CH341A做的烧录器，用来读写RTD2120 RTD2122 RTD2660 RTD2270 24 25 WT6702等Ic的软件
标签： 2120 341A 6702 341 RTD CH 24 25 WT 烧写
上传时间： 2017-06-11
上传用户：xtoqm
松翰单片机使用资料可以详细的了解这个Ic的编程
上传时间： 2017-12-05
上传用户：bob20000@126.com
DC-DC芯片手册，详细介绍这个Ic的功能，和使用，包含原理图。
标签： datasheet 1003 SD 规格书 DC-DC
上传时间： 2018-05-30
上传用户：htchack
在互補式金氧半(CMOS)積體電路中，隨著量產製程的演進，元件的尺寸已縮減到深次微 米(deep-submicron)階段，以增進積體電路(IC)的性能及運算速度，以及降低每顆晶片的製造 成本。但隨著元件尺寸的縮減，卻出現一些可靠度的問題。 在次微米技術中，為了克服所謂熱載子(Hot-Carrier)問題而發展出 LDD(Lightly-Doped Drain) 製程與結構; 為了降低 CMOS 元件汲極(drain)與源極(source)的寄生電阻(sheet resistance) Rs 與 Rd，而發展出 Silicide 製程; 為了降低 CMOS 元件閘級的寄生電阻 Rg，而發展出 Polycide 製 程 ; 在更進步的製程中把 Silicide 與 Polycide 一起製造，而發展出所謂 Salicide 製程
标签： Protection CMOS ESD ICs in
上传时间： 2020-06-05
上传用户：shancjb
在互補式金氧半(CMOS)積體電路中，隨著量產製程 的演進，元件的尺寸已縮減到深次微米(deep-submicron)階 段，以增進積體電路(IC)的性能及運算速度，以及降低每 顆晶片的製造成本。但隨著元件尺寸的縮減，卻出現一些 可靠度的問題。
标签： ESD_Technology
上传时间： 2020-06-05
上传用户：shancjb
很不错的触控Ic的规格书，支出10.1寸
上传时间： 2021-09-07
上传用户：15735928642
PFC 控制器L6563及其应用电路 摘要: L6563是ST公司推出的一种过渡模式(TM) 电流型PFC控制器。文章在介绍了L6563基本结构的基础上, 重点介绍了其改进的性能和附加功能, 并给出了该控制Ic的实际应用电路。
上传时间： 2021-12-11
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2011年，Realtek(瑞昱)开发出了业界公认的低功耗，高性能的USB3.0 Hub 主控，RTS5401-GR。它超小的体积(QFN76)和规范化的设计(USB IF认证，BC1.2和支持苹果设备快充)，赢得了行内一致认可。如今，打磨再打磨，瑞昱在原有的优势基础上，又新推一款更具性价比的USB3.0 Hub 主控IC，RTS5411-GR。此款Ic的推出目的就是优化功耗，提高性能，降低客户Bom成本。那么，此款主控到底有何改善和更新呢？ 众所周知，目前世面上的Hub 主控，诸如创唯(GL3520) 威盛(VL812) 等等，都需要外挂一颗Flash，把配置文件(Bin文件)烧录其中，才能控制各个下行端口的设置。 而且，还需要一颗降压IC(5.5~3V to 1.2V)。 如此才能是整块板子正常工作，达到设计要求。 而现在，RTS5411-GR内置Efuse功能，可把Bin程序烧录到IC内部，这样就省去外挂SPI FLASH，使客户再次Cost Down. 另外，该IC已内置降压IC(5.5~3V to 1.2V) 因此，在整个Bom设计中，无需再加一颗降压IC。 上述两点，可以让整个Bom节省大约RMB1.00的成本，这使得客户的Hub产品更具价格优势！
上传时间： 2022-06-22
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RTS5411 USB3.0 HUB Controller v1.22011年，Realtek(瑞昱)开发出了业界公认的低功耗，高性能的USB3.0 Hub 主控，RTS5401-GR。它超小的体积(QFN76)和规范化的设计(USB IF认证，BC1.2和支持苹果设备快充)，赢得了行内一致认可。如今，打磨再打磨，瑞昱在原有的优势基础上，又新推一款更具性价比的USB3.0 Hub 主控IC，RTS5411-GR。此款Ic的推出目的就是优化功耗，提高性能，降低客户Bom成本。那么，此款主控到底有何改善和更新呢？ 众所周知，目前世面上的Hub 主控，诸如创唯(GL3520) 威盛(VL812) 等等，都需要外挂一颗Flash，把配置文件(Bin文件)烧录其中，才能控制各个下行端口的设置。 而且，还需要一颗降压IC(5.5~3V to 1.2V)。 如此才能是整块板子正常工作，达到设计要求。 而现在，RTS5411-GR内置Efuse功能，可把Bin程序烧录到IC内部，这样就省去外挂SPI FLASH，使客户再次Cost Down. 另外，该IC已内置降压IC(5.5~3V to 1.2V) 因此，在整个Bom设计中，无需再加一颗降压IC。 上述两点，可以让整个Bom节省大约RMB1.00的成本，这使得客户的Hub产品更具价格优势！
上传时间： 2022-06-22
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高清晶体管电路设计（上）放大电路技术的实验解析也已上传：http://dl.21ic.com/download/ic-330937.html 近年来电子电路的设计进入了以IC/LSl（集成电路/大规模集成电路）为中心的阶段。小小的管壳内凝缩了各种功能的IC/I.Sl给人们带来了极大的方便，可以说没有它就没有现代的电子电路。现在是Ic的全盛时代。IC/LSI今后还将进一步集成周边部件及功能，使之规模更大、功能更强、性能更高。最近有这样的说法，虽然使用晶体管或FET（场效应晶体管）简单而方便，但是现在的趋势更倾向于使用IC。也有人感到专用Ic的价格昂贵，但是不知道怎样才能把IC与晶体管、FET巧妙地组合起来获得性能更高的电路。诸如“用晶体管或（和）FET做成的分立电路最好”之类的说法并没有过时，只不过对于IC/1SI以及晶体管、FET构成的许多放大/开关器件来说，各自都有有效利用它们优点的使用方法。在这样的背景下，本书通过具体的实验，抓住晶体管、FET的工作图像，以达到灵活运用这些器件的目的。已经出版的本系列《晶体管电路设计（上）》一书中进行了以晶体管放大电路为中心的许多实验。本书是它的续编，将介绍有关FET放大电路、开关电路、模拟开关、振荡电路等方面的实验。本书若能对提高读者的电子电路的应用技能有所帮助，著者将深感荣幸。最后，对在本书的出版、发行过程中给予支持和帮助的有关各方面表示感谢。
上传时间： 2022-06-25
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