高效率7.6 V, 700 mA隔离式LED驱动器.pdf设计特色精确的初级侧恒压／恒流控制器(CV/CC)省去了光耦器和所有次级侧CV/CC控制电路无需电流检测电阻，即可达到最高效率使用元件少、低成本的解决方案自动重启动保护功能可在输出短路或开环条件下可将输出功率降低到95%以下迟滞热关断功能可防止电源损坏满足CEC及能源之星2.0效率要求：
上传时间： 2021-12-09
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arduino pwm太阳能控制器（V 2.02）arduino pwm太阳能控制器（V 2.02）
上传时间： 2022-01-14
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详细介绍了wd公司开源的risc-v core swe eh1,以及对risc-v做的贡献
标签： risc-v
上传时间： 2022-02-04
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risc-v官方spec，v2.2版本！！！
标签： risc-v
上传时间： 2022-06-10
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【资源描述】:RISC-V开源源码
标签： RISC-V
上传时间： 2022-06-16
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RISC-V 指令集手册 卷 1：用户级指令集体系结构（User-Level ISA）
标签： RISC-V 指令集
上传时间： 2022-06-18
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玄铁C910指令集手册，是一款基于RISC-V指令集的高性能处理器，采用12级乱序执行流水线、高精度混合分支预测器，并搭载AI扩展指令的异构处理器，可用于音视频处理等应用领域。
上传时间： 2022-06-18
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45 W隔离式反激式电源(90 VAC - 265 VAC输入; 24 V，1.88 A输出)，适用于使用InnoSwitch3-CP(INN3268-H221)以及CV，CC和CP输出选项的智能扬声器和管状电机
标签： 智能扬声器 管状电机 输出隔离式反激式电源
上传时间： 2022-07-11
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电子元器件抗ESD技术讲义:引 言 4 第1 章 电子元器件抗ESD损伤的基础知识 5 1.1 静电和静电放电的定义和特点 5 1.2 对静电认识的发展历史 6 1.3 静电的产生 6 1.3.1 摩擦产生静电 7 1.3.2 感应产生静电 8 1.3.3 静电荷 8 1.3.4 静电势 8 1.3.5 影响静电产生和大小的因素 9 1.4 静电的来源 10 1.4.1 人体静电 10 1.4.2 仪器和设备的静电 11 1.4.3 器件本身的静电 11 1.4.4 其它静电来源 12 1.5 静电放电的三种模式 12 1.5.1 带电人体的放电模式(HBM) 12 1.5.2 带电机器的放电模式（MM） 13 1.5.3 充电器件的放电模型 13 1.6 静电放电失效 15 1.6.1 失效模式 15 1.6.2 失效机理 15 第2章 制造过程的防静电损伤技术 2.1 静电防护的作用和意义 2.1.1 多数电子元器件是静电敏感器件 2.1.2 静电对电子行业造成的损失很大 2.1.3 国内外企业的状况 2.2 静电对电子产品的损害 2.2.1 静电损害的形式 2.2.2 静电损害的特点 2.2.3 可能产生静电损害的制造过程 2.3 静电防护的目的和总的原则 2.3.1 目的和原则 2.3.2 基本思路和技术途径 2.4 静电防护材料 2.4.1 与静电防护材料有关的基本概念 2.4.2 静电防护材料的主要参数 2.5 静电防护器材 2.5.1 防静电材料的制品 2.5.2 静电消除器（消电器、电中和器或离子平衡器） 2.6 静电防护的具体措施 2.6.1 建立静电安全工作区 2.6.2 包装、运送和存储工程的防静电措施 2.6.3 静电检测 2.6.4 静电防护的管理工作 第3章 抗静电检测及分析技术 3.1 抗静电检测的作用和意义 3.2 静电放电的标准波形 3.3 抗ESD检测标准 3.3.1 电子元器件静电放电灵敏度（ESDS）检测及分类的常用标准 3.3.2 标准试验方法的主要内容（以MIL-STD-883E 方法3015.7为例） 3.4 实际ESD检测的结果统计及分析 3.4.1 试验条件 3.4.2 ESD评价试验结果分析 3.5 关于ESD检测中经常遇到的一些问题 3.6 ESD损伤的失效定位分析技术 3.6.1 端口I－V特性检测 3.6.2 光学显微观察 3.6.3 扫描电镜分析 3.6.4 液晶分析 3.6.5 光辐射显微分析技术 3.6.6 分层剥离技术 3.6.7 小结 3.7 ESD和EOS的判别方法讨论 3.7.1 概念 3.7.2 ESD和EOS对器件损伤的分析判别方法 第4 章 电子元器件抗ESD设计技术 4.1 元器件抗ESD设计基础 4.1.1抗ESD过电流热失效设计基础 4.1.2抗场感应ESD失效设计基础 4.2元器件基本抗ESD保护电路 4.2.1基本抗静电保护电路 4.2.2对抗静电保护电路的基本要求 4.2.3 混合电路抗静电保护电路的考虑 4.2.4防静电保护元器件 4.3 CMOS电路ESD失效模式和机理 4.4 CMOS电路ESD可靠性设计策略 4.4.1 设计保护电路转移ESD大电流。 4.4.2 使输入/输出晶体管自身的ESD阈值达到最大。 4.5 CMOS电路基本ESD保护电路的设计 4.5.1 基本ESD保护电路单元 4.5.2 CMOS电路基本ESD保护电路 4.5.3 ESD设计的辅助工具－TLP测试 4.5.4 CMOS电路ESD保护设计方法 4.5.5 CMOS电路ESD保护电路示例 4.6 工艺控制和管理
上传时间： 2013-07-13
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随着工业技术的发展,变频调速器的应用越来越广泛,它的显著的节能效果和灵活多变的运行方式,给人们留下了深刻印象.但是由于变频器价格昂贵,影响了它的普及及推广应用.如何在提高变频器的性能的同时尽量降低其价格,是一个非常值得研究的问题.该文针对这一情况,并顺应当前变频器集成化、高频化的发展趋势,决定采用性能价格比很高的专用集成电路FSA4828和智能功率模块(IPM)开发一台低价格、高性能、具有实用价值的通用变频调速器.它采用V/F控制方式,有多种控制运行功能和完善的保护措施,从而使其既有较好的运行性能,又有安全稳定的运行状态,不会因各种故障而轻易损坏.同时,先进的人机接口使得参数的输入和变频器运行方式的改变极为方便,新型集成元件的采用也使得它的开发周期短,整机结构简洁,成本较低.该文详细的分析、设计了该通用变频器的硬件电路及控制程序,介绍了两种最主要的集成元件:SA4828和IPM模块PM25RSB120,以及它们在设计中的应用.最后,该文还分析了硬件电路产生的干扰问题,并分别从硬件、软件两方面提出相应的抗干扰措施.
标签： 变频调速器
上传时间： 2013-05-23
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