Header, 7-PinIR1150S JQX-115F-I L0 L2 LBAV70 R26010012LM358MOSFET N NMOS-2 R26110100NPN R26080003OPTOISO1 R25030015PNP PNP TransistorR-NTCR20190006 R20190075R21020037 R21020037/工业B/消费C/瓷片电容/4700pF±20%/250Vac/Y2/Y5U/引脚间距7.5mmR26020054 R26020054/工业A/消费C/快恢复二极管/1000V/1A/1.7V/75ns/SMA/US1M-E3-61TR26030048 R26030048/工业A/消费B/肖特基二极管/1A/100V/0.79V/SMA/SS110LR26030097 R26030097/工业B/肖特基二极管/60V/1A/0.70V/SMA/B160R29030691 R29030691/防雷接地座/最大尺寸7.36*7*10/紫铜镀锡RES R20190099RES2 RES_1Res3 ResistorTL431 TRANS01TRANS7-9 Transformer UCC3804VARISTOR R27030060ZENERu型槽3.5x7
标签: tms320f28035 dsp 全桥变换器
上传时间: 2021-12-22
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