三菱PLC的学习FLASH
上传时间： 2013-12-29
上传用户：leyesome
FLASH短接图
上传时间： 2013-10-11
上传用户：shus521
NAND FLASH在储存测试系统中的应用
上传时间： 2013-11-19
上传用户：star_in_rain
串行NOR Flash是用串口进行连续数据存取的小尺寸、低功耗Flash存储器；相对于并行Flash，它用更少的引脚传送数据，这降低了系统空间、功耗、成本。它内部的地址空间是线性的，随机访问速度快；它的传输效率高，在1~ 4MB的小容量时具有很高的性价比。更重要的是，串行NOR Flash的读写操作十分简单。这些优势使得串行NOR Flash被广泛地用于微型、低功耗的数据存储系统。串行NOR Flash 可通过SPI进行操作。用户根据NOR Flash芯片自定义的协议，通过SPI发送命令到芯片，并接收NOR Flash芯片返回的状态信息和数据信息。此外，用户在使用串行NOR Flash时需要注意其支持哪些类型的SPI操作方式。
上传时间： 2013-11-08
上传用户：wangjin2945
引导装载程序（boot loader）控制复位后的初始化操作，并提供对Flash存储器进行编程的方法。这可以对空片进行初始编程、对事先已编程的芯片进行擦除和再编程或者是在系统运行时通过系统中的应用程序对Flash存储器进行编程。19.3特性在系统编程：在系统编程（ISP）是通过使用引导装载程序软件和UART0串口对片内Falsh存储器进行编程/再编程的方法。这种方法也可以在芯片位于终端用户板时使用；在应用编程：在应用编程（IAP）是通过终端用户的应用代码对片内Flash存储器进行擦除/写操作的方法；只有LPC134x系列Cortex-M3微控制器支持从USB端口引导，通过将其枚举为大容量存储器等级（MSC）设备来连接到USB主机接口（仅适用于Windows操作系统）；Flash访问时间可通过Flash控制器模块中的寄存器来配置；每个扇区的擦除时间为100ms±5%；而每个256字节的模块，其编程时间为1ms±5%。
上传时间： 2013-11-04
上传用户：weixiao99
NOR和NAND是现在市场上两种主要的非易失闪存技术。Intel于1988年首先开发出NOR flash技术，彻底改变了原先由EPROM和EEPROM一统天下的局面。紧接着，1989年，东芝公司发表了NAND flash结构，强调降低每比特的成本，更高的性能，并且象磁盘一样可以通过接口轻松升级。但是经过了十多年之后，仍然有相当多的硬件工程师分不清NOR和NAND闪存。
上传时间： 2013-10-09
上传用户：haojiajt
C51编写对SST 之FLASH操作源代码,用單片機實現對SST39VF040的操作
上传时间： 2015-01-04
上传用户：84425894
对am29f040的flash的操作
上传时间： 2013-12-17
上传用户：1051290259
很多Flash MX源码
上传时间： 2015-01-06
上传用户：784533221
SMSC USB2.0 Flash硬盘驱动源码
上传时间： 2015-01-06
上传用户：hebmuljb
