对大功率IGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor，绝缘栅双极型晶体管）的开关特性、驱动波形、驱动功率、布线等方面进行了分析和讨论，介绍了一种用于大功率IGBT 的驱动电路。
上传时间： 2013-12-12
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本文较全面探讨丁超声波换能器驱动和接收电路的多种电路组成形式，各种电子元器l件的应用及工作特点，并饲举r实例加以说明。
上传时间： 2013-10-15
上传用户：zhaiye
该方案通过采用恒流源、有源区温度控制以及波长锁定等技术方法来实现DFB LD 的稳频驱动及控制。试验表明，该方案可使得激光器的注入电流控制精度优于0.05%，温度控制精度达0.01 ℃，输出光谱线宽度< 0.2 nm. 此方案可广泛应用于光纤传感及通信等相关场合。
上传时间： 2013-10-24
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移相控制的全桥PWM变换器是最常用的中大功率DC／DC变换电路拓扑形式之一。移相PWM控制方式利用开关管的结电容和高频变压器的漏电感或原边串联电感作为谐振元件，使开关管能进行零电压开通和关断，从而有效地降低了电路的开关损耗和开关噪声，减少了器件开关过程中产生的电磁干扰，为变换器提高开关频率、提高效率、减小尺寸及减轻质量提供了良好的条件。然而，传统的移相全桥变换器的输出整流二极管存在反向恢复过程，会引起寄生振荡，二极管上存在很高的尖峰电压，需增加阻容吸收回路进行抑制，文献提出了两种带箝位二极管的拓扑，可以很好地抑制寄生振荡。本文采取文献提出的拓扑结构，设计了一台280 W移相全桥软开关DC／DC变换器，该变换器输入电压为194～310 V，输出电压为76V。
上传时间： 2014-08-30
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上海晶丰明源半导体有限公司(Bright Power Semiconductor ) 是一家从事电源管理芯片设计和销售的公司，公司主要产品是大功率LED驱动芯片.
上传时间： 2013-10-16
上传用户：aysyzxzm
功率场效应晶体管由于具有诸多优点而得到广泛的应用；但它承受短时过载的能力较弱，使其应用受到一定的限制。分析了MOSFET器件驱动与保护电路的设计要求；计算了MOSFET驱动器的功耗及MOSFET驱动器与MOSFET的匹配；设计了基于IR2130驱动模块的MOSFET驱动保护电路。该电路具有结构简单，实用性强，响应速度快等特点。在驱动无刷直流电机的应用中证明，该电路驱动能力及保护功能效果良好。
上传时间： 2013-12-18
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电压驱动型脉宽调制器TL494
上传时间： 2013-10-28
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文章详细介绍了841驱动电路的设计
上传时间： 2014-08-08
上传用户：urgdil
DM11C 是专为LED 显示应用所设计的沈入电流式恒流驱动芯片。内建移位缓存器，数据锁存器，以及恒流电路组件于硅CMOS 芯片上。8 个输出通道的电流可由一外挂电阻调整。内建开/短路侦测电路组件帮助使用者侦测LED 异常(开路与短路)。系统可藉由读回串行输出端的侦测数据与原始数据进行比对以判定哪一通道发生异常。过温断电功能则可保护芯片避免在高温环境使用下而毁损
上传时间： 2013-11-09
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快速整流半桥芯片F10C20，电流10A，电压200V。
上传时间： 2013-11-09
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