DB9 DB15 DB25 DB37 DB50 Altium AD元件库 PCB封装库,90个器件封装，可以直接用于你的项目设计。PCB Library : DB9~50封装 .PcbLibComponent Count : 90DB9DB9 公 90°DB9/MDB9/MADB9/MSDB9/P_ADB9/S_ADB9SLWDB15FLWDB15FSDB15FSWDB15HDPFVDB25/MDB25BSMDB25FLDB25FLEDB25FLWDB25FSDB25FSWDB25RA/FDB25RA/MDB25SLDB25SLEDB37FLDB37FLEDB37FLWDB37FSDB37FSWDB37RA/FDB37RA/MDB37SLDB37SLEDB37SLWDB37SSDB37SSMDB37SSWDB50FLDB50FLEDB50FLW
标签： AD元件库
上传时间： 2022-04-17
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表贴插装电阻功率电阻Altium封装 AD封装库 2D+3D PCB封装库-19MB,Altium Designer设计的PCB封装库文件，集成2D和3D封装，可直接应用的到你的产品设计中。PCB库封装列表：PCB Library : 1.01-电阻.PcbLibComponent Count : 73Component Name-----------------------------------------------AXIAL0.3-1/8WAXIAL0.3-1/8W-VAXIAL0.4-1/4WAXIAL0.4-1/4W-VAXIAL0.5-1/2WAXIAL0.5-1/2W-VAXIAL0.6-1WAXIAL0.6-1W -VAXIAL0.8-2W-VAXIAL0.8-3WAXIAL1.0-3WAXIAL1.0-3W-VAXIAL1.2-5WAXIAL1.2-5W-FR 0201_LR 0201_MR 0201-HP_LR 0201-HP_MR 0402_LR 0402_MR 0402-HP_LR 0402-HP_MR 0603_LR 0603_MR 0603-HP_LR 0603-HP_MR 0805_LR 0805_MR 0805-HP_LR 0805-HP_MR 1206_LR 1206_MR 1206-HP_LR 1206-HP_MR 1210_LR 1210_MR 1210-HP_LR 1210-HP_MR 1812_LR 1812_MR 1812-HP_LR 1812-HP_MR 2010_LR 2010_MR 2010-HP_LR 2010-HP_MR 2512_LR 2512_MR 2512-HP_LR 2512-HP_MR SIP9-2.54RCA-8P4R-0402RCA-8P4R-0603RI 1.25W - 0.9mmRS 1/2WRS 1/2W-V4RS 1/4WRS 1/4W-V3RS 1/8WRS 1/8W-V2RS 1WRS 1W-F5RS 1W-V5RS 2WRS 2W-F5RS 2W-V6RS 3WRS 3W-F5RS 3W-V7RS 5WRS 5W-F5RS 5W-V8RX10-18*15*5
标签： altium designer
上传时间： 2022-05-04
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《射频通信电路设计》学习笔记（一）1.1射频概念1864-1873年，英国物理学家麦克斯书通过电磁学的研究，提出了著名的Maxwell方程组，并在理论上预言了电磁波的存在。1887-1891年，德国物理学家赫兹通过电磁学实验首次证实了电磁波的存在901年，马可尼利用电磁波实现了横跨大西洋的无线通f1.2射频通信电路应用简介在电子通信系统中，只有使用更高的载波频率，才能获得更大的带宽。按照10%的带宽计算，有线电视系统中使用100MHz的载波可以获得10MHz的带宽1.3射频电路设计的特点1.3.1分布参数集总参数元件：指一个独立的局域性元件，能够在一定的频率范围内提供特定的电路性能。在低频电路设计中，可以把元件看作集总参数元件，认为元件的特性仅由二传手自身决定，元件的电磁场部集中在元件内部。如电容、电阻、电感等；一个电容的容抗是由电容自身的特性决定不会受周围元件的影响，如果把其他元件靠近这个电容器，其容抗不会随之产业化。分布参数元件：指一个元件的特性延伸扩展到一定的空间范围内，不再局限于元件自身。由于分布参数元件的电磁场分布在附近空间中，其特性要受周围环境的影响。同一个元件，在低频电路设计中可以看作是集总参数元件，但是在射频电路设计中可能需要作为分布参数元件进行处理。例如，一定长度的一段传输线，在低频电路中可以看作集总参数元件；在射频电路中，就必须看作分布参数元件。分布电容（Cp）：指在元件自身封装、元件之间、元件到接地平面和线路板布线间形成非期t电容。分布电容与元件眯并联关系。分布电感（LD）：指元件引脚、连线、线路板布线等形成的非期望电感。分布电感通常与元件为串联关系。
上传时间： 2022-06-21
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一、IGBT 驱动1 驱动电压的选择IGBT 模块GE 间驱动电压可由不同地驱动电路产生。典型的驱动电路如图1 所示。图1 IGBT 驱动电路示意图Q1，Q2 为驱动功率推挽放大，通过光耦隔离后的信号需通过Q1，Q2 推挽放大。选择Q1，Q2 其耐压需大于50V 。选择驱动电路时，需考虑几个因素。由于IGBT 输入电容较MOSFET 大，因此IGBT 关断时，最好加一个负偏电压，且负偏电压比MOSFET 大， IGBT 负偏电压最好在-5V~-10V 之内；开通时，驱动电压最佳值为15V 10％ ,15V 的驱动电压足够使IGBT 处于充分饱和，这时通态压降也比较低，同时又能有效地限制短路电流值和因此产生的应力。若驱动电压低于12V ，则IGBT 通态损耗较大， IGBT 处于欠压驱动状态；若 VGE >20V ，则难以实现电流的过流、短路保护，影响 IGBT 可靠工作。2 栅极驱动功率的计算由于IGBT 是电压驱动型器件，需要的驱动功率值比较小，一般情况下可以不考虑驱动功率问题。但对于大功率IGBT ，或要求并联运行的IGBT 则需要考虑驱动功率。IGBT 栅极驱动功率受到驱动电压即开通VGE( ON )和关断 VGE( off ) 电压，栅极总电荷 QG 和开关 f 的影响。栅极驱动电源的平均功率 PAV 计算公式为：PAV =（VGE(ON ) +VGE( off ) ）* QG *f对一般情况 VGE( ON ) =15V，VGE( off ) =10V，则 PAV 简化为： PAV =25* QG *f。f 为 IGBT 开关频率。栅极峰值电流 I GP 为：
上传时间： 2022-06-21
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用FFT分别计算Xa(n) (p=8, q=2)与Xb(n) (a =0.1,f =0.0625)的16点循环卷积和线性卷积。
上传时间： 2013-12-09
上传用户：lizhizheng88
替代加密: A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W 密文 Y Z D M R N H X J L I O Q U W A C B E G F K P 明文 X Y Z T S V I HAVE A DREAM！# 密文？？ 用ARM编程实现替代加密。
标签： 加密
上传时间： 2016-07-17
上传用户：qq521
求解抛物型方程的交替隐方向P-R差分格式的matlab程序实现。不过大家在用的时候要用到原函数f.m和精确解函数uexact.m，应用程序的时候只要修改精确解和右端项就可以了。
上传时间： 2013-11-25
上传用户：hewenzhi
基于HT47C20L的R-F型低电压八位Mask单片机 HT47C20L 是8 位高性能精简指令集单片机。单指令周期和两级流水线结构，使其适合高速应用的场合。特别适用于带LCD 的低功耗产品，例如：电子计算机、时钟计数器、游戏产品、电子秤、玩具、温度计、湿度计、体温计、电容测量仪，以及其它掌上型LCD 产品，尤其是电池供电的系统。
上传时间： 2013-11-13
上传用户：assef
基于HT45R37V的低功耗C/R-F型八位OTP单片机 HT45R37V 是一款低功耗C/R-F 型具有8 位高性能精简指令集的单片机，专门为需要VFD 功能的产品而设计。作为一款C/R-F 型的单片机，它可以连接9 个外部电容型或电阻型传感器，并把它们的电容值或电阻值转换成相应的频率进行处理。此外，单片机带有内部A/D 转换器，能够直接与模拟信号相连接，且它还集成了一个双通道的脉冲宽度调节器，用于控制外部的马达和LED 灯等。这款单片机是专门为VFD 产品应用而设计的，它能直接驱动VFD 面板。
上传时间： 2013-10-16
上传用户：packlj
基于HT45R37的低功耗C/R-F型八位OTP单片机 HT45R37 是一款低功耗C/R-F 型具有8 位高性能精简指令集的单片机。作为一款C/R-F 型的单片机，它可以连接16 个外部电容/电阻式传感器，并把它们的电容值或电阻值转换成相应的频率进行处理。此外，单片机带有内部A/D 转换器，能够直接与模拟信号相连接，且它还集成了双通道的脉冲宽度调节器，用于控制外部的马达和LED 灯等。
上传时间： 2013-11-23
上传用户：chenlong
