江苏宏微科技是一家设计生产半导体器件的高科技公司,公司设计生产各种具有自主知识产权的功率半导体器件。在公司的系列化产品中, IGBT以其高的性价比,高可靠性成为客户在电源设计领域的首选
上传时间: 2013-07-08
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APT的IGBT和MOSFET设计选型参考,一目了然,拥有它,很方便
上传时间: 2013-04-24
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驱动1700V IGBT的几种高性能IC 选型设计:通过对几种常用的1700V IGBT 驱动专用集成电路进行详细的分析,对M579 系列和CONCEPT 公司的2SD 系列进行深入的讨论,给出了电气
上传时间: 2013-05-24
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分析了大功率逆变电源IGBT关断时产生电压尖峰的机理,并对影响电压尖峰的主要因素进行了分 析。通过应用叠层复合母排可以降低主电路母线的分布电感,设计合理的吸收电路能够改善开关器件的开关轨迹, 抑制尖峰电压,使开关器件运行在可靠的工作范围内。仿真结果验证了吸收电路的有效性。
上传时间: 2013-05-25
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对IGBT 高频逆变电焊机进行了较为详细的分析和计算,对系统的构成、参数的选择、IGBT 的驱动与保护、高频变压器的设计等都作了分析和研究,并经过样机测试证明这些分析是切实可行的。随着科学技术
上传时间: 2013-07-23
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·【作 者】周志敏 周纪海 纪爱华 [同作者作品] 【丛 书 名】 现代电力电子应用技术丛书 【出 版 社】 人民邮电出版社 【书 号】 7115143544 【上架时间】 2006-4-7 【出版日期】 2006 年3月 【开 本】 16开 【页 码】 331 &nb
上传时间: 2013-04-24
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富士电机IGBT应用手册2011版.pdf
上传时间: 2013-06-27
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·实用晶闸管电路大全 SCR,MOS,GTR,IGBT应用 466页
上传时间: 2013-07-27
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富士IPM模块应用手册2012.05。富士IPM模块应用手册
上传时间: 2013-04-24
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IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),绝缘栅双极型晶体管,是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件, 兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。GTR饱和压降低,载流密度大,但驱动电流较大;MOSFET驱动功率很小,开关速度快,但导通压降大,载流密度小。IGBT综合了以上两种器件的优点,驱动功率小而饱和压降低。
上传时间: 2013-11-03
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