Adobe Flash Player Plugin_11.2\游戏、农场、视频
上传时间： 2014-01-17
上传用户：会稽剑客
Adobe Flash Player Plugin_11.2\游戏、农场、视频
上传时间： 2013-11-05
上传用户：199311
一些应用利用 Xilinx FPGA 在每次启动时可改变配置的能力，根据所需来改变 FPGA 的功能。Xilinx Platform Flash XCFxxP PROM 的设计修订 (Design Revisioning) 功能，允许用户在单个PROM 中将多种配置存储为不同的修订版本，从而简化了 FPGA 配置更改。在 FPGA 内部加入少量的逻辑，用户就能在 PROM 中存储的多达四个不同的修订版本之间进行动态切换。多重启动或从多个设计修订进行动态重新配置的能力，与 Spartan™-3E FPGA 和第三方并行 flashPROM 一起使用时所提供的 MultiBoot 选项相似。本应用指南将进一步说明 Platform Flash PROM 如何提供附加选项来增强配置失败时的安全性，以及如何减少引脚数量和板面积。此外，Platform Flash PROM 还为用户提供其他优势：iMPACT 编程支持、单一供应商解决方案、低成本板设计和更快速的配置加载。本应用指南还详细地介绍了一个包含 VHDL 源代码的参考设计。
上传时间： 2013-10-10
上传用户：wangcehnglin
本应用指南讲述一种实用的 MicroBlaze™ 系统，用于在非易失性 Platform Flash PROM 中存储软件代码、用户数据和配置数据，以简化系统设计和降低成本。另外，本应用指南还介绍一种可移植的硬件设计、一个软件设计以及在实现流程中使用的其他脚本实用工具。 简介许多 FPGA 设计都集成了使用 MicroBlaze 和 PowerPC™ 处理器的软件嵌入式系统，这些设计同时使用外部易失性存储器来执行软件代码。使用易失性存储器的系统还必须包含一个非易失性器件，用来在断电期间存储软件代码。大多数 FPGA 系统都在电路板上使用 Platform FlashPROM (在本文中称作 PROM)，用于在上电时加载 FPGA 配置数据。另外，许多应用还可能使用其他非易失性器件(如 SPI Flash、Parallel Flash 或 PIC)来保存 MAC 地址等少量用户数据，因此导致系统电路板上存在大量非易失性器件。
标签： MicroBlaze Platform Flash XAPP
上传时间： 2013-10-15
上传用户：rocwangdp
三菱PLC的学习FLASH
上传时间： 2013-12-29
上传用户：leyesome
FLASH短接图
上传时间： 2013-10-11
上传用户：shus521
NAND FLASH在储存测试系统中的应用
上传时间： 2013-11-19
上传用户：star_in_rain
串行NOR Flash是用串口进行连续数据存取的小尺寸、低功耗Flash存储器；相对于并行Flash，它用更少的引脚传送数据，这降低了系统空间、功耗、成本。它内部的地址空间是线性的，随机访问速度快；它的传输效率高，在1~ 4MB的小容量时具有很高的性价比。更重要的是，串行NOR Flash的读写操作十分简单。这些优势使得串行NOR Flash被广泛地用于微型、低功耗的数据存储系统。串行NOR Flash 可通过SPI进行操作。用户根据NOR Flash芯片自定义的协议，通过SPI发送命令到芯片，并接收NOR Flash芯片返回的状态信息和数据信息。此外，用户在使用串行NOR Flash时需要注意其支持哪些类型的SPI操作方式。
上传时间： 2013-11-08
上传用户：wangjin2945
引导装载程序（boot loader）控制复位后的初始化操作，并提供对Flash存储器进行编程的方法。这可以对空片进行初始编程、对事先已编程的芯片进行擦除和再编程或者是在系统运行时通过系统中的应用程序对Flash存储器进行编程。19.3特性在系统编程：在系统编程（ISP）是通过使用引导装载程序软件和UART0串口对片内Falsh存储器进行编程/再编程的方法。这种方法也可以在芯片位于终端用户板时使用；在应用编程：在应用编程（IAP）是通过终端用户的应用代码对片内Flash存储器进行擦除/写操作的方法；只有LPC134x系列Cortex-M3微控制器支持从USB端口引导，通过将其枚举为大容量存储器等级（MSC）设备来连接到USB主机接口（仅适用于Windows操作系统）；Flash访问时间可通过Flash控制器模块中的寄存器来配置；每个扇区的擦除时间为100ms±5%；而每个256字节的模块，其编程时间为1ms±5%。
上传时间： 2013-11-04
上传用户：weixiao99
NOR和NAND是现在市场上两种主要的非易失闪存技术。Intel于1988年首先开发出NOR flash技术，彻底改变了原先由EPROM和EEPROM一统天下的局面。紧接着，1989年，东芝公司发表了NAND flash结构，强调降低每比特的成本，更高的性能，并且象磁盘一样可以通过接口轻松升级。但是经过了十多年之后，仍然有相当多的硬件工程师分不清NOR和NAND闪存。
上传时间： 2013-10-09
上传用户：haojiajt
