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IEEE 802.11n中速率、模式及信道的联合自适应算法

  • 总结设计中的重点及注意的地方

    总结设计中的重点及注意的地方,常出现错误的地方等。

    标签:

    上传时间: 2013-08-18

    上传用户:佳期如梦

  • On the design of an FPGA-Based OFDM modulator for IEEE 802.11a

    On the design of an FPGA-Based OFDM modulator for IEEE 802.11a

    标签: FPGA-Based modulator 802.11 design

    上传时间: 2013-09-02

    上传用户:zjwangyichao

  • 在PROTEUS中使用ARM处理器及uC/OS-II移植理解

    这是网名为Rein Lee写的一篇在PROTEUS中使用ARM处理器及uC/OS-II移植理解,里面还包括移植的源代码,以及在PROTEUS上建的工程文件,已调试好,可以运行仿真。对于理解uC/OS-II在ARM上的移植还是很有帮助的!\r\n

    标签: PROTEUS OS-II ARM uC

    上传时间: 2013-09-21

    上传用户:AISINI005

  • 在PROTEUS中使用ARM处理器及uCOS-II移植理解

    在PROTEUS中使用ARM处理器及uCOS-II移植理解,需要学习ARM处理器的,这是个很好的学习资料

    标签: PROTEUS uCOS-II ARM 处理器

    上传时间: 2013-09-25

    上传用户:赵一霞a

  • CoolMos的原理、结构及制造

    对于常规VDMOS器件结构, Rdson与BV存在矛盾关系,要想提高BV,都是从减小EPI参杂浓度着手,但是外延层又是正向电流流通的通道,EPI参杂浓度减小了,电阻必然变大,Rdson增大。所以对于普通VDMOS,两者矛盾不可调和。 但是对于COOLMOS,这个矛盾就不那么明显了。通过设置一个深入EPI的的P区,大大提高了BV,同时对Rdson上不产生影响。为什么有了这个深入衬底的P区,就能大大提高耐压呢? 对于常规VDMOS,反向耐压,主要靠的是N型EPI与body区界面的PN结,对于一个PN结,耐压时主要靠的是耗尽区承受,耗尽区内的电场大小、耗尽区扩展的宽度的面积,也就是下图中的浅绿色部分,就是承受电压的大小。常规VDMOS,P body浓度要大于N EPI, PN结耗尽区主要向低参杂一侧扩散,所以此结构下,P body区域一侧,耗尽区扩展很小,基本对承压没有多大贡献,承压主要是P body--N EPI在N型的一侧区域,这个区域的电场强度是逐渐变化的,越是靠近PN结面(a图的A结),电场强度E越大。所以形成的浅绿色面积有呈现梯形。

    标签: CoolMos 制造

    上传时间: 2013-11-11

    上传用户:小眼睛LSL

  • M进制可逆计数器的设计、仿真及实验

    M进制可逆计数器的设计、仿真及实验

    标签: 进制 计数器 仿真 实验

    上传时间: 2013-10-17

    上传用户:oojj

  • 含CAD命令,与AutoCAD类似的中望CAD教程

    本书是按最新推出的中望CAD 软件2006 版编写,每章均附有该章小结及练习,小结是这一章内容的概括归纳和实践经验总结,对读者学习有很大帮助,练习题目丰富,便于读者掌握。书中提供了典型操作举例,讲述了操作的全过程。附录部分收集了实用资料,包括常见问题的处理等。本书适合具备计算机基础知识的工程师、设计师、高校学生以及其他对中望CAD软件感兴趣的读者。只要具有中学文化基础,都可用本教材来学习中望CAD 软件。本书主要讲述的内容有:中望CAD 基础知识;中望CAD 的绘图、编辑命令;绘图环境设置、显示控制;文本书写、尺寸标注;图块与属性的使用;数据交换;打印与规划图纸;工程图综合绘制;三维绘图;中望CAD 用户化与开发等知识。本书可作为各高等院校、高工专、高职及中专的教材,也可作为工程技术人员培训或自学的参考书。

    标签: CAD AutoCAD 命令 教程

    上传时间: 2013-11-17

    上传用户:miaochun888

  • Boost变换器的能量传输模式及输出纹波电压分析

    由于Boost变换器的电感位于电路的输入端,通过控制电感电流就可方便地对输入电流实施控制,因此在开关电源中,常被用作功率因数校正(H1C)的前级[1。4】。Boost变换器在低电压、便携式的电子产品领域也应用广泛【5。6J。此外,由于其功率开关管一端与电源共地,其驱动电路设计更容易,因此众多的研究人员一直在不懈地探索Boost变换器拓扑结构的改善措施[7-10]和提高其性能的控制方法[11-12

    标签: Boost 变换器 能量传输

    上传时间: 2013-11-08

    上传用户:hustfanenze

  • M68HC11单片机原理、应用及技术手册

    M68HC11单片机原理、应用及技术手册 【整理者】悠子 【提供者】drre 【详细说明】M68HC11单片机原理、应用及技术手册/MOTOROLA单片机开发应用丛书  书名: M68HC11单片机原理、应用及技术手册/MOTOROLA单片机开发应用丛书 作者: 涂时亮主编 出版社: 复旦大学出版社 出版日期: 1992-11-01 简介: 介绍了M68HC11单片机的系统结构、指令系统、程序设计方法和片内存贮器和它的定时系统、串行通讯口、串行外围接口、A/D、脉冲累加器、Watchdog等各种I/O功能的结构和使用方法等。 第一章 MOTOROLA单片机简介   1.1 发展概述   1.2 MOTOROLA单片机的结构特点     1.2.1 储存器组织     1.2.2 OPU结构     1.2.3 中断处理     1.2.4 并行I/O口     1.2.5 定时器系统     1.2.6 串行口     1.2.7 其他I/O功能    1.3MOTOROLA单片机系列     1.3.1抵挡 8 位单片机     1.3.2高档 8 位单片机 M68HO11     1.3.3MOTOROLA模块化单片机            ..............................            ................................  

    标签: M68 68 11 HC

    上传时间: 2014-12-25

    上传用户:hz07104032

  • Broadcom推出全球第一个802.11n单芯片解决方案

    北京,2007年9月27日——全球有线和无线通信半导体市场的领导者Broadcom(博通)公司(Nasdaq:BRCM)今天宣布,推出全球第一个全功能802.11n单芯片解决方案BCM4322。BCM4322是Broadcom Intensi-fiTM产品系列的最新成员,它不仅是市场上最小和最经济的802.11n解决方案,而且第一个让Wi-Fi产品的实际无线吞吐量超过了200Mbps。这款最新的Intensi-fi芯片兼有前所未有的无线性能和很多新功能,扩大了无线覆盖范围,使无线网络能够兑现802.11n的承诺,即同时支持几路多媒体应用,包括高清视频流。

    标签: Broadcom 802.11 单芯片 方案

    上传时间: 2014-01-14

    上传用户:haohaoxuexi