怎样判断IGBT MOS管的好坏？怎么检测它的引脚？IGBT1、判断极性首先将万用表拨在R×1KΩ 挡，用万用表测量时， 若某一极与其它两极阻值为无穷大，调换表笔后该极与其它两极的阻值仍为无穷大， 则判断此极为栅极（G ）。其余两极再用万用表测量， 若测得阻值为无穷大， 调换表笔后测量阻值较小。在测量阻值较小的一次中，则判断红表笔接的为集电极（ C）；黑表笔接的为发射极（E）。2、判断好坏将万用表拨在R×10KΩ 挡，用黑表笔接IGBT 的集电极（C），红表笔接IGBT 的发射极（ E），此时万用表的指针在零位。用手指同时触及一下栅极（ G）和集电极（C），这时IGBT 被触发导通，万用表的指针摆向阻值较小的方向，并能站住指示在某一位置。然后再用手指同时触及一下栅极（ G）和发射极（ E），这时IGBT 被阻断，万用表的指针回零。此时即可判断IGBT 是好的。3、注意事项任何指针式万用表皆可用于检测IGBT。注意判断IGBT 好坏时，一定要将万用表拨在R×10KΩ 挡，因R×1KΩ 挡以下各档万用表内部电池电压太低，检测好坏时不能使IGBT 导通，而无法判断IGBT 的好坏。此方法同样也可以用于检测功率场效应晶体管（ P-MOSFET ）的好坏。现在经常要检测MOS 管了，转几篇MOS 管的检测方法，以备随时观摩！用万用表检测MOS 开关管好坏的方法一、MOS 开关管针脚判断：在电脑上， MOS 管都是N 沟道增强型的MOSFET 开关管， 大部分都采用TO－220F 封装，其针脚判断方法是：将针脚向下，印有型号的面向自己，左边的是栅极，中间是漏极，右边是源极。
上传时间： 2022-06-22
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电磁炉烧坏IGBT 功率管的八种因素在电磁炉维修中，功率管的损坏占有相当大的比例，若在没有查明故障原因的情况下贸然更换功率管会引起再次烧毁。一：谐振电容和滤波电容损坏0.3uF/1200V 谐振电容、5uF/400V 滤波电容损坏或容量不足若0.3uF/1200V 谐振电容、5uF/400V 滤波电容容量变小、失效或特性不良，将导致电磁炉LC 振荡电路频率偏高，从而引起功率管IGBT管损坏，经查其他电路无异常时，我们必须将0.3uF 和5uF 电容一起更换。二：IGBT 管激励电路异常振荡电路输出的脉冲信号不能直接控制IGBT 管饱和、导通与截至，必须通过激励电路将脉冲信号放大来完成。如果激励电路出现故障，高电压就会加到IGBT 管的G 极，导致IGBT 管瞬间击穿损坏。常见为驱动管S8050、S8550损坏。三：同步电路异常同步电路在电磁炉中的主要是保证加到IGBT G 极上的开关脉冲前沿与IGBT 管上VCE 脉冲后沿同步。当同步电路工作异常时， 导致IGBT管瞬间击穿损坏。
上传时间： 2022-06-22
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热阻是评价IGBT可靠性的重要指标.寻找简便高精度的测量方法对IGBT热阻进行测试具有十分重要的意义.根据JESD51—14中的瞬态热阻抗定义式,提出了一种可以快速、准确计算IGBT模块结壳热阻的方法
上传时间： 2022-06-26
上传用户：20125101110
ONSEMI 官方的IGBT应用手册，书中有基础的关于IGBT datasheet的解读方法，IGBT门极驱动电路讲解，IGBT开关过程分析及损耗计算，并联使用方法，封装热模型，IGBT 发热计算等等。各个要点说明很详细，对于IGBT基础理解和应用有很大的帮助。
标签： IGBT
上传时间： 2022-06-30
上传用户：bluedrops
本设计主要思路是想实现一种通过USART 就可以直接控制大功率电机驱动控制板集成STM32主控，可通过USART控制电机，附件内容包含原理图和PCB和基于STM32固件程序（含有IGBT驱动芯片：1ED020I12-B2 输出电流高达2A,所有的逻辑是不5V CMOS兼容的,能直接连接到MCU适用于600V/1200V IGBT,主要用在大功率电机驱动。简单USART控制命令可以让您在此基础上二次开发。支持最大5KW超大功率电机。
上传时间： 2022-07-01
上传用户：zhaiyawei
三种IGBT驱动电路和保护方法，非常不错，受益颇多，感兴趣的可以看看，值得一看。
上传时间： 2022-07-06
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英飞凌EiceDRIVER门极驱动芯片选型指南2019门极驱动芯片相当于控制信号(数字或模拟控制器)与功率器件(IGBT、MOSFET、SiC MOSFET和GaN HEMT)之间的接口。集成的门极驱动解决方案有助于您降低设计复杂度，缩短开发时间，节省用料(BOM)及电路板空间，相较于分立的方式实现的门极驱动解决方案，可提高方案的可靠度。每一个功率器件都需要一个门极驱动，同时每一个门极驱动都需要一个功率器件。英飞凌提供一系列拥有各种结构类型、电压等级、隔离级别、保护功能和封装选项的驱动芯片产品。这些灵活的门极驱动芯片是英飞凌分立式器件和模块——包括硅MOSFET(CoolMOS™、OptiMOS™和StrongIRFET™)和碳化硅MOSFET(CoolSiC™)、氮化镓HEMT(CoolGaN™)，或者作为集成功率模块的一部分(CIPOS™ IPM和iMOTION™ smart IPM)——最完美的搭档。
标签： 门极驱动
上传时间： 2022-07-16
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该文档为基于IGBT器件的大功率DCDC电源并联技术总结文档，是一份不错的参考资料，感兴趣的可以下载看看
上传时间： 2022-07-26
上传用户：jiabin
摘要本文论述20KHZPWM（脉冲宽度调制）型大功率超声波发生器的原理和电路组成。PWM信号是由性能优越的TL494集成电路产生，高频逆变器采用国际先进的磁性材料和IGBT功率器件构成。逆变器将输出的高频电压送入超声波换能器，从而辐射出超声波。该系统具有电路简单，工作可靠，体积小，成本低，输出功率调节方便，效率高，实用性强等特点。关键词PWM信号；高频逆变；超声换能器随着科学的发展和技术的进步，超声波在工农业生产、国防建设和人民生活中的应用越来越广，如超声焊接、超声清洗、干燥、雾化、导航、测距、育种等领域的应用日趋广泛。现有的大功率超声波发生器，大都采用大功率电子管或高频可控硅组成。近年来，由于全控制型电子器件和PWM技术的迅速发展[]41，促进了超声波电子系统的进步，我们根据生产的需求，设计制作了这套系统，它具有效率高、性能稳定、体积小、重量轻和使用方便等特点。
上传时间： 2022-07-29
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该文档为基于PWM控制器和IPM模块的变频电源设计总结文档，是一份不错的参考资料，感兴趣的可以下载看看，，，，，，，，，，，，，，，，，
上传时间： 2022-08-10
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